Радіаційно індуковані зміни оптичних характеристик нанокристалічних та об’ємних напівпровідників CdS1–xSex
Закономірності впливу енергетичного електронного опромінення на оптичні характеристики напівпровідникових нанокристалів CdS1–xSex, вкраплених у боросилікатну скляну матрицю, порівняння з радіаційними дефектами у склоподібних матеріалах класу силікатів.
Подобные документы
- 1. Second- and Third-order Raman Scattering in Bulk and Glass-embedded Nanometric CdS1–xSex Crystals
Experimental measurement of second- and third-order scattering spectra in bulk nanocrystals embedded in glass. Determination of the ratio of the intensities of multiphonon bands in spectra. Analysis of the electron-phonon interaction in bulk crystals.
статья, добавлен 23.12.2016 Аналіз впливу електронного, гамма-опромінення на динаміку змін структурних, магнітних характеристик аморфних сплавів (системи Fe-Si-B) і нанокристалічних (системи Fe-Si-B-Nb-Сu). Часова стабільність магнітних характеристик магнітопроводів із цих сплавів.
автореферат, добавлен 07.08.2014Закономірності впливу компенсації на електричні оптичні та спектрометричні характеристики ряду бінарних і атомарних напівпровідників. Дослідження сильнолегованих і компенсованих власними дефектами монокристалів CdTe як модель аморфного напівпровідника.
автореферат, добавлен 26.08.2014Дослідження фізико-хімічних та кристалізаційних параметрів стекол. Розрахунок критичних швидкостей охолодження розплавів. Визначення оптимальних режимів синтезу стекол. Оцінка впливу опромінення та відпалу на структуру і оптичні властивості плівок.
автореферат, добавлен 07.08.2014- 5. Оптичні і люмінесцентні властивості нанокристалів CdTe в колоїдних розчинах та полімерних матрицях
Виготовлення макету світловипромінюючого пристрою на основі нанокристалів телуриду кадмію. Дослідження фотолюмінесцентних і оптичних властивостей нанокристалів CdTe. Знаходження залежності зсуву Стокса від розмірів нанокристалів CdTe в колоїдних розчинах.
автореферат, добавлен 19.07.2015 Вирішення наукової проблеми "Індуковані високоенергетичні ефекти опромінення у фосфідних і халькогенідних напівпровідниках". Встановлення закономірностей впливу ефектів розупорядкування на оптичні властивості кристалів, а також вивчення фізичних процесів.
автореферат, добавлен 27.07.2014Дослідження відмінностей впливу опромінення електронами на оптичні та люмінесцентні властивості кристалів лейкосапфіру, вирощених видозміненим методом Кіропулоса. Вивчення сигналів термолюмінесценції за допомогою молібденових та ніобієвих екранів.
статья, добавлен 30.01.2016Фізичні основи технології створення низькорозмірних і об'ємних напівпровідникових структур та їх електричні, фотоелектронні та оптичні властивості. Розрахунок параметрів енергетичного спектра напівпровідникових чотирикомпонентних твердих розчинів.
автореферат, добавлен 24.06.2014Розробка нових акусто-оптичних методик дослідження об’ємних монокристалів та сучасних низькорозмірних структур - напівпровідникових гетеропереходів, квантових ям та мікрокристалітів. Спостереження нових порогових акусто-оптичних ефектів у твердих тілах.
автореферат, добавлен 23.11.2013Природа радіаційно-індукованих дефектів у монокристалах шаруватого та острівного борату. Вплив активації монокристалів рідкісноземельним елементом на створення дефектів під впливом іонізуючого випромінювання, на оптичні та сцинтиляційні характеристики.
автореферат, добавлен 28.07.2014Сцинтиляційні, оптичні та люмінесцентно-кінетичні характеристики галоїдних кристалів у широкому енергетичному діапазоні з використанням фото-, рентгено-, катодо- та синхротронного збудження. Люмінесцентно-кінетичні параметри випромінювання нанокристалів.
автореферат, добавлен 27.08.2015Розгляд особливостей електронного спектра, хімічного зв’язку, оптичних, термодинамічних та структурних властивостей напівпровідникових твердих розчинів заміщення. Розробка підходу до аналізу термодинамічної стабільності невпорядкованих твердих розчинів.
автореферат, добавлен 27.07.2014Аналіз основних структурних змін, що відбуваються у напівпровідникових кристалах при легуванні шляхом імплантації та при наступних технологічних обробках. Встановлення ролі легуючої домішки бору в утворенні електрично-активних кисневмісних комплексів.
автореферат, добавлен 07.08.2014Дослідження впливу pН розчину на формування нанокристалів сульфіду кадмію та їхній розмір у процесі синтезу. Залежність розміру нанокристалів сульфіду кадмію, отриманих за допомогою золь-гель технології в желатиновому розчині, від значення pН середовища.
статья, добавлен 07.12.2016Встановлення загальних закономірностей формування структури різного масштабу в аморфних напівпровідникових плівках системи Ge-Sb-Se. Закономірності впливу вихідної структури конденсатів на фазові переходи, стимульовані зміни і релаксаційні процеси в них.
автореферат, добавлен 28.09.2015Актуальність потреби у складних напівпровідникових системах. Переваги вузькощілинних напівмагнітних напівпровідників. Ефективність цих напівпровідників для практичного використання як матеріалів для фотоприймачів спектрального діапазону 0.9-1.5 мкм.
автореферат, добавлен 12.02.2014Особливості зміни оптичних властивостей тонких шарів напівпровідника, спектрів комбінаційного розсіювання, механізм незворотних фотоструктурних перетворень. Визначення процесів селективного травлення, формуванні рельєфу голограмних оптичних елементів.
автореферат, добавлен 22.04.2014Аналіз температурного впливу на питомий опір напівпровідників, вивчення їх зонної характеристики. Сутність електронної та діркової провідності. Сила прямого та зворотного струму. Використання напівпровідникових приладів. Вплив домішок на структуру.
реферат, добавлен 20.12.2010Дослідження оптичних властивостей і структурно-фазового стану матеріалів у вихідному та опроміненому станах в залежності від параметрів опромінення. Вплив опромінення на оптичні властивості напівпровідникової сполуки GaAs з різним типом провідності.
автореферат, добавлен 28.08.2015Об'ємні композити системи Bi(Sb)2S3-As2S3 та аморфні багатошарові наноструктури на основі халькогенідних напівпровідників As2S3 з Bi i Sb. Зміна оптичних та електрофізичних властивостей нанокомпозитів за рахунок фото- і термоіндукованих процесів.
автореферат, добавлен 26.09.2015Сфери використання такого напівпровідникового матеріалу, як германій. Дослідження температурних залежностей питомого опору для монокристалів n-Ge, опромінених різними дозами електронів. Вплив електронного опромінення на радіаційну стійкість монокристалів.
статья, добавлен 03.07.2016Порівняння властивостей дефектів у нанокристалічному кремнії, що має різний вміст кристалічної фази. Дослідження технологічних особливостей процесу утворення нових парамагнітних станів у матеріалі після низькотемпературного електронного опромінення.
автореферат, добавлен 29.08.2014Встановлення природи радіаційно-індукованих дефектів у нових об’єктах – монокристалах тетрабората літію, активованих електроними іонами. Вивчення впливу активації рідкісноземельними елементами монокристалів ТБЛ на їх термостимульовану люмінесценцію.
автореферат, добавлен 06.07.2014- 24. Просторовий розподіл та місце локалізації в гратці радіаційних дефектів та домішок інертних газів
Типи радіаційних дефектів і їх просторовий розподіл. Захоплення і утримання дейтерію в сталі при підвищених температурах опромінення. Місце локалізації в гратці монокристала нікелю атомів ксенону і криптону, їх взаємодія з радіаційними дефектами.
автореферат, добавлен 27.07.2015 Аналіз газорозрядних джерел випромінювання на хлоридах інертних газів. Дослідження оптичних характеристик випромінювання газорозрядної плазми повздовжнього розряду низького тиску. Результати дослідження електричних та оптичних характеристик плазми.
автореферат, добавлен 28.08.2015