Випромінювальні остовно-валентні та міжконфігураційні переходи в галоїдних сцинтиляційних матеріалах
Взаємодія остовних дірок з електронними домішковими рівнями, розташованими вище вершини валентної зони кристала. Виявлення основних механізмів передачі енергії збудження до церієвих центрів у кристалах галоїдів шляхом рекомбінації гарячих носіїв заряду.
Подобные документы
Встановлення закономірностей колективної рекомбінації у низькорозмірних структурах при високих рівнях збудження. можливості використання явища для створення фемтосекундних випромінювачів світла. Програма обрахунку енергетичної структури квантових шарів.
автореферат, добавлен 05.08.2014Аналіз перерізів збудження ізомерних станів важких ізотопів телуру. Визначення ролі статистичного і напівпрямого механізмів в реакціях. Аналіз впливу природи і структури низькозбуджених станів на перерозподіл імовірності переходів між рівнями парності.
статья, добавлен 27.12.2016Визначення сцинтиляційних показників органічних сцинтиляторів як функцій енергії іонізуючої радіації при збудженні фотонами гамма-випромінювання. Аналіз величин, необхідних для дослідження гасіння, що відбувається у треку органічних діелектриків.
автореферат, добавлен 26.08.2015Вивчення впливу механізмів розсіювання носіїв струму в кристалах халькогенідів свинцю n-типу провідності на концентраційні та температурні залежності основних кінетичних параметрів. Освоєння технології синтезу та вирощування кристалів халькогенідів.
автореферат, добавлен 28.07.2014Опис енергетичного спектру, спінового транспорту та магнітних властивостей кристалів з сильними електронними кореляціями. Дослідження намагнічуваності та просторових неоднорідностей магнітної структури в системах з сильними електронними кореляціями.
автореферат, добавлен 28.09.2014Виявлення особливостей енергетичного спектру носіїв заряду в сполуках AII3BV2 різних кристалічних модифікацій. Математичне моделювання поверхонь рівної енергії в околі рівня Фермі та розрахунки параметрів, що визначаються геометрією цих поверхонь.
автореферат, добавлен 18.07.2015Механізми утворення дефектів і їх впливу на електричні, фотоелектричні і оптичні властивості монокристалів сульфіду кадмію опромінених частинками підпорогової енергії. Дослідження лазерного відпалу центрів рекомбінації в опромінених монокристалах.
автореферат, добавлен 29.08.2015Розрахунок енергії мінізон надграток з різними співвідношеннями товщин шарів. Теоретичний розрахунок компонентів тензора деформацій, що відповідає рівноважному стану гетеропереходу. Вплив деформації на зміну енергії носіїв заряду в гетероструктурах.
статья, добавлен 27.12.2016Експериментальне визначення впливу окремих структурних груп на процеси формування різних низькотемпературних фаз у змішаних кристалах у подальшому розвитку уявлень про механізм фазового переходу до антифероелектричного стану в кристалах сімейства KDP.
автореферат, добавлен 06.07.2014Теоретичний опис процесів квантового переносу носіїв заряду в багатошарових структурах. Розгляд симетричних та асиметричних гетероструктур на базі багатокомпонентних напівпровідникових твердих розчинів. Розрахунок модуляційних характеристик лазерів.
автореферат, добавлен 28.09.2015Розгляд підходу до спектроскопії свинцевих активаторних центрів у лужно-галоїдних кристалах. Опис методики створення монокристалів та дослідження їх люмінесцентно-кінетичних властивостей. Аналіз впливу квантово-розмірного ефекту на властивості кристалів.
автореферат, добавлен 29.04.2014Перенос і накопичення носіїв заряду в гетероструктурах Ge33As12Se55 - p-Si. Вплив на механічні властивості гетероструктур технологічних режимів одержання плівок, термообробки і високоенергетичного електронного опромінення. Оцінка параметрів осадження.
автореферат, добавлен 15.11.2013Дослідження закономірностей формування енергетичних станів рідкісноземельних домішкових центрів в діелектричних кристалах оксиортосилікатів з метою визначення їх змін під дією міжцентрової взаємодії. Розробка методу отримання діелектричних нанокристалів.
автореферат, добавлен 14.09.2014Дослідження фотофізичних властивостей полімерних композитів (ПК) з добавками органічних матеріалів. Спектри поглинання, фотогенерації та рекомбінації носіїв заряду в ПК з мероціаніновими барвниками. Аналіз впливу зовнішнього електростатичного поля.
автореферат, добавлен 28.08.2014Розмиття профілю потенціалу для носіїв заряду у квантових точках у бінарних напівпровідниках та зміщення квантованих рівнів електронів, дірок та екситонів під дією ядерного опромінення. Ефект гігантського магнітного розщеплення екситонних рівнів.
статья, добавлен 22.08.2013Дослідження науково-прикладної проблеми розвитку наукових і методологічних основ створення систем керування синхронними електроприводами з ємнісними накопичувачами енергії в контурі збудження. Розрахунок нестаціонарних режимів синхронних двигунів (СД).
автореферат, добавлен 24.06.2014Побудова модельних уявлень про особливості спектрів поглинання, фотогенерації та рекомбінації носіїв заряду в полімерних композитах на основі полімерів з мероціаніновими барвниками і інформаційних характеристик голографічних рееструючих середовищ.
автореферат, добавлен 27.12.2015Дослідження впливу електричної компоненти надвисокочастотного поля на спектр електронного спінового резонансу домішки Mn у кристалах GaAs. Розрахунок електронної структури та параметрів надтонкої взаємодії для ряду дефектів у SiC і кремнієвих матеріалах.
автореферат, добавлен 25.08.2014Дослідження електричних, оптичних та фотоелектричних властивостей номінально чистих та легованих ванадієм кристалів Bi12GeO20. закономірності переносу заряду в плівках силікосиленіта. Аналіз придатності моделі легованих компенсованих напівпровідників.
автореферат, добавлен 20.04.2014Аналіз основних структурних змін, що відбуваються у напівпровідникових кристалах при легуванні шляхом імплантації та при наступних технологічних обробках. Встановлення ролі легуючої домішки бору в утворенні електрично-активних кисневмісних комплексів.
автореферат, добавлен 07.08.2014Побудова моделі розсіяння рентгенівських променів для геометрії дифракції в разі тороїдального вигину кристала. Вимір флуктуаційного поля статичних зсувів атомів кристала від хаотично розподілених мікродефектів. Коефіцієнт віддзеркалення дифузних хвиль.
автореферат, добавлен 27.09.2014Аналіз енергетичного спектру локалізованих станів носіїв заряду в аморфних плівках кремнійорганічних сполук методом фракційного термовисвічування. Вплив фотодеградації на енергетичний розподіл локалізованих станів аморфних плівок поліметилфенілсілану.
автореферат, добавлен 25.02.2014Дослідження особливостей механізмів тензорезистивних ефектів у деформованих кристалах кремнію й германія n-типу провідності. Розробка методів визначення фізичних механізмів тензоефектів у сильно деформованих кристалах багатодолинних напівпровідників.
автореферат, добавлен 25.08.2014Вивчення особливостей переносу заряду в квантових гетероструктурах на основі сполук А3В5 під дією освітлення, додаткового електричного потенціалу та наявності носіїв заряду обох знаків. Особливості побудови моделі електрично-індукованої надгратки.
автореферат, добавлен 06.07.2014Поглинання світла в кристалах, люмінесценція твердих тіл, фотолюмінесценція, люмінофори, вимушене випромінювання, лазер і схема рубінового лазера. Основні електронні переходи при поглинанні світла в кристалах, спектри люмінесценції деяких люмінофорів.
курсовая работа, добавлен 03.11.2014