Механизм электрической проводимости полупроводников
Описание физических свойств, применения, оптики и легирования полупроводников. Изучение состава полупроводникового устройства транзистора, электронно-дырочного механизма проводимости. Анализ зависимости подвижности электронов и дырок от их концентрации.
Подобные документы
Биполярные и униполярные (полевые) транзисторы - базовые элементы большинства полупроводниковых интегральных схем. Изучение основных технологические процессов для формирования полупроводниковых структур. Локальное изменение типа проводимости кремния.
презентация, добавлен 01.03.2023Описание схемы биполярного транзистора с эмиттером и экспериментальное определение его вольт-амперных характеристик при нормальной и повышенной температуре. Измерение показателей и построение графиков входных и выходных параметров биполярного транзистора.
лабораторная работа, добавлен 21.07.2013Область применения устройства измерения емкости аккумулятора, выполненного на базе микроконтроллера PIC. Разработка алгоритма работы, монтажной схемы печатной платы. Расчёт надежности разработанной принципиальной электрической схемы устройства.
курсовая работа, добавлен 13.06.2017- 104. Конструирование СВТ
Область применения арифметического устройства для выполнения операций сложения и вычитания десятичных чисел. Описание электрической структурной схемы арифметического устройства для выполнения сложения и вычитания десятичных чисел и алгоритм работы.
курсовая работа, добавлен 21.06.2008 Контакты с участием полупроводниковых материалов. Средства управления потоками носителей в полупроводниках, применяемые при проектировании и изготовлении диодов и в частности – диодов Шоттки. Эффект поля и поверхностная концентрация электронов и дырок.
курсовая работа, добавлен 08.10.2017Движение электронов в вакууме в режиме объемного заряда. Электронно-оптические системы электронно-лучевых приборов. Газоразрядные приборы, основанные на использовании излучения плазмы. Физические основы полупроводниковых приборов. Квантовая электроника.
учебное пособие, добавлен 06.09.2017Поток электронов через туннельный переход в структуре нормальный металл-изолятор-сверхпроводник. Диаграмма энергетических уровней в переходе микрохолодильника. Нанохолодильник на основе Кулоновского барьера, кулер в виде одноэлектронного транзистора.
реферат, добавлен 21.09.2018- 108. Электронные приборы
Электропроводность полупроводников, определение и специфика плотности дрейфового тока. Параллельное соединение диодов, характеристика и предназначение стабилитронов, стабисторов. Транзисторы, управляемые с помощью p-n перехода или барьера Шоттки.
курс лекций, добавлен 02.10.2016 Применение различных типов материалов в качестве теплопроводящего слоя в месте контакта металлического основания транзистора и охлаждающего основания платы. Влияние применение материала на параметры уровня выходной мощности LDMOS-транзистора BLF578XR.
статья, добавлен 23.03.2018Обзор аналогового перемножителя сигналов. Разработка структурной схемы устройства и описание его работы. Разработка и расчет схемы электрической принципиальной, проектирование блока питания. Анализ погрешностей устройства и способов их уменьшения.
дипломная работа, добавлен 08.05.2015Характеристика полупроводниковых приборов. Принцип работы биполярного транзистора, полевого транзистора и тиристора. Исследование усилительных каскадов на биполярном транзисторе. Свойства, амплитудные и частотные характеристики трехкаскадного усилителя.
учебное пособие, добавлен 18.04.2016Изучение уравнений, описывающих электронно-волновое взаимодействие. Проведение исследования метода эквивалентных цепочек. Особенность получения дисперсионных характеристик петляющего волновода и зависимости коэффициента связи от сопротивления связи.
дипломная работа, добавлен 04.12.2019- 113. Полупроводники
Сущность понятий "проводник", "диэлектрик" и "полупроводник". Собственная и примесная электрическая проводимость. Контакт двух полупроводников. Вольтамперная характеристика диода. Однополупериодное, двухпериодное выпрямление переменного тока, светодиоды.
презентация, добавлен 24.12.2012 Изучение приемов моделирования и построения функциональных схем цифровых устройств по логическим выражениям. Составление таблицы минтермов. Анализ электрической схемы комбинационного устройства на ТТL элементах. Определение задержки выходного сигнала.
лабораторная работа, добавлен 15.01.2020Кодирование чисел с помощью электронно-вычислительных машин. Виды преобразователей кодов. Дешифраторы в системах цифровой индикации. Основные параметры серии микросхем на основе ТТЛШ технологий. Расчет электрической принципиальной схемы устройства.
контрольная работа, добавлен 10.12.2013Особенности применения латуни в электротехнике. Краткая описание технологические виды цементации и термическая обработка после цементации. Описание основных свойств и состава пластмасс. Асбест и материалы на его основе. Обмоточные провода, их назначение.
курс лекций, добавлен 21.10.2008Изучение схемы включения и исследование статических характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Описание структуры и расчет стоковых и передаточных параметров транзистора. Сигнальные параметры и дифференциальное сопротивление стока.
лабораторная работа, добавлен 21.07.2013Сферы применения усилительных приборов. Виды мощностей электронных устройств. Построение принципиальной электрической схемы операционного каскада. Выходные характеристики транзистора. Расчет инвертора переменного тока. Логические функции усилителя.
реферат, добавлен 10.01.2015Описание метода контроля параметров электроакустических преобразователей пьезоэлектрического типа в составе акустических антенных решеток по электрическим измерениям. Определение интеграла (площади под кривой) от активной составляющей проводимости.
статья, добавлен 29.07.2017Экспериментальное определение параметров транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Использование эквивалентных схем, основанных на представлении транзистора как активного линейного четырехполюсника. Измерение напряжения коллектора транзистора.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012- 121. Строение микросхем
Общие сведения о микросхемах и технологии и укрупненная схема технологического процесса изготовления полупроводниковых интегральных схем. Изготовление монокристалла из полупроводников. Схема установки для выращивания кристаллов по методу Чохральского.
реферат, добавлен 12.01.2013 Определение зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты. Выходные характеристики полевого транзистора. Зависимость дифференциальных параметров. Особенности процесса построения временной диаграммы переменного тока коллектора.
контрольная работа, добавлен 22.10.2017Рассмотрение электрической схемы усилителя с общим эмиттером. Изучение и характеристика особенностей структуры составного транзистора Дарлингтона. Исследование и анализ схемы емкостного микрофона. Расчет выходных параметров каскада с общим коллектором.
курсовая работа, добавлен 25.10.2015Основные этапы расчета на электронно-вычислительной машине сложной электрической цепи с нелинейным резистивным двухполюсником. Рекомендации и описание программного обеспечения, разработанные для расчета электрических схем с помощью пакета MathCad.
учебное пособие, добавлен 07.08.2013Причины потери и современные способы восстановления слуха. Анализ текущего состояния производства слуховых аппаратов, их виды, характеристики и особенности применения. Основные электроакустические параметры программируемых цифровых слуховых устройств.
статья, добавлен 28.01.2022