Исследование температурной зависимости полупроводниковых фоторезисторов
Описание лабораторной установки для исследования температурной зависимости фототока полупроводниковых фоторезисторов. Результаты измерений времени жизни неосновных носителей фототока проводимости в зависимости от температуры и частоты волн облучения.
Подобные документы
Влияние электрического поля на величину, вид магнитополевой зависимости магниторезистивного эффекта в арсениде галлия и германия Закономерности проявления размерного эффекта в низкотемпературном магнитотранспорте диамагнитных полупроводниковых пленок.
автореферат, добавлен 19.08.2018История открытия и использования полупроводников. Анализ причин зависимости электрического сопротивления металлов и полупроводников от температуры. Зонная теория проводимости. Влияние примесей на электропроводность материала. Применения полупроводников.
реферат, добавлен 08.03.2010Анализ вклада космогенного излучения в формирование годовой эффективной дозы облучения в зависимости от высоты над уровнем моря. Доказательство экспоненциального возрастания дозы облучения с увеличением высоты. Эффект альбедо космогенных нейтронов.
статья, добавлен 25.03.2019Рассмотрение и характеристика схемы последовательного колебательного контура. Изучение особенностей обобщённой расстройки, которая характеризует удалённость от резонансной частоты. Исследование графика зависимости модуля входного тока от частоты.
презентация, добавлен 21.09.2016Получены экспериментальные временные зависимости токов проводимости тонких пленок технически чистого трансформаторного масла, масла с добавлением химических примесей NaCl и йод. Исследованы прямоугольные импульсы напряжения со сменой полярности.
статья, добавлен 02.12.2018- 106. Процесс плавления
Понятие температуры плавления вещества. График зависимости температуры вещества от времени. Удельная теплота плавления как физическая величина. Формула определения количества теплоты, необходимого для плавления кристаллического тела произвольной массы.
презентация, добавлен 28.08.2014 Характеристика и закономерности изменений в составе систем объемных и поверхностных свойств. Описание рентгенографических, электронно-микроскопических, электрофизических исследований определения кислотно-основных свойств полупроводниковых материалов.
статья, добавлен 02.02.2019Рассмотрение зависимости полной кинетической температуры кластера и температуры в области контакта кластера от числа шагов по времени. Анализ начального и конечного положения кластера и подложки. Ознакомление с результатами численных экспериментов.
статья, добавлен 29.10.2018Исследование имитационной модели асинхронного двигателя. Определение зависимости параметров, схемы замещения, частота высших гармоник в электрической сети. Наличие зависимости параметров элементов электротехнического комплекса предприятия от частоты.
статья, добавлен 31.10.2016- 110. Следящий привод
Анализ зависимости времени пуска электродвигателя от величины пускового момента. Определение момента инерции системы. Снятие зависимости времени пуска от величины пускового момента. Осциллограмма переходного процесса для определения момента инерции.
лабораторная работа, добавлен 30.03.2021 Определение понятия и история открытия фотоэффекта Герцом, его развитие Гальваксом, Риги и Столетовым. Схема установки и принцип работы фотоэлементов. Основные законы фотоэффекта, принцип работы вакуумных и вентильных фотоэлементов и фоторезисторов.
презентация, добавлен 04.08.2014Оптические характеристики объемных и наноразмерных кристаллов. Методы выращивания кристаллов и получение полупроводниковых монокристаллов. Устройство сцинтилляционного болометра. Оптическое поглощение селенида цинка в зависимости от атмосферы отжига.
курсовая работа, добавлен 19.11.2011Устройство и принцип работы солнечной водонагревательной установки. Движение теплоносителя в циркуляционном контуре СВУ. Определение зависимости изменения температуры воды в баке в течение суток, толщины тепловой изоляции бака, экономии условного топлива.
контрольная работа, добавлен 29.01.2023Обзор физических основ работы полупроводниковых приборов. Исследование плотности дрейфового тока. Характеристика удельной электрической проводимости. Особенности механизма собственной электропроводности полупроводника. Определение диффузионного тока.
презентация, добавлен 29.08.2015Анализ длины волн рентгеновских линий. Определение отличительной особенности рентгеновских спектров по сравнению с оптическими. Изучение зависимости атомного номера от длины волны, а также зависимости эффективной длины волны от атомного номера элемента.
курс лекций, добавлен 09.10.2022Синхронизм противонаправленных волн - эффект электромагнитного кристалла. Схема нелинейной емкости с дополнительной цепью. Анализ частотной зависимости коэффициента замедления. Распределение модулей амплитуд волн в режиме генерации второй гармоники.
статья, добавлен 04.11.2018Изучение возможности детектирования теневых изображений объектов в рентгеновском диапазоне длин волн. Оценка контраста и изменения чувствительности электронного фотоприемника в зависимости от интенсивности рентгеновского излучения и времени ее накопления.
статья, добавлен 21.05.2017Наличие связи между фрагильностью и ангармонизмом колебаний решетки. Анализ температурной зависимости свободной энергии активации вязкого течения стеклообразующих жидкостей в области перехода жидкость-стекло. Образование флуктуационных "дырок" в стеклах.
автореферат, добавлен 22.05.2018Расчет схемы отпуска теплоты от сетевой установки в различных режимах: номинальный режим, работы сетевой установки и летний режим. Построение графиков зависимости тепловой нагрузки потребителя, температуры обратной и прямой сети и расхода сетевой воды.
курсовая работа, добавлен 20.05.2014- 120. Исследование электрического контактного сопротивления графита с медью и терморасширенным графитом
Разработка установки для измерения удельного электрического контактного сопротивления контактных пар различных материалов в зависимости от давления сжатия и температуры. Экспериментальные данные по удельному электрическому контактному сопротивлению.
статья, добавлен 27.07.2016 Классификация резисторов и требования, предъявляемые к ним. Электрические параметры полупроводниковых приборов. Основы конструкторских расчетов резисторов для интегральных микросборок. Правила проектирования топологии микросхем с изоляцией р-n-переходом.
курсовая работа, добавлен 31.10.2016Создание системы поддержания температурного режима прецизионных средств измерения, стандартов частоты и времени в ограниченном объеме. Принцип действия системы, основанный на алгоритме ПИД-регулирования. Результаты тестовой эксплуатации оборудования.
статья, добавлен 03.09.2021Рассчитаны зависимости критической температуры взрывного разложения PETN с наночастицами меди от радиуса наночастицы и длительности импульса 1 нс и 10 нс. Рассчитаны зависимости минимальной плотности энергии перехода реакции во взрывное разложение.
статья, добавлен 19.12.2017Классификация полупроводниковых материалов, их особенности и основные требования при применении. Собственная и примесная проводимость. Применение полупроводниковых материалов, приборы, основанные на их действии. Тепловые сопротивления, термоэлементы.
курсовая работа, добавлен 25.09.2014Изучение эффекта Холла и возникновения магнитосопротивления. Расчет абсолютной ошибки концентрации примесей. Нахождение относительной погрешности сопротивления образца в магнитном поле. Анализ зависимости подвижности носителей заряда от температуры.
отчет по практике, добавлен 10.05.2018