Провідність напівпровідників
Напівпровідник — матеріал, електропровідність якого має проміжне значення між провідностями провідника та діелектрика. Залежність провідності від тепла. Фактори, що впливають на провідність. Наведено приклади та початкові відомості про напівпровідники.
Подобные документы
Способи створення омічних і випростовуючих контактів, параметри та властивості базових підкладинок. Особливості міжзонної та екситонної рекомбінації у дифузійних шарах II-VI напівпровідників. Випромінювальна рекомбінація простих та асоціативних центрів.
автореферат, добавлен 29.09.2014Аналіз особливостей дефектоутворення в базових областях інфрачервоних пристроїв під дією іонізуючого випромінювання. Дослідження характеру протікання фотоелектричних процесів у реальних базових кристалах вузькощілинних напівпровідників із дефектами.
автореферат, добавлен 25.04.2014Дослідження особливостей механізмів тензорезистивних ефектів у деформованих кристалах кремнію й германія n-типу провідності. Розробка методів визначення фізичних механізмів тензоефектів у сильно деформованих кристалах багатодолинних напівпровідників.
автореферат, добавлен 25.08.2014Дослідження релаксації фотофізичних властивостей в плівках аморфних органічних напівпровідникових полімерів. Встановлення спектроскопії інфрачервоного поглинання, змін коливної структури аморфних молекулярних напівпровідників та допуючих їх фулеренів С60.
автореферат, добавлен 29.08.2015Вирішення проблеми зв’язку між структурними і оптичними властивостями низькорозмірних структур на основі напівпровідників. Закономірності латерального впорядкування квантових точок (наноострівців) отриманих на основі самоорганізації у гетероструктурах.
автореферат, добавлен 29.08.2014Розрахунок пропускання світла у напівпровідник в залежності від параметрів поверхневої провідної плівки і статистичних характеристик шорсткостей поверхні. Вплив різних хімічних обробок на оптичні і електронні властивості поверхнево-бар'єрної структури.
автореферат, добавлен 28.09.2015Фізико-технологічні дослідження напівпровідникових матеріалів та систем інфрачервоної мікрофотоелектроніки. Розробка фізичних основ створення інфрачервоних фоточутливих наноструктур основі вузькощілиннх напівпровідників, їх значення та обґрунтування.
автореферат, добавлен 29.08.2014Вивчення впливу одновісної пружної деформації на фотоелектричні властивості та рекомбінаційні механізми вузькозонних напівпровідників CdxHg1-xTe та InSb. Процес генерації стимульованого випромінювання. Ударна іонізація напівпровідників електричним полем.
автореферат, добавлен 25.06.2014Властивості, структура та застосування діодів Шотткі. Формування контакту метал/напівпровідник. Вакуумні, хімічні і електрохімічні методи осадження металів на поверхню напівпровідників. Розрахунок залежності вольт-амперної характеристики ідеального діода.
курсовая работа, добавлен 29.11.2017Властивості діодів Шотткі, їх структура. Властивості і методи вимірювання контактів метал/напівпровідник. Вольтамперна характеристика ідеального контакту. Вакуумні методи осадження металів на поверхню напівпровідників. Фізичні принципи осадження шарів.
курсовая работа, добавлен 13.02.2016Механізми впливу мікрорельєфу поверхні напівпровідників на внутрішній фотоефект в контакті метал-напівпровідник в області зона-зонної фотогенерації носіїв струму, за умов внутрішньої фотоемісії в контакті, при збудженні поверхневих плазмових поляритонів.
автореферат, добавлен 23.02.2014Установка для вивчення температурної залежності електропровідності напівпровідників. Ознайомлення з одним із методів визначення ширини забороненої зони в напівпровідниках. Формула енергії активації. Коефіцієнт температурної чутливості терморезистора.
лабораторная работа, добавлен 09.07.2017Розробка моделі сенсору теплового випромінювання на основі структури метал-піроелектрик-напівпровідник з від’ємним опором. Статична метрологічна характеристика, залежність функції перетворення від температури, зміна вихідної напруги пристрою з часом.
статья, добавлен 28.02.2017Визначення залежності термоелектрорушійної сили від різниці температур металевих контактів і величини коефіцієнта опору провідника. Концентрація вільних носіїв заряду в напівпровідниковому монокристалі. Методи визначення величин похибок при вимірюванні.
методичка, добавлен 23.07.2017Втрати в деталях з магнітних матеріалів. Віддача тепла нагрітим тілом. Нагрівання, охолодження однорідного провідника в часі за тривалого режиму роботи. Нагрівання ізольованих провідників. Передача тепла через плоску стінку. Tepмічнa стійкість апаратів.
реферат, добавлен 02.02.2018Дослідження електропровідності провідника з поперечним перерізом. Визначення основних фізичних явищ надпровідності. Особливість руху носіїв зарядів. Головна характеристика електронно-діркового переходу. Сутність і види напівпровідникових діодів.
реферат, добавлен 23.10.2020- 67. Взаємодія електромагнітних хвиль з активними хвилями в періодичних напівпровідникових структурах
Дослідження властивостей повільних поверхневих власних хвиль структури, утвореної однорідним плазмоподібним напівпростором та шарувато-періодичним середовищем (шарами напівпровідника та діелектрика). Взаємодія власних та кінетичних хвиль у напівпросторі.
автореферат, добавлен 02.08.2014 - 68. Високочастотні явища у двошарових двовимірних електронних системах у квантуючому магнітному полі
Енергетичний спектр електронів у несиметричній двошаровій двовимірній електронній системі і його вплив на холловську провідність цієї напівпровідникової структури. Особливості квантування коефіцієнтів сповільнення та загасання поверхневих поляритонів.
автореферат, добавлен 18.11.2013 Інформація про електронні процеси й взаємодії, які формують нормальну та надпровідну фази в мідно-оксидних високотемпературних надпровідників. Процеси флуктуаційного спарювання та квазічастинкової взаємодії в системах із сильними електронними кореляціями.
автореферат, добавлен 29.09.2014Фізичні закономірності проходження динамічних фазових переходів і флуктуаційної аномалій в монокристалах (Re=Y, Но). Особливості структурної анізотропії дефектів кристалічної решітки у високотемпературних надпровідних сполуках системи 1-2-3.
автореферат, добавлен 14.08.2015Лазери з посилюючим середовищем на основі напівпровідників, де генерація відбувається за рахунок вимушеного випромінювання фотонів. Міжзонний оптичний перехід в напівпровідниках. Використання оптичного або електронно-променевого накачування лазера.
контрольная работа, добавлен 15.05.2014Аналіз кристалічної структури, електронних і коливальних спектрів конденсованих плівок С60, легованих молекулами кисню і атомами міді. Вплив радіаційних пошкоджень на розсіяння світла, фотолюмінесценцію і оптичну провідність плівок молекул фулеренів.
автореферат, добавлен 29.07.2014Будова, структура та склад напівпровідників. Послідовність операцій при вирощуванні монокристалів. Аналіз методу бестигельно-зонної плавки. Особливість створення інфрачервоних напівпровідникових лазерів і високоефективних термоелектричних перетворювачів.
реферат, добавлен 08.12.2015Закономірності транспорту заряду та зміни оптичних характеристик у напівпровідникових матеріалах. Спряжені поліарилени під дією зовнішніх факторів – температури, електричного поля, протонного та акцепторного легування. Спряжені поліарилени у пристроях.
автореферат, добавлен 28.07.2014Особливості фотовольтаїчних властивостей та методи оптимізації фоточутливості анізотипних органічних гетероструктурах, встановлення зв'язку енергетичної структури з експериментальними значеннями фото-ерс. Оцінка можливості використання цих структур.
автореферат, добавлен 29.08.2015