Изучение метода изготовления биполярных интегральных микросхем с диэлектрической изоляцией
Метод диэлектрической изоляции. Комбинированная изоляция элементов интегральной микросхемы. Последовательность операций технологического процесса производства биполярных полупроводниковых интегральной микросхемы с диэлектрической изоляцией элементов.
Подобные документы
Создание интегральной микросхемы, её значение и применение. Описание и характеристика электрической принципиальной схемы. Сущность счётчика, его основные параметры. Расчет тепловых процессов и надежности устройства, разработка и компоновка печатной платы.
курсовая работа, добавлен 10.01.2016Интегральные микросхемы: основные понятия и определения. Технология изготовления аналого-цифровых микросхем. Назначение двухразрядного дешифратора (декодера). Построение его схемы. Синтез шифратора. Преобразователь кода для семисегментного индикатора.
контрольная работа, добавлен 22.05.2016Выбор принципа конструирования печатной платы и серии логических интегральных микросхем. Расчет теплового режима блока, параметров электрических соединений, надежности. Описание технологии изготовления печатной платы комбинированным позитивным методом.
курсовая работа, добавлен 05.06.2015Преимущества кабелей с теплостойкой экструдированной изоляцией (сшитый целофан, этилен-пропиленовая резина). Технические характеристики, конструкция силовых кабелей с алюминиевыми жилами, предназначенных для передачи и распределения электрической энергии.
реферат, добавлен 25.11.2013Проблема прогнозирования надежности радиоэлектронной аппаратуры. Анализ модели прогнозирования интенсивности отказов микросхем с точки зрения возможности разделения интенсивности отказов микросхемы на сумму напряженностей отречений кристалла и корпуса.
статья, добавлен 08.12.2018Системы автоматических гаражных ворот, их виды и назначение. Алгоритм и типовая схема системы управления автоматическими воротами, выбор интегральной микросхемы для устройства. Рекомендации по эксплуатации автоматических гаражных секционных ворот.
курсовая работа, добавлен 26.03.2015Функциональная и принципиальная схемы аналого-цифрового преобразователя. Расчет фильтров нижних частот. Выбор типа конвертора USВ и микросхемы гальванической изоляции. Моделирование схемы при помощи программных пакетов схемотехнического моделирования.
курсовая работа, добавлен 10.02.2019Описание конструкции одножильного кабеля из СПЭ на напряжение 10-35кВ. Технико-экономическое сравнение кабелей с бумажной и полиэтиленовой изоляцией одинакового сечения. Анализ эффективности использования технологии сшивки в среде нейтрального газа.
доклад, добавлен 20.05.2018Классификация интегральных тензопреобразователей давления. Изучение технологических этапов изготовления интегральных тензопреобразователей. Принципы размещения тензорезисторов на мембранах полупроводниковых интегральных тензопреобразователей давления.
курсовая работа, добавлен 30.07.2015Основные физические процессы биполярных транзисторов. Проведение исследования концентрации примеси в эмиттере и коллекторе. Изменение напряжений на коллекторном и эмиттерном переходах. Эквивалентная схема полупроводникового прибора для постоянного тока.
лекция, добавлен 23.09.2016Этапы проектирования интегральных схем. Элементарные функции алгебры логики. Представление логических функций в виде формул. Электрические параметры цифровых интегральных микросхем. Применение метода токовых графов для схемотехнического проектирования.
учебное пособие, добавлен 14.07.2016Четырёхзондовый метод измерения удельного поверхностного сопротивления полупроводниковых подложек и тонких плёнок. Определение типа проводимости полупроводниковых подложек на оборудовании. Расчет тонкопленочных резисторов гибридной интегральной схемы.
лабораторная работа, добавлен 26.03.2022Общие сведения о биполярных транзисторах как электропреобразовательных приборах, их классификация по мощности и частоте. Устройство, принцип действия и схемы включения транзисторов. Статические характеристики и схемы замещения биполярных транзисторов.
лекция, добавлен 26.09.2017Схемотехника усилительных каскадов на биполярных транзисторах, особенности их построения. Вычисления коэффициентов усиления, входного и выходного сопротивления. Типовые схемные решения усилительного каскада с общими эмиттером и базой, их анализ.
учебное пособие, добавлен 09.04.2015Физико-химические и технологические основы получения легированных анодных оксидных пленок кремния для создания элементов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Кинетика анодного окисления кремния и его соединений в легирующих электролитах.
автореферат, добавлен 30.01.2018Устройство плоскостного биполярного транзистора. Концентрация основных носителей заряда. Схемы включения биполярных транзисторов. Статические характеристики биполярных транзисторов. Простейший усилительный каскад. Режимы работы и область применения.
реферат, добавлен 23.08.2009- 117. Применение нелинейной линии передачи для уменьшения длительности сверхкороткого импульсного сигнала
Изучение метода уменьшения длительности сверхкороткого импульсного сигнала с помощью нелинейной линий передачи. Определение диэлектрической проницаемости вещества. Исследование разрешающей способности импульсной сверхширокополосной радиолокации.
статья, добавлен 02.04.2019 - 118. Применение метода токовых графов для схемотехнического проектирования цифровых интегральных схем
Исследование методики схемного проектирования цифровых интегральных схем с применением токовых графов. Преобразование логических функций. Токовый граф логического устройства и его электрическая принципиальная схема. Расчет напряжения питания микросхемы.
контрольная работа, добавлен 22.11.2010 Роль тонкопленочной технологии в производстве интегральных микросхем. Методы формирования тонких пленок: термического испарения в вакууме, ионного распыления, ионно-термического испарения. Характеристика и свойства тонкопленочных пассивных элементов.
курсовая работа, добавлен 17.01.2011Выбор и обоснование применяемых материалов и компонентов конструкции. Конструктивный расчет терморезистора и термонезависимого сопротивления. Разработка топологии кристалла. Разработка технологического процесса изготовления чувствительных элементов.
курсовая работа, добавлен 21.10.2012Понятие электродов биполярных транзисторов. Полярность напряжения на коллекторе относительно эмиттера необходимая для работы биполярных n-p-n транзисторов. Особенность выбора величины постоянного напряжения на коллекторе при резистивной нагрузке.
контрольная работа, добавлен 28.12.2014Функции, механические свойства и технические требования к подложкам интегральных микросхем. Определение суммарного припуска на механическую обработку и коэффициента использования материала. Ломка подложек на платы. Сущность процесса скрайбирования.
курсовая работа, добавлен 03.12.2010Общие сведения о транзисторах. Характеристика принципа работы биполярных транзисторов, особенности схемы их включения и разновидности. Биполярные транзисторы с изолированным затвором. Влияние частоты на усилительные свойства биполярных транзисторов.
реферат, добавлен 12.11.2013Исследование особенностей усилителей постоянного тока, предназначенных для усиления сигналов. Анализ элементов связи между усилителем, нагрузкой и источником входного сигнала. Изучение схемы простейшего балансного каскада на биполярных транзисторах.
лекция, добавлен 04.10.2013Сведения о продукции, выпускаемой предприятием. Общая схема технологии процесса изготовления изделия HV10. Теоретические основы метода выполнения диффузии, техника ее проведения и предъявляемые требования. Разработка магнитронного напыления алюминия.
отчет по практике, добавлен 08.08.2013