Самоузгоджені електрон-деформаційно-дифузійні ефекти в широкозонних напівпровідниках та гетеросистемах із самоорганізованими точковими дефектами
Дослідження морфологічної та електронної структури опромінених напівпровідникових матеріалів із самоорганізованими точковими дефектами. Аналіз самоузгодженого електрон-деформаційного потенціалу, моделювання нелінійних деформаційно-дифузійних ефектів.
Подобные документы
Дослідження електронних процесів під час взаємодії атомних часток з широкозонними твердими тілами. Поняття електронної гетерогенної аккоммодації енергії хімічних реакцій. Комп'ютерне моделювання процесів електронного збудження метастабльних твердих тіл.
автореферат, добавлен 10.01.2014Пояснення фізичних причин ефекту асиметрії азимутальної залежності нормованої ПІВЗ в кристалах з дефектами великих розмірів. Огляд співмірних з довжиною екстинкції, і порушеного поверхневого шару, що розсіює кінематично, без обмежень на його товщину.
автореферат, добавлен 29.10.2015Дослідження еволюції дислокаційної структури кристалів в залежності від способів її введення. Вплив термічної обробки монокристалічних напівпровідникових матеріалів на характеристики дислокаційно-домішкової структури і розсіяння рентгенівських променів.
автореферат, добавлен 29.01.2016Програма розрахунку кінетичних коефіцієнтів напівпровідників. Енергетичне положення міжвузлового типу дефектів у забороненій зоні кремнію. Параметри кластерів дефектів, утворених нейтронами, протонами, 50 МеВ електронами в бінарних напівпровідниках.
автореферат, добавлен 28.08.2015Фактори, які впливають на структуру та основні фізичні властивості тонких плівок W-Ti-N та Ta-Si-N, отриманих реактивним магнетронним розпиленням. Застосування плівок в якості дифузійних бар’єрів в системах металізації до напівпровідникових сполук.
автореферат, добавлен 27.08.2014Моделювання дифузії атомарного водню у напівпровідниках з урахуванням поверхневих, об’ємних реакцій. Визначення можливих механізмів хемостимульованої дифузії у напівпровідниках, процес утворення дефектів під дією енергії поверхневих хімічних реакцій.
автореферат, добавлен 23.11.2013Історія отримання золота, його властивості та застосування в промисловості. Розподіл поля та заряду в об’ємі Bi12SiO20. Залежність розподілу поля та заряду від координат. Нормовані значення розподілу потенціалу, поля, заряду. Кількість та густина заряду.
курсовая работа, добавлен 18.11.2014Аналіз механізмів радіаційного дефектоутворення при електронному та нейтронному опроміненні нелегованих і легованих міддю монокристалів CdS. Доідження фізичних властивостей монокристалів з метою побудови моделей електронних процесів у даних сполуках.
автореферат, добавлен 28.08.2015Метод розрахунку параметрів електронної структури сплавів на основі перехідних елементів з врахуванням впливу топологічного розупорядкування атомів. Моделювання густини електронних станів АМС на основі Ni, порівняння результату з даними досліджень.
автореферат, добавлен 20.04.2014Існування у низькосиметричних сегнетоелектриках-напівпровідниках заряджених, нахилених до вектора поляризації, доменних границь. Аналіз кристалічної структури, аномалії діелектричних властивостей, суперіонної провідності, швидкості поширення ультразвуку.
автореферат, добавлен 27.08.2014Дослідження температурної, часової залежності малокутового розсіяння світла за умови взаємодії солітонів з дефектами. Вивчення динаміки модульованої структури в електричному полі для кристалів. Опис температурної залежності електрооптичних коефіцієнтів.
автореферат, добавлен 10.09.2014Механізми руйнування крихких та пластичних матеріалів. Вплив дислокаційної структури на процеси деформації та руйнування при навантаженні. Особливості розтріскування високопористих керамічних матеріалів. Динаміка структурних перетворень в кристалі.
автореферат, добавлен 28.08.2015Дослідження перебудови домішково-дефектних станів у сполуках під дією високочастотного електромагнітного випромінювання. Вивчення модифікації структури напівпровідників. Вплив випромінювання на спектр дефектних станів напівпровідникових кристалів.
автореферат, добавлен 29.09.2015Обчислення одновісного пружно-пластичного деформування пластини з центральним деформаційно зміцненим отвором. Побудова розподілу розмаху локальних, максимальних та мінімальних напружень залежно від кількості циклів навантаження та натягу дорнування.
статья, добавлен 29.11.2016Розробка магнітної системи для транспортування позитронів і введення їх у процес прискорення. Створення механізму радіаційно-індукованої аморфізації і радіаційно-стимульованого гідрогенування монокристалічного кремнію за допомогою пучкових технологій.
автореферат, добавлен 29.04.2014Визначення температурної залежності коефіцієнту дифузії вакансії і з’ясування характеру вакансійного руху в ОЦК фазі кристалів 3Не. Явища квантової дифузії, характерний для широкозонних квазічасток. Залежність ширини зони від щільності твердого гелію.
автореферат, добавлен 15.11.2013Характеристика лазерного випромінювання. Перевірка теорії квантової електродинаміки процесів першого і другого порядків в сильних імпульсних полях. Дослідження однофотонної анігіляції електрон-позитронної пари. Аналіз резонансного розсіювання лептонів.
автореферат, добавлен 20.07.2015Вплив на провідність квантових контактів розсіювання електронів одиничними дефектами. Аналітичні залежності провідності від різних параметрів, що характеризують контакт. Експериментальні дані, формулювання умов спостереження ефектів, що передбачаються.
автореферат, добавлен 23.08.2014- 94. Напружений стан кусково–однорідних тіл з тепловими та залишковими деформаціями і дефектами структури
Формування широкого класу прямих та обернених задач механіки на основі отриманих ключових рівнянь і розвиток методів їх розв'язування. Аналіз механічної поведінки кусково–однорідних тіл, зумовленої температурними напруженнями за термомеханічного контакту.
автореферат, добавлен 12.02.2014 - 95. Теоретичне дослідження кристалічної будови і електронної структури йонного провідника La0.5Li0.5TiO3
Дослідження атомної і електронної структури літієвих провідників. Кристалічна структура та фізичні властивості йонних провідників La(2-x)/3LixTiO3. Розрахунок залежності числа літієвих вакансій від концентрації йонів літію при різних температурах.
автореферат, добавлен 28.09.2015 Встановлення основних закономірностей формування зонної структури, побудови законів дисперсії та дослідження їхніх змін внаслідок впливу зовнішніх чинників в складних низькосиметричних кристалах. Характеристика особливостей міжчастинкових взаємодій.
автореферат, добавлен 30.07.2015З’ясування причин анізотропії віддзеркалення електронів проводимості від реальної поверхні вольфраму з орієнтацією. Розробка методів літографічної модифікації поверхні Si у надвисокому вакуумі. Методика отримання надгострих вольфрамових вістрів.
автореферат, добавлен 18.11.2013Дослідження сильнопольового та високочастотного транспорту у низькорозмірних структурах на основі сполук АIIIBV, зокрема нітридів. Характеристика переваг квантових ям на нітридних сполуках для реалізації сильноанізотропного розподілу електронів.
автореферат, добавлен 30.07.2014Розробка спрощеної моделі для опису зонної структури і побудови хвильових функцій зонних р-електронів у вуглецевих нанотрубках. Особливості використання метода потенціалів нульового радіуса. Порівняння зонних структур нанотрубок та графітової площини.
автореферат, добавлен 25.02.2015Дослідження умов накопичення та утримання заряджених частинок, їх зв'язок із динамікою електронів у просторі дрейфу та конфігурацією полів і струмів пучка. Дослідження нелінійної стадії коливальних процесів і ступінь їх впливу на викид частинок.
автореферат, добавлен 22.04.2014