Исследование температурной зависимости полупроводниковых фоторезисторов
Описание лабораторной установки для исследования температурной зависимости фототока полупроводниковых фоторезисторов. Результаты измерений времени жизни неосновных носителей фототока проводимости в зависимости от температуры и частоты волн облучения.
Подобные документы
Определение ширины запрещенной зоны германия на основании измерений температурной зависимости электропроводимости. Вид лабораторной установки. Результаты измерений и вычислений. Зависимость электропроводимости материала от температуры. Пример расчетов.
лабораторная работа, добавлен 26.12.2014Определение электропроводности материалов. Зависимость концентрации собственных носителей от температуры. Описание лабораторной установки. Оценка электропроводности образца при всех температурах. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника.
лабораторная работа, добавлен 24.01.2017Основные методы измерения эффекта Холла, определение типа концентрации и подвижности носителей заряда в полупроводниковых образцах. Параметры легирующей примеси по температурной зависимости. Особенности эффекта в классически сильных магнитных полях.
лабораторная работа, добавлен 29.11.2010Расчет температурной зависимости концентрации равновесных носителей заряда в собственном проводнике, концентрации вырождения донорной примеси. Определение равновесной концентрации основных и неосновных носителей тока, толщины пространственного заряда.
курсовая работа, добавлен 18.12.2015Анализ туннельной плотности поверхностных состояний и проводимости поверхностной реконструкции Si(111)-7x7 образцов с величиной удельного сопротивления 1 Ωсм. Измерения температурной зависимости проводимости поверхности в диапазоне температур от 35-1
статья, добавлен 03.11.2018Особенности поведения температурной зависимости магнитосопротивления (МС) в многослойных системах. Исследования зависимости МС от температуры трехслойных пленок Co/Cu/Co c различной толщиной медной прослойки в температурном интервале от 150 до 700 К.
статья, добавлен 24.10.2010Особенности методики измерения температурной зависимости факторов эффективности поглощения тонкопроволочных платиновых болометров для Е- и Н-поляризаций излучения с учетом неравномерности распределения падающей интенсивности. Излучение неодимового лазера.
статья, добавлен 25.03.2016Описание установки для исследования спектров поглощения. Исследование с помощью установки и расчет зависимости коэффициента поглощения жидкости от длины волны по формуле. Сведение результатов измерений и расчета в таблицу. Построение графика зависимости.
лабораторная работа, добавлен 01.12.2015Экспериментальный метод определения диэлектрической проницаемости и тангенса угла потерь диэлектриков. Методика исследования зависимости этих характеристик от температуры для различных электроизоляционных материалов с различными видами поляризации.
методичка, добавлен 30.08.2017Открытие фотоэлектрического эффекта, законы и схема экспериментальной установки для его исследования. Уравнение Эйнштейна и объяснение красной границы. Измерение зависимости силы фототока от приложенного напряжения. Использование солнечных батарей.
презентация, добавлен 20.08.2014Понятие теплоемкости тела как количества теплоты, поглощенной телом при нагревании. Сложная линейная зависимость удельной теплоемкости алюминия от времени охлаждения испытуемого образца из алюминия и эталона из меди как результат измерений температуры.
лабораторная работа, добавлен 10.08.2013Энергетическая структура полупроводников. Квантовые точки, нити и ямы. Определение ширины запрещенной зоны из температурной зависимости электропроводности полупроводников. Исследование спектральной зависимости фоточувствительности полупроводников.
реферат, добавлен 26.10.2015Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения. Правила измерения интенсивности поглощенного излучения. Вычисление температурной зависимости электропроводности полупроводников и металлов. Расчет энергии упругости.
лабораторная работа, добавлен 19.12.2015Основное уравнение термодинамики и уравнение состояния системы. Особенности термодинамического потенциала кристалла при заданных отклонениях от симметричного состояния. Расчет температурной зависимости параметра порядка и зависимости энтропии кристалла.
контрольная работа, добавлен 29.08.2015Определение верхней температурной границы измерения теплопроводности графита в стационарном тепловом режиме при применении электрического тока в качестве источника нагрева. Исследование температурной зависимости удельного электрического сопротивления.
автореферат, добавлен 01.05.2018Исследование и оценка возможности замены скалярного значения температуры температурной функцией, которую можно преобразовать и представить в привычном скалярном виде. Сходство температурной функции с волновой. Рекомендации по практическому применению.
статья, добавлен 19.05.2013Теоретические принципы контактных явлений в полупроводниках. Строение полупроводниковых диодов, вольт-амперная характеристика. Туннельный, лавинный пробой. Биполярные, полевые транзисторы. Переключение тиристоров. Принцип действия фоторезисторов, лазеров.
курс лекций, добавлен 20.08.2017Описание математической модели, предложенной А. Эйнштейном для интерпретации экспериментальных зависимостей фотоэффекта. Характеристика зависимости фототока от интенсивности света. Математическая модель закона формирования спектров атомов и ионов.
лекция, добавлен 04.10.2015Некоторые свойства растворов. Причины повышения температуры кипения растворов. Эмпирический закон Бабо. Правило линейности физико-технических функций. Величина температурной депрессии. Свойства насыщенного водяного пара в зависимости от температуры.
лабораторная работа, добавлен 13.04.2011Анализ проблемы двойного бета распада. Исследование температурной зависимости формы импульса и светового выхода сцинтилляционных кристаллов СаМоО4. Расчет ожидаемой чувствительности эксперимента в зависимости от концентрации радиоактивных примесей.
автореферат, добавлен 10.10.2018Методы измерения проводимости и ее температурной зависимости. Исследование влияния адсорбированного кислорода на электрические свойства пленок производных фталоцианина. Модель многоуровневого прыжкового переноса электронов. Методика ионной имплантации.
автореферат, добавлен 19.08.2018Выявление основных областей использования полупроводниковых датчиков температуры в системах регулирования. Рассмотрение характеристики датчиков на основе диодов, транзисторов, терморезисторов, а также пленочных полупроводниковых датчиков температуры.
реферат, добавлен 16.05.2016- 23. Расчет параметров транзисторов в зависимости от режимов эксплуатации и их температурная зависимость
Анализ параметров транзистора в зависимости от параметров удельного сопротивления толщины эпитаксии. Технологические операции, связанные с получением монокристаллических полупроводниковых пластин. Причины возникновения точечных дефектов в кристаллах.
контрольная работа, добавлен 15.01.2016 Исследование эффектов слабой локализации и антилокализации, электрон-электронного воздействия. Анализ их роли в формировании температурных и магнитополевых зависимостей проводимости двумерных систем. Спектр носителей заряда в полупроводниковых системах.
автореферат, добавлен 29.03.2013- 25. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника по температурной зависимости обратного тока диода
Описание экспериментальной установки и методики эксперимента. Рассмотрение основных расчетных формул абсолютной погрешности косвенного измерения величины. Измерение ширины запрещённой зоны собственного полупроводника, из которого изготовлен диод.
лабораторная работа, добавлен 23.03.2014