Механизм электрической проводимости полупроводников

Описание физических свойств, применения, оптики и легирования полупроводников. Изучение состава полупроводникового устройства транзистора, электронно-дырочного механизма проводимости. Анализ зависимости подвижности электронов и дырок от их концентрации.

Подобные документы

  • Биполярные и униполярные (полевые) транзисторы - базовые элементы большинства полупроводниковых интегральных схем. Изучение основных технологические процессов для формирования полупроводниковых структур. Локальное изменение типа проводимости кремния.

    презентация, добавлен 01.03.2023

  • Описание схемы биполярного транзистора с эмиттером и экспериментальное определение его вольт-амперных характеристик при нормальной и повышенной температуре. Измерение показателей и построение графиков входных и выходных параметров биполярного транзистора.

    лабораторная работа, добавлен 21.07.2013

  • Область применения устройства измерения емкости аккумулятора, выполненного на базе микроконтроллера PIC. Разработка алгоритма работы, монтажной схемы печатной платы. Расчёт надежности разработанной принципиальной электрической схемы устройства.

    курсовая работа, добавлен 13.06.2017

  • Область применения арифметического устройства для выполнения операций сложения и вычитания десятичных чисел. Описание электрической структурной схемы арифметического устройства для выполнения сложения и вычитания десятичных чисел и алгоритм работы.

    курсовая работа, добавлен 21.06.2008

  • Контакты с участием полупроводниковых материалов. Средства управления потоками носителей в полупроводниках, применяемые при проектировании и изготовлении диодов и в частности – диодов Шоттки. Эффект поля и поверхностная концентрация электронов и дырок.

    курсовая работа, добавлен 08.10.2017

  • Движение электронов в вакууме в режиме объемного заряда. Электронно-оптические системы электронно-лучевых приборов. Газоразрядные приборы, основанные на использовании излучения плазмы. Физические основы полупроводниковых приборов. Квантовая электроника.

    учебное пособие, добавлен 06.09.2017

  • Поток электронов через туннельный переход в структуре нормальный металл-изолятор-сверхпроводник. Диаграмма энергетических уровней в переходе микрохолодильника. Нанохолодильник на основе Кулоновского барьера, кулер в виде одноэлектронного транзистора.

    реферат, добавлен 21.09.2018

  • Электропроводность полупроводников, определение и специфика плотности дрейфового тока. Параллельное соединение диодов, характеристика и предназначение стабилитронов, стабисторов. Транзисторы, управляемые с помощью p-n перехода или барьера Шоттки.

    курс лекций, добавлен 02.10.2016

  • Применение различных типов материалов в качестве теплопроводящего слоя в месте контакта металлического основания транзистора и охлаждающего основания платы. Влияние применение материала на параметры уровня выходной мощности LDMOS-транзистора BLF578XR.

    статья, добавлен 23.03.2018

  • Обзор аналогового перемножителя сигналов. Разработка структурной схемы устройства и описание его работы. Разработка и расчет схемы электрической принципиальной, проектирование блока питания. Анализ погрешностей устройства и способов их уменьшения.

    дипломная работа, добавлен 08.05.2015

  • Характеристика полупроводниковых приборов. Принцип работы биполярного транзистора, полевого транзистора и тиристора. Исследование усилительных каскадов на биполярном транзисторе. Свойства, амплитудные и частотные характеристики трехкаскадного усилителя.

    учебное пособие, добавлен 18.04.2016

  • Изучение уравнений, описывающих электронно-волновое взаимодействие. Проведение исследования метода эквивалентных цепочек. Особенность получения дисперсионных характеристик петляющего волновода и зависимости коэффициента связи от сопротивления связи.

    дипломная работа, добавлен 04.12.2019

  • Сущность понятий "проводник", "диэлектрик" и "полупроводник". Собственная и примесная электрическая проводимость. Контакт двух полупроводников. Вольтамперная характеристика диода. Однополупериодное, двухпериодное выпрямление переменного тока, светодиоды.

    презентация, добавлен 24.12.2012

  • Изучение приемов моделирования и построения функциональных схем цифровых устройств по логическим выражениям. Составление таблицы минтермов. Анализ электрической схемы комбинационного устройства на ТТL элементах. Определение задержки выходного сигнала.

    лабораторная работа, добавлен 15.01.2020

  • Кодирование чисел с помощью электронно-вычислительных машин. Виды преобразователей кодов. Дешифраторы в системах цифровой индикации. Основные параметры серии микросхем на основе ТТЛШ технологий. Расчет электрической принципиальной схемы устройства.

    контрольная работа, добавлен 10.12.2013

  • Особенности применения латуни в электротехнике. Краткая описание технологические виды цементации и термическая обработка после цементации. Описание основных свойств и состава пластмасс. Асбест и материалы на его основе. Обмоточные провода, их назначение.

    курс лекций, добавлен 21.10.2008

  • Изучение схемы включения и исследование статических характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Описание структуры и расчет стоковых и передаточных параметров транзистора. Сигнальные параметры и дифференциальное сопротивление стока.

    лабораторная работа, добавлен 21.07.2013

  • Сферы применения усилительных приборов. Виды мощностей электронных устройств. Построение принципиальной электрической схемы операционного каскада. Выходные характеристики транзистора. Расчет инвертора переменного тока. Логические функции усилителя.

    реферат, добавлен 10.01.2015

  • Описание метода контроля параметров электроакустических преобразователей пьезоэлектрического типа в составе акустических антенных решеток по электрическим измерениям. Определение интеграла (площади под кривой) от активной составляющей проводимости.

    статья, добавлен 29.07.2017

  • Экспериментальное определение параметров транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Использование эквивалентных схем, основанных на представлении транзистора как активного линейного четырехполюсника. Измерение напряжения коллектора транзистора.

    лабораторная работа, добавлен 22.10.2012

  • Общие сведения о микросхемах и технологии и укрупненная схема технологического процесса изготовления полупроводниковых интегральных схем. Изготовление монокристалла из полупроводников. Схема установки для выращивания кристаллов по методу Чохральского.

    реферат, добавлен 12.01.2013

  • Определение зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты. Выходные характеристики полевого транзистора. Зависимость дифференциальных параметров. Особенности процесса построения временной диаграммы переменного тока коллектора.

    контрольная работа, добавлен 22.10.2017

  • Рассмотрение электрической схемы усилителя с общим эмиттером. Изучение и характеристика особенностей структуры составного транзистора Дарлингтона. Исследование и анализ схемы емкостного микрофона. Расчет выходных параметров каскада с общим коллектором.

    курсовая работа, добавлен 25.10.2015

  • Основные этапы расчета на электронно-вычислительной машине сложной электрической цепи с нелинейным резистивным двухполюсником. Рекомендации и описание программного обеспечения, разработанные для расчета электрических схем с помощью пакета MathCad.

    учебное пособие, добавлен 07.08.2013

  • Причины потери и современные способы восстановления слуха. Анализ текущего состояния производства слуховых аппаратов, их виды, характеристики и особенности применения. Основные электроакустические параметры программируемых цифровых слуховых устройств.

    статья, добавлен 28.01.2022

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.