Расчёт параметров и характеристик полупроводникового диода и транзистора МДП–типа
Рассмотрение структурных особенностей полупроводникового диода. Проведение расчетов параметров и характеристик выпрямительного диода (напряжение прокола, лавинного пробоя, генерационный ток, диффузная длина неравновесных носителей) и МДП-транзистора.
Подобные документы
Исследование электрофизических и приборных характеристик одинарных и двойных гетероструктур. Разработка основных этапов технологии создания мощного полевого транзистора. Электрофизические параметры и стабильность приборных характеристик транзистора.
автореферат, добавлен 31.07.2018Сведения о математических моделях радиоэлектронных средств. Расчет физико-топологической модели биполярного транзистора с использованием модели Эберса-Молла. Разработка маршрутной карты технологического процесса изготовления транзистора типа КТ-872.
курсовая работа, добавлен 25.05.2013Изучение физико-топологических параметров кремниевого полевого транзистора с изолированным затвором. Зависимость тока от напряжения на подложке при различных значениях напряжения. Статические выходные вольт-амперные характеристики полевого транзистора.
лабораторная работа, добавлен 20.09.2014Назначение и структурная схема стабилизатора напряжения. Выбор транзистора по максимальному току коллектора, его входная и выходная характеристики. Стабилизация тока, расчёт параметров, индикация состояния стабилитрона. Защита нагрузки от перенапряжения.
курсовая работа, добавлен 18.01.2013Электроника как наука о взаимодействии электронов с электромагнитными полями. Знакомство с особенностями биполярного транзистора ГТ310А, рассмотрение способов определения параметров. Анализ этапов построения нагрузочной прямой по постоянному току.
курсовая работа, добавлен 18.02.2020Расчет рабочей точки усилителя. Расчет схем термостабилизации транзистора. Расчёт параметров схемы Джиаколетто и эмиттерной коррекции. Промежуточный каскад. Искажения, вносимые входной цепью. Расчет входной корректирующей цепи и коэффициента усиления.
курсовая работа, добавлен 15.06.2014Изучение математических моделей полупроводниковых выпрямительных диодов. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного диода в зависимости от температуры. Графоаналитический метод расчета электрической цепи с нелинейными элементами (диодами).
лабораторная работа, добавлен 04.12.2017Визначення залежності струму колектора від струму бази та напруги колектор-емітер. Розрахунок сімейства вихідних характеристик біполярного транзистора в схемі із загальним емітером. Фактори, що визначають силу струму, що протікає через колектор.
лабораторная работа, добавлен 27.03.2014Применение различных типов материалов в качестве теплопроводящего слоя в месте контакта металлического основания транзистора и охлаждающего основания платы. Влияние применение материала на параметры уровня выходной мощности LDMOS-транзистора BLF578XR.
статья, добавлен 23.03.2018Расчет параметров полупроводникового лазера. Определение дифференциального квантового выхода, ширины спектра излучения, скорости модуляции и потерь в волноводном световоде. Построение ватт-амперной характеристики. Виды дисперсии в волоконных световодах.
контрольная работа, добавлен 15.12.2012Концентрация носителей заряда в эмиттере. Принцип действия биполярного транзистора (р-n-р- типа). Статический режим работы транзистора, предотвращение его перегрева. Схема простейшего усилительного каскада на биполярном транзисторе с общим эмиттером.
реферат, добавлен 28.06.2016Строение и принцип действия резонансно-туннельного диода. Изучение резонансного туннелирования в двухбарьерной структуре. Влияние параметров концепции на вольтамперные характеристики. Расчет коэффициента прохождения в полупроводниковых наноструктурах.
курсовая работа, добавлен 11.01.2016Расчет выходного каскада полупроводникового усилителя и разработка схемы его стабилизации. Определение электрических параметров выходного трансформатора проектируемого усилителя. Выбор теплоотводящего радиатора и расчет фильтра нижних частот прибора.
курсовая работа, добавлен 24.09.2014Основные параметры биполярного транзистора с p-n-p переходом, определяющие работу линейного усилителя низкой частоты. Принципиальная схема работы усилителя. Расчет и экспериментальная проверка рабочей точки по статическим характеристикам транзистора.
курсовая работа, добавлен 20.09.2014Цифровая схема логики или-не на биполярных транзисторах из идентичных каскадов, состоящих из биполярного транзистора, резистора и конденсатора. Электрические параметры элементов схемы. Последовательность расчета параметров биполярного транзистора.
курсовая работа, добавлен 20.03.2011Устройство, назначение, принцип и режимы действия биполярных транзисторов, как трехэлектродного полупроводникового прибора. Основные носители биполярного транзистора: электроны и дырки, схемы включения. Слои полупроводника и тип приметной проводимости.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010Расчет и сравнение параметров транзистора для схем включения с общими эмиттером и базой. Определение статических и динамических параметров каскада с общим эмиттером, параметров выходного импульсного сигнала. Значение выходной функции для логической схемы.
контрольная работа, добавлен 10.12.2015Выбор режима работы транзистора. Расчет сопротивления делителя в цепи базы и мощности резистора. Физические малосигнальные параметры П-образной схемы замещения биполярного транзистора. Определение параметров каскада. Оценка его нелинейных искажений.
курсовая работа, добавлен 20.08.2017Биполярный транзистор как весьма сложный полупроводниковый прибор: общая характеристика, знакомство с принципом работы. Рассмотрение основных особенностей определения параметров усилительного каскада. Анализ схемы замещения биполярного транзистора.
курсовая работа, добавлен 12.05.2013Расчет параметров транзистора в рабочей точке и вычисление сопротивления эквивалентного генератора. Емкость блокировочного конденсатора промежуточного каскада, его максимально достижимая площадь усиления. Построение амплитудно-частотных характеристик.
курсовая работа, добавлен 08.06.2018- 96. Р-п переходы
Структура, содержащая дырочную и электронную области полупроводника. Носители заряда (электроны и дырки). Понятие области объёмного заряда. Контактная разность потенциалов. Выявление отличий реальных характеристик от идеальных. Паразитная ёмкость диода.
лекция, добавлен 26.10.2013 Формула для идеального диода. Сопротивления контактов металл-полупроводник. Термогенерация носителей непосредственно в области p-n перехода. Поверхностные утечки. Энергетические уровни, обеспечивающие активные процессы генерации и рекомбинации, причины.
презентация, добавлен 23.09.2016Схематическое изображение структуры диода на основе контакта полупроводников. Анализ изменения соотношения между диффузионными и дрейфовыми составляющими потоков электронов и дырок при прямом и обратном напряжениях на электронно-дырочной структуре.
учебное пособие, добавлен 05.12.2016Физические процессы в базе дрейфового транзистора при низком уровне инжекции. Влияние неравномерного распределения примесей в базе на концентрацию и движение электронов. Определение параметров аппроксимации электрического заряда. Скорость передачи тока.
реферат, добавлен 21.03.2015Исследование характеристик и определение параметров усилителей на полупроводниках. Выбор схемы включения и режима работы каскада на трёхполюсниках. Отличия биполярного и полевого транзистора. Влияние температуры на токи в цепях. Функции обратной связи.
лабораторная работа, добавлен 08.04.2018