Исследование полупроводниковых диодов
Свойства германиевого и кремниевого выпрямительных полупроводниковых диодов при изменении температуры окружающей среды, измерение их вольт-амперных характеристик. Параметры стабилитрона и туннельного диода, анализ уровня напряжения в электрических схемах.
Подобные документы
Теоретические вычисления зависимости тока от напряжения. Анализ селенового и медно-закисного выпрямителей. Особенность коэффициентов выпрямления, внутреннего сопротивления и полезного действия. Снятие вольтамперных характеристик в прямом направлении.
реферат, добавлен 13.09.2015Ознакомление с процессами, протекающими в электрических аппаратах. Характеристика особенностей магнитной цепи и приводов электрических аппаратов. Анализ комбинированных контактных полупроводниковых аппаратов. Изучение функционирования резисторов.
методичка, добавлен 26.02.2021Определение сущности электронно-дырочного перехода, который является основным элементом большинства полупроводниковых приборов. Рассмотрение и анализ зонной диаграммы гетероперехода. Характеристика особенностей границ раздела "полупроводник–диэлектрик".
реферат, добавлен 31.01.2015Исследование необходимости использования метода лазерной интерференционной термометрии для дистанционного контроля температуры полупроводниковых и диэлектрических подложек в микроэлектронике. Распределение высокочастотной и сверхвысокочастотной энергии.
статья, добавлен 30.05.2017Расчет констант распространения волноводных мод и полей мод в органических светоизлучающих диодах. Вычисление трех типичных структур диодов. Влияние введения рассеивающего слоя между прозрачным электродом и подложкой на эффективное рассеивание мод.
статья, добавлен 04.11.2018Контакт двух полупроводников одного вида с различными типами проводимости (электронным и дырочным). Несимметричный p-n переход. Область применения диодов. Прямое и обратное смещение p-n перехода. Способ образования интегрального полупроводникового диода.
презентация, добавлен 09.07.2015Классификация полупроводниковых материалов, их особенности и основные требования при применении. Собственная и примесная проводимость. Применение полупроводниковых материалов, приборы, основанные на их действии. Тепловые сопротивления, термоэлементы.
курсовая работа, добавлен 25.09.2014Особенность влияния воздействий эксплуатационных факторов на процесс старения электрической изоляции электродвигателей. Проведение исследования метода учета воздействия напряжения, температуры окружающей среды, ее влажности и механической вибрации.
статья, добавлен 18.12.2017Понятие, сущность, принцип работы, устройство и области применения полупроводниковых лазеров. Особенности создания инверсной населенности в полупроводниках. Анализ параметров и структуры лазерного диода. Характеристика основных свойств лазерного луча.
курсовая работа, добавлен 23.07.2010Способы представления колебаний, характеристики цепей переменного тока и резонансных систем. Основы генерации и распространения звуковых и электромагнитных волн. Принципы действия полупроводниковых элементов, на основе которых строятся преобразователи.
курс лекций, добавлен 22.06.2014Типы полупроводников c примесями n-типа и p-типа. Структура полупроводникового диода. Граница раздела двух областей с различной проводимостью. Включение диода в простейшую электрическую цепь. Вольт-амперная характеристика диода. Выпрямительные диоды.
реферат, добавлен 07.07.2016Свойства нагревостойких диэлектриков, область их применения. Механизм пробоя жидких диэлектриков. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Основные параметры магнитных материалов. Конструкционные материалы для разрывных контактов.
контрольная работа, добавлен 22.02.2010Типы полупроводников c примесями n-типа и p-типа. Структура полупроводникового диода. Граница раздела двух областей с различной проводимостью. Включение диода в простейшую электрическую цепь. Вольт-амперная характеристика диода. Выпрямительные диоды.
реферат, добавлен 11.12.2011Технология молекулярно-лучевой эпитаксии, позволяющая выращивать полупроводниковые слои - основа для создания большого класса наноструктур. Анализ влияния ширины туннельного барьера на фотолюминесценцию системы двух туннельно-связанных квантовых ям.
автореферат, добавлен 02.09.2018Определение угла вращения плоскости поляризации. Оптические абсорбционные методы как способы анализа, основанные на поглощении веществами электромагнитного излучения. Условия для возникновения явления фотолюминесценции в полупроводниковых структурах.
контрольная работа, добавлен 18.10.2014Застосування приладів для вимірювання і графічного відображення вольт-амперних характеристик. Величина транспортно-заготівельних витрат. Калькуляція собівартості вимірювача вольт-амперних характеристик напівпровідникових елементів. Розрахунок амортизації.
контрольная работа, добавлен 19.10.2012Основные методы измерения эффекта Холла, определение типа концентрации и подвижности носителей заряда в полупроводниковых образцах. Параметры легирующей примеси по температурной зависимости. Особенности эффекта в классически сильных магнитных полях.
лабораторная работа, добавлен 29.11.2010Меры единиц электрических величин. Электромеханические и цифровые измерительные приборы. Измерение и контроль тока и напряжения в агропромышленном производстве. Общие свойства измерительных цепей и приборов. Классификация измерительных преобразователей.
курсовая работа, добавлен 08.08.2020Физическая и техническая основы оптоэлектроники, ее функциональное назначение. Принцип устройства плоскостного транзистора. Работа полупроводниковых приемников с использованием фотоэффекта. Параметры фототранзисторов, их виды, конструкции, параметры.
реферат, добавлен 16.10.2014Изучение основных законов и методов расчёта линейных электрических и магнитных цепей. Принципы функционирования трансформаторов, электрических машин постоянного и переменного тока. Организация сетевого питания. Работа основных полупроводниковых приборов.
курс лекций, добавлен 16.11.2015Применение современных полупроводниковых вентилей. Сравнение результатов математического моделирования и экспериментальных данных работы зависимого инвертора напряжения на асинхронизированный вентильный электродвигатель на базе инвертора напряжения.
статья, добавлен 28.01.2020Использование полупроводников для усиления и генерации электрических колебаний. Понятие биполярного транзистора как полупроводникового прибора с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами. Основные виды конструктивного оформления.
лабораторная работа, добавлен 16.01.2014- 98. Радиофизика
Анализ линейных систем. Метод комплексных амплитуд. Условие дифференцированности на частотном языке. Использование нелинейных свойств диодов. Графический расчет статического коэффициента усиления. Генерирование электрических колебаний, магнетрон.
курс лекций, добавлен 08.05.2013 Лазерный диод — полупроводниковый лазер. Виды и конструкция лазерных диодов. Лазеры на двойной гетероструктуре. Диод с квантовыми ямами. Гетероструктурные лазеры с раздельным удержанием. Лазеры с распределённой обратной связью. Применение лазерных диодов.
реферат, добавлен 13.08.2013- 100. Виды p-n переходов
Динамическое равновесие процессов диффузии и дрейфа в электронно-дырочном переходе. Устройство полупроводникового диода и стабилитрона. Статические вольтамперные характеристики диода. Электрический и тепловой пробой. Барьерная и диффузионная емкость.
реферат, добавлен 13.06.2015