Випромінювальні остовно-валентні та міжконфігураційні переходи в галоїдних сцинтиляційних матеріалах
Взаємодія остовних дірок з електронними домішковими рівнями, розташованими вище вершини валентної зони кристала. Виявлення основних механізмів передачі енергії збудження до церієвих центрів у кристалах галоїдів шляхом рекомбінації гарячих носіїв заряду.
Подобные документы
Нелінійна взаємодія хвиль у напівпровідниковій надгратці, розташованій у магнітному полі. Особливості нелінійного збудження другої гармоніки у напівпровідниковій надгратці при відсутності магнітного поля. Нелінійна взаємодія другої та перших гармонік.
автореферат, добавлен 27.02.2014Оптико-люмінесцентні властивості тонких плівок і керамік при оптичному, лазерному та рентгенівському збудженнях. Інтерпретація механізмів випромінювання і фотостимульованих процесів у люмінесцентних матеріалах. Сутність рекомбінаційних процесів.
автореферат, добавлен 14.07.2015Процеси генерації, розсіювання і розповсюдження хвиль намагніченості в матеріалах (що містять дислокації, дефекти анізотропії) та у магнонних кристалах (матеріалах з періодичною модуляцією параметрів). Кінетика магнітних неоднорідностей в надпровідниках.
автореферат, добавлен 27.08.2014Власна та домішкова провідність напівпровідників. Зростання електропровідності напівпровідника з ростом температури. Використання ефекту Холла. Енергетичні зони в кристалах, їх розщеплення. Обгрунтування позитивних та негативних сторін фотоопорів.
методичка, добавлен 16.07.2017Залежність потужності теплового ІЧ випромінювання напівпровідника за краєм власного поглинання, збуджуваного світлом з області поглинання. Параметри напівпровідникового кристала: концентрація домішок, товщина кристала, коефіцієнт відбивання кристала.
автореферат, добавлен 29.07.2014Роль іонних процесів у формуванні простих і агрегатних центрів забарвлення та в їх термо-, фотоіндукованих перетвореннях у кристалах галогенідів двовалентних металів. Дослідження електричних, оптичних, радіаційних властивостей кристалів галогенідів барію.
автореферат, добавлен 10.01.2014Дослідження особливостей збудження іонів індію повільними електронами. Визначення впливу релятивістських і резонансних ефектів на механізми збудження. Аналіз ефективних перерізів електронного збудження спектральних ліній іонів у межах підгрупи алюмінію.
автореферат, добавлен 29.09.2014Опис експериментальних спостерігань у двовимірних провідниках із домішковими станами електронів при зондуванні їх зарядженими частинками. Зменшення частоти двовимірних плазмонів у провідниках з малою густиною електронів і зміщення максимуму перерізу.
автореферат, добавлен 10.01.2014Питання збудження швидких реакцій у конденсованих середовищах, які здібні до екзотермічних перетворень. Розробка напрямків у хімічній фізиці, які ґрунтуються на використанні лазерного імпульсу як ініціюючого фактора збудження вибухових речовин та сполук.
автореферат, добавлен 06.07.2014Сцинтиляційні, оптичні та люмінесцентно-кінетичні характеристики галоїдних кристалів у широкому енергетичному діапазоні з використанням фото-, рентгено-, катодо- та синхротронного збудження. Люмінесцентно-кінетичні параметри випромінювання нанокристалів.
автореферат, добавлен 27.08.2015Особливості зонної структури деформованих нанодротів InР різного діаметру. Вигин квантових дротів. Локальні мінімуми у зоні провідності та валентній зоні. Процес керування часом життя фотозбуджених носіїв заряду шляхом їх утримання на цих мінімумах.
статья, добавлен 23.12.2016Дослідження в інтервалі енергій гамма-квантів 10-18 МеВ енергетичної залежності ізомерних відношень виходів у реакціях 85Rb(y,n)84m,gRb та 87Rb(y,n)86m,gRb. Експериментальні результати порогів збудження ізомерних станів та енергії активаційних рівнів.
статья, добавлен 07.10.2013Аналіз акумуляторів та методів їх заряду, розробка моделей акумуляторної батареї та адаптивного способу заряду. Способи та схеми пристроїв для заряду акумуляторних батарей асиметричним струмом з підвищеною енергоефективністю, процес керування зарядом.
автореферат, добавлен 28.09.2015Дослідження електронних процесів під час взаємодії атомних часток з широкозонними твердими тілами. Поняття електронної гетерогенної аккоммодації енергії хімічних реакцій. Комп'ютерне моделювання процесів електронного збудження метастабльних твердих тіл.
автореферат, добавлен 10.01.2014Розробка сцинтиляційних детекторів з наднизьким рівнем фону та реєстратором, високими енергетичною роздільною здатністю, ефективністю реєстрації процесів розпаду. Аналіз вимірювань і отримання періоду напіврозпаду. Пошук радіоактивних домішок в кристалах.
автореферат, добавлен 25.08.2014Роль речовин, розташованих на поверхні кремнієвих кристалітів, у процесах збудження червоної смуги фотолюмінесценції (ФЛ). Вплив морфології пористих шарів на процеси збудження ФЛ. Хімічний склад пористих шарів та його впливу на процеси збудження.
автореферат, добавлен 23.11.2013Дослідження механізмів утворення, стійкості та динаміки поверхневих шарів просторового заряду. Встановлення фізичних закономірностей генерації і прискорення пучків заряджених частин. Методи зміни параметрів шарів для їх іонізації і біполярного потоку.
автореферат, добавлен 27.02.2014Дослідження основних моделей існуючих ринків електричної енергії. Становлення вітчизняного ринку електричної енергії за період із 1991 по 2019 р. Характеристика основних недоліків, які зумовили перехід від моделі Єдиного покупця до існуючої моделі.
статья, добавлен 29.07.2024Дослідження механізму радіолюмінесценції кристалів BaCl2-Pb. Ймовірність випромінювальної та теплової релаксації електрон-діркової пари у ґратці кристала та їх залежність від концентрації активатора. Розрахунок енергетичного виходу радіолюмінесценції.
статья, добавлен 30.07.2016Вивчення фізичних властивостей домішкових та дефектних центрів у синтетичних кристалах. Дослідження донорів азоту, закономірностей температурної та концентраційної поведінки карбіду кремнію. Вивчення стрибкового механізму делокалізації електронів.
автореферат, добавлен 30.07.2014Історія отримання золота, його властивості та застосування в промисловості. Розподіл поля та заряду в об’ємі Bi12SiO20. Залежність розподілу поля та заряду від координат. Нормовані значення розподілу потенціалу, поля, заряду. Кількість та густина заряду.
курсовая работа, добавлен 18.11.2014Встановлення основних механізмів розсіювання енергії в тріщині нормального відриву, що не росте, а також функціонального взаємозв'язку між розсіюванням енергії в тріщині втоми і номінальним розмахом, встановлення впливу виду і рівня демпфірування.
автореферат, добавлен 29.07.2014Експериментальне дослідження та обґрунтування електричних та фотоелектричних характеристик SiC діодів Шотткі на монокристалах та епітаксійних шарах SiC з використанням різних металів. Перенос заряду в CdTе поверхнево-бар’єрних структурах різного типу.
автореферат, добавлен 10.08.2014Симетрійний опис структури валентної зони надґраток (GaAs)N/(AlAs)N та (Si)M/(Ge)M у концепції мінімальних комплексів зон. Метод обвідної функції для одержання мінізонного спектру надґраток з довільною просторовою залежністю матеріальних параметрів.
автореферат, добавлен 14.09.2014Дослідження впливу флуктуацій фази поля збудження круглої сфокусованої апертури на розподіл середньої інтенсивності поля у фокальній площині. Синтез випромінюючої системи із максимальним середнім ККД передачі для СПЕНП двох типів. Аналіз їх ефективності.
автореферат, добавлен 07.03.2014