Провідність напівпровідників
Напівпровідник — матеріал, електропровідність якого має проміжне значення між провідностями провідника та діелектрика. Залежність провідності від тепла. Фактори, що впливають на провідність. Наведено приклади та початкові відомості про напівпровідники.
Подобные документы
Поняття провідності газів, процес іонізації та рекомбінації. Характеристика основних видів: електронно-іонний та без перенесення речовини. Сутність несамостійного газового розряду, її вольт-амперної характеристики. Плазма як частково іонізований газ.
презентация, добавлен 17.03.2013Ознайомлення з напівпровідниковими приладами, котрі застосовуються в різних галузях техніки. Аналіз вивчення напівпровідників у школі та розробка план-конспекту уроку на тему: "Електричний струм у напівпровідниках". Вивчення процесу дифузії зарядів.
курсовая работа, добавлен 08.11.2018Основна характеристика цілочислового квантового ефекту Холла. Особливість історії квантування холлівської провідності. Головний аналіз використання кванта електричного опору. Провідна сутність поперечної складової магнітопровідності у магнітному полі.
контрольная работа, добавлен 03.06.2015Електрофізичні властивості напівпровідників. Створення малогабаритної електронної апаратури. Електронно-дірковий перехід. Утворенні ковалентних зв’язків, відповідно вільних носіїв зарядів для здійснення провідності. Поняття про біполярні транзистори.
конспект урока, добавлен 03.04.2014Дослідження впливу короткосяжних кореляцій на енергетичний спектр одновимірних систем з іонним та протонним типами провідності. Аналіз перебудови енергетичного спектру при зміні температури. Опис ефектів, що мають місце в околі суперіонного переходу.
автореферат, добавлен 28.08.2015Електричне поле як особливий вид матерії, його головні характеристики та властивості, класифікація та різновиди. Електричний струм провідності як фізичне явище, умови та критерії виміру опору. Поняття та основні принципи функціонування магнітного поля.
курс лекций, добавлен 30.11.2013Визначення залежності питомого опору від стану речовини, температури, освітлення та домішок. Характеристика власної провідності напівпровідників. Сутність термо- та фоторезисторів. Тривалентні елементи періодичної системи, утворення ковалентного зв’язку.
презентация, добавлен 14.11.2013У статті приведено історичний огляд становлення науки про напівпровідники у першій половині ХХ ст. та внесок українських вчених в даний напрямок досліджень. Особлива увага приділена теоретичним та практичним розробкам Вадима Євгеновича Лашкарьова.
статья, добавлен 20.11.2021Поняття про поляризації гірської породи. Діелектричні втрати. Взаємодія електричних і магнітних полів з гірською породою. Провідність металів і напівпровідників. Виникнення механічних напружень в гірських породах під дією зовнішніх електричних полів.
лекция, добавлен 22.07.2017Стаціонарні розподіли рухомих позитивно заряджених іонів у кристалі CdS, що сформовані під дією електричного поля. Можливості керованого формування складних профілів провідності та фоточутливості. Побудування теорії перехідного процесу електродифузії.
автореферат, добавлен 23.11.2013Визначення температурних полів на бічних поверхнях циліндра і шару, які лежать на жорсткій основі з круговою виїмкою, у випадку ізотропних матеріалів. Дослідження впливу контактної провідності на розподіл температурних полів у зоні стику двох тіл.
статья, добавлен 29.01.2016Встановлення основних закономірностей впливу лазерних ударних хвиль на вузькощілинні напівпровідники та границі розділу на їх основі. Вивчення можливості управління дефектною структурою та цілеспрямованої модифікації властивостей цих напівпровідників.
автореферат, добавлен 25.06.2014Встановлення природи особливостей електронних властивостей кристалів та епітаксійних структур твердих розчинів вузькощілинного p-Hg1-xCdxTe в області домішкової та стрибкової провідності. Опис переходів Мотта й Андерсона у домішковій зоні цих кристалів.
автореферат, добавлен 27.04.2014- 39. Підвищення точності та швидкості вимірювання розподілу електричної провідності томографічним методом
Розроблення методів швидкого знаходження матриці чутливості без методичних похибок. Опрацювання способу зменшення впливу систематичних адитивних похибок на точність результатів вимірювання. Макетування електричної вимірювальної томографічної системи.
автореферат, добавлен 28.12.2015 Показано можливість комплексного дослідження електричних, оптичних та люмінесцентних характеристик широкозонних напівпровідників та діелектриків. Опис експериментальної комплексної установки для спектрально-люмінесцентних та опто-електричних досліджень.
статья, добавлен 29.09.2016Ознайомлення з одним із методів визначення ширини забороненої зони в напівпровідниках. Використання установки для вивчення температурної залежності електропровідності. Вимірювання опору напівпровідника мультиметром. Обробка експериментальних даних.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Електродинамічні властивості хвилеводних секцій, що реалізують падіння паралельно поляризованої хвилі на зразок під ковзними кутами. Вимірювання провідності надпровідників за допомогою вимірювання коефіцієнта відбиття паралельно до поляризованої хвилі.
автореферат, добавлен 14.09.2014Характеристики прямої й оберненої кристалічних ґраток. Властивості електронів. Ознайомлення з основами квантової теорії. Механізми коливання атомів. Види дефектів у напівпровідниках. Дифузійні і дрейфові струми. Електропровідність напівпровідників.
учебное пособие, добавлен 27.08.2015Дослідження структурно-фазового складу лінійних і нелінійних оптичних властивостей керамічних композитних матеріалів на основі SiC, AlN і Si3N4. Показники заломлення та поглинання, провідності композиту. Вивчення властивостей керамічних матеріалів.
автореферат, добавлен 07.08.2014Явища переносу в напівпровідниках. Кінетичне рівняння Больцмана. Температурна залежність рухливості носіїв. Ефект Холла в напівпровідниках. Електропровідність в сильних електричних полях. Взаємодія світла з речовиною. Оптичні характеристики кристалів.
методичка, добавлен 26.08.2013Створення фізичної і математичної моделі проходження електрона в зазорі між частинками наповнювача, аналіз контактної провідності. Розробка методу розрахунку електропровідності полімерних наноматеріалів з хаотичною структурою, який враховує кластерізацію.
автореферат, добавлен 26.08.2015Фотопровідність напівпровідників. Оптична генерація носіїв току. Характеристики і параметри напівпровідників: вольт-амперна, спектральна, енергетична, температурна, гранична. Фотодіоди з внутрішнім підсиленням. Застосування і перспективи фотоприймачів.
реферат, добавлен 19.02.2009Актуальність потреби у складних напівпровідникових системах. Переваги вузькощілинних напівмагнітних напівпровідників. Ефективність цих напівпровідників для практичного використання як матеріалів для фотоприймачів спектрального діапазону 0.9-1.5 мкм.
автореферат, добавлен 12.02.2014Ознайомлення з методами визначення концентрації вільних носіїв струму в напівпровідниках та встановлення їх природи. Вимірювання холлівського струму для різних значень струму через напівпровідник. Розрахунок питомої електропровідності напівпровідника.
лабораторная работа, добавлен 13.07.2017Аналіз оптичних, електричних і структурних властивостей широкозонних шарів. Особливості механізмів випромінювальної рекомбінації у тонких шарах широкозонних напівпровідників, зумовлених енергетичною структурою дозволених зон та дефектної підсистеми.
автореферат, добавлен 29.09.2015