Механизм электрической проводимости полупроводников
Описание физических свойств, применения, оптики и легирования полупроводников. Изучение состава полупроводникового устройства транзистора, электронно-дырочного механизма проводимости. Анализ зависимости подвижности электронов и дырок от их концентрации.
Подобные документы
Принцип действия защитного устройства для приборов. Закон полноты частей системы, энергетической и информационной проводимости, согласования-рассогласования, увеличения степени идеальности, повышения динамичности и управляемости, перехода на микроуровень.
курсовая работа, добавлен 18.01.2013- 77. Математическая модель электрохимического датчика растворённого кислорода на основе МДП-транзистора
Разработка конструкции и математической модели электрохимического датчика растворённого кислорода на основе полевого транзистора с изолированным затвором. Основные недостатки применения ионоселективных электродов для определения концентрации веществ.
статья, добавлен 27.05.2018 Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Характеристики и параметры биполярного транзистора в режиме малых сигналов. Зависимости коэффициентов статического и динамического усиления по току от коллекторного тока для маломощного транзистора.
реферат, добавлен 21.02.2015Полупроводниковые технологии и современные интегральные микросхемы. Изучение закона Мура. Схема традиционного планарного транзистора. Структура терагерцевого транзистора. Бесконтактная диагностика микросхем. Аспекты развития микропроцессорной техники.
реферат, добавлен 15.11.2012Теоретическое обоснование, разработка и описание функциональной электрической схемы устройства управления с жёсткой логикой с помощью универсального регистра, дешифратора и недвоичного счётчика. Расчет быстродействия устройства и потребляемой мощности.
курсовая работа, добавлен 05.06.2009Расчет выходного усилительного каскада передатчика, коллекторной цепи транзистора, входной цепи. Амплитуда тока базы. Элементы эквивалентной схемы. Резистивная и реактивная составляющая входного сопротивления транзистора. Усиление транзистора по мощности.
курсовая работа, добавлен 16.12.2012Определение понятия сети и каналов связи. Оборудование, периферийные устройства и информационные ресурсы сетей электронно-вычислительных машин. Анализ архитектуры вычислительных сетей. Описание уровней модели OSI. Понятие протокола и стеков протоколов.
шпаргалка, добавлен 19.04.2016Существенное изменение динамических свойств системы электропривода. Электромагнитные переходные процессы в цепи "преобразователь—двигатель". Расчет пределов изменения углов проводимости тиристоров. Объект управления в контуре регулирования тока.
статья, добавлен 01.07.2018Построение электрического эквивалента нагрузки. Зависимость проводимости от частоты. Расчет квазиполосовой согласующей цепи. Коэффициент трансформации цепи. Величина полосовой добротности нагрузки. Потенциальные возможности оптимальной согласующей цепи.
контрольная работа, добавлен 23.11.2015Описание структуры кристалла. Электронный тип проводимости. Выбор конструкции элементов схемы, описание методики расчёта выбранных элементов. Расчет реальной длины резистора на кристалле, минимальной толщины диэлектрика. Параметры интегрального резистора.
курсовая работа, добавлен 03.04.2019Анализ полупроводниковых двумерных систем. Динамика проявления DХ-фактора в явлениях переноса в параметрической связи с температурой. Изучение электрополевого гистерезиса вольтамперной характеристики латеральной проводимости одиночного гетероперехода.
статья, добавлен 04.11.2018Физика работы транзистора. Параметры биполярного транзистора. Технология диффузионных процессов для легирования эмиттерной области. Метод тройной диффузии. Параметры диффузионных процессов. Эпитаксиальные процессы для формирования базовой области.
курсовая работа, добавлен 21.12.2012- 88. О радиолокации
Общая характеристика радиолокации как области науки и техники, занимающаяся определением местоположения объектов при помощи радио. Изучение свойств радиоволн и особенностей их отражения поверхностями. Описание устройства радиолокатора и его применения.
презентация, добавлен 13.04.2012 Исследование механизма внутренней электротермической деградации волоконно-оптического кабеля. Регистрация изменений проводимости внутренних компонентов ВОК, влияние воздействия переменного электромагнитного поля высокой напряжённости на их закономерность.
статья, добавлен 30.05.2017Технические требования, предъявляемые к элементной базе арифметико-логического устройства. Разработка схемы электрической структурной. Описание работы схемы электрической принципиальной проектируемого узла. Расчет потребляемой мощности и блока питания.
курсовая работа, добавлен 08.06.2016Физические процессы в базе дрейфового транзистора при низком уровне инжекции. Влияние неравномерного распределения примесей в базе на концентрацию и движение электронов. Определение параметров аппроксимации электрического заряда. Скорость передачи тока.
реферат, добавлен 21.03.2015История развития и физические основы полупроводниковых приборов. Электронно-дырочный переход. История создания диодов. Ламповые диоды. Диодные выпрямители и детекторы. Три схемы включения биполярного транзистора. Устройство и принцип работы динистора.
реферат, добавлен 15.04.2010Назначение, устройство, система обозначения и способы изготовления транзисторов. Получение электронно-дырочных переходов в полупроводниковом приборе. Особенности биполярного низкочастотного транзистора NPN. Его техническая спецификация и сфера применения.
реферат, добавлен 16.06.2014Получение выражений для определения максимального динамического блокирующего напряжения мощного биполярного транзистора с трехслойным коллектором. Механизм тепловой неустойчивости развития вторичного пробоя при переключении транзистора в режим насыщения.
статья, добавлен 20.08.2013Разработка полупроводниковых приборов. Изучение Лосевым основ искровых передатчиков и тонкостей радиодела, кристаллических детекторов. Факторы, повлиявшие на выбор места для будущего центра исследований. Квантовая теория строения полупроводников.
реферат, добавлен 17.01.2015Основные области применения транзисторов. Схема лабораторного источника питания. Включение биполярного транзистора в ключевом режиме. Переделка узла управления для устройства плавного включения ламп накаливания. Схемы базовых элементов ТТЛ и КМОП.
доклад, добавлен 29.08.2013Принцип работы заданной функциональной электрической схемы устройства. Теоретическое обоснование и логическое проектирование узлов. Анализ и выбор элементной базы. Описание принципиальной электрической схемы. Расчет быстродействия и потребляемой мощности.
курсовая работа, добавлен 22.04.2013Электронные, дырочные и вырожденные полупроводники, образование p-n-перехода. Характеристика обращенного диода. Методы изготовления туннельного диода, анализ зависимости его основных параметров от температуры и свойств полупроводникового материала.
реферат, добавлен 07.06.2010Механизм образования и электрическое поле в p-n переходе. Расчет контактной разности потенциалов и максимального электрического поля кремниевого p-n перехода. Расчет зависимости коэффициента передачи тока кремниевого p-n-p транзистора от напряжения.
курсовая работа, добавлен 18.10.2014Понятие микроканальной пластины, стадии формирования резистивно-эмиссионного слоя. Описание термовакуумного обезгаживания, применение фотонной обработки с использованием ультрафиолетового излучения. Изменение тока проводимости микроканальной пластины.
статья, добавлен 28.05.2017