Исследование полупроводниковых диодов
Свойства германиевого и кремниевого выпрямительных полупроводниковых диодов при изменении температуры окружающей среды, измерение их вольт-амперных характеристик. Параметры стабилитрона и туннельного диода, анализ уровня напряжения в электрических схемах.
Подобные документы
Выбор метода формирования липосомальных контейнеров со встроенными в них полупроводниковыми наночастицами, обеспечивающего минимальный разброс значений диаметра липосомальных контейнеров. Измерение геометрических свойств полупроводниковых наночастиц.
дипломная работа, добавлен 30.08.2016Анализ параметров идеализированного кремниевого диода, определение его дифференциального сопротивления, построение графика силы тока и прямого напряжения. Принципиальная схема усилителя транзистора с резисторной нагрузкой, расчет его входной мощности.
контрольная работа, добавлен 27.02.2015Общая характеристика полупроводниковых материалов, характеризующихся значениями электропроводности, промежуточными между электропроводностью металлов и диэлектриков. Наиболее распространенный способ получения монокристаллов полупроводниковых материалов.
курсовая работа, добавлен 13.10.2016Сущность электронно-дырочного перехода, динамическое равновесие процессов диффузии. Понятие теплового и электрического пробоя. Типы электропреобразовательных полупроводниковых диодов, их применение в технике. Характеристика варикапов, их применение.
контрольная работа, добавлен 15.10.2014Разработка электротепловых моделей силовых полупроводниковых приборов (СПП) различных конструкций корпусов и моделей их группового соединения. Основные технические средства для определения электрических и тепловых параметров и характеристик СПП.
автореферат, добавлен 13.04.2018Рассмотрение физических основ электропроводности полупроводников. Характеристика силовых диодов. Определение особенностей лавинных диодов и стабилитронов. Изучение динамического режима работы транзисторов. Исследование общих сведений о тиристорах.
курс лекций, добавлен 28.08.2017Описание лабораторной установки для исследования температурной зависимости фототока полупроводниковых фоторезисторов. Результаты измерений времени жизни неосновных носителей фототока проводимости в зависимости от температуры и частоты волн облучения.
статья, добавлен 29.04.2019Сущность стабилитронов, принцип их действия и основные параметры. Вольтамперная характеристика стабилитрона. Принцип действия однотактного выпрямителя с помощью временных графиков напряжения. Схема реле времени. Расчет напряжения на коллекторе, его ток.
контрольная работа, добавлен 25.09.2011Классификация резисторов и требования, предъявляемые к ним. Электрические параметры полупроводниковых приборов. Основы конструкторских расчетов резисторов для интегральных микросборок. Правила проектирования топологии микросхем с изоляцией р-n-переходом.
курсовая работа, добавлен 31.10.2016Принципы работы параметрических стабилизаторов напряжения, описание и специфика их действия. Измерение характеристик компенсационного стабилизатора постоянного напряжения, описание условий его эксплуатации. Понятие, особенности и применение стабилитрона.
лабораторная работа, добавлен 10.09.2015Физика работы светоизлучающих диодов на основе нанопроводов ZnO. Излучательная рекомбинация в объеме материала. Внутренний и внешний квантовый выход излучения. Методы получения полупроводниковых наноструктур. Технология формирования плёнок оксида цинка.
дипломная работа, добавлен 12.11.2014Обоснование и разработка методов расчета электрических схем цепочного типа с одним источником питания. Формирование аналитических выражений вольт-амперных характеристик участков цепи с источниками питания. Определение токов и напряжений на участках цепи.
статья, добавлен 01.07.2018Общее понятие и классификация диодов. Структура и схемы включения диода во внешнюю электрическую цепь. Схема электрическая принципиальная однофазных двух полупериодных выпрямителей. Характеристика и график зависимости параметрического стабилизатора.
лекция, добавлен 02.08.2013Задание физических характеристик нелинейных элементов при расчете электрических цепей. Графическая диаграмма вольт-амперной характеристики полупроводникового диода. Использование нелинейных свойств элементов электрических цепей в радиоэлектронике.
лекция, добавлен 23.07.2013- 65. Типы диодов
Сущностная характеристика и устройство туннельных диодов. Возможности использования прибора для генерирования и усиления колебаний, преобразования сигналов и переключения. Обращенные и металлополупроводниковые диоды: общие сведения и особенности.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013 Выбор и обоснование выпрямительной схемы. Расчет напряжения, токов и мощности трансформатора. Подбор типа диодов и разработка соединения плеч преобразователя. Исследование внешних характеристик агрегата, коммутации, защиты и аварийных режимов работы.
курсовая работа, добавлен 13.05.2015Представлена математическая модель прямой ветви вольтамперной характеристики лазерного диода на основе AlGaAs с раздельным ограничением и квантоворазмерной активной областью. Факторы, определяющие напряжение и дифференциальное сопротивление таких диодов.
статья, добавлен 16.07.2018Исследование основных типовых и предложенных емкостных зарядных узлов магнитно-полупроводниковых импульсных устройств. Определение электродинамических показателей магнитно-полупроводниковых импульсных устройств. Построение емкостных зарядных узлов.
статья, добавлен 29.07.2016Изучение переходных процессов в полупроводниковых диодах при их работе в импульсном режиме. Влияние процессов на работу диода в импульсных устройствах Предельно допустимые значения токов, напряжений и мощностей в цепях отдельных электродов прибора.
лабораторная работа, добавлен 25.06.2015Изучение зависимости электрического сопротивления различных металлов, полупроводников и приборов на их основе от температуры. Перенос электрических зарядов в веществе под действием внешнего электрического поля. Понятие твердотельных проводников.
лабораторная работа, добавлен 08.03.2014Изучение сути и назначения управляемых напряжением полупроводниковых конденсаторов переменной емкости. Вольт-фарадная и вольт-амперная характеристики варикапа и мгновенное напряжение на варикапе. Схема включения варикапа в колебательный контур генератора.
реферат, добавлен 20.05.2013Приборы, работающие в микроволновом диапазоне волн. Специфические параметры смесительных диодов. Рассмотрение параметров и технических характеристик генератора дифракционного излучения. Движение электронов в пространстве взаимодействия магнетрона.
презентация, добавлен 10.08.2015Расчет туннельного тока, проходящего через иглу туннельного микроскопа. Измерение рельефа поверхности с помощью туннельного микроскопа. Оценка размеров конца иглы. Изменения в монохромном изображении, к которым приводит учет радиуса закругления иглы.
статья, добавлен 28.10.2018Разработка схемы плазмотрона, расчет его основных геометрических параметров. Исследование зависимости электрической мощности от расхода рабочего газа. Определение технологического применения плазматрона, его вольт-амперных и тепловых характеристик.
курсовая работа, добавлен 28.02.2015Характеристика и закономерности изменений в составе систем объемных и поверхностных свойств. Описание рентгенографических, электронно-микроскопических, электрофизических исследований определения кислотно-основных свойств полупроводниковых материалов.
статья, добавлен 02.02.2019