Самоузгоджені електрон-деформаційно-дифузійні ефекти в широкозонних напівпровідниках та гетеросистемах із самоорганізованими точковими дефектами
Дослідження морфологічної та електронної структури опромінених напівпровідникових матеріалів із самоорганізованими точковими дефектами. Аналіз самоузгодженого електрон-деформаційного потенціалу, моделювання нелінійних деформаційно-дифузійних ефектів.
Подобные документы
Перебудова електронних рівнів з дислокаціями. Перерозподіл електронної густини в широкозонних легованих напівпровідниках з дислокаціями. Зміни випрямних властивостей дислокаційного бар’єру під впливом самоузгодженого електрон-деформаційного зв’язку.
автореферат, добавлен 29.07.2014Розвиток мікроскопічної самоузгодженої теорії електрон-деформаційних ефектів у кристалах зі структурними неоднорідностями та у напружених гетеросистемах. Розкриття механізму виникнення електрон-деформаційного диполя на напруженій гетеромежі вздовж oсі.
автореферат, добавлен 20.04.2014Аналіз дифузнодинамічної моделі деформаційно-товщинних залежностей скачка в області краю поглинання інтегральної інтенсивності розсіяння рентгенівських променів. Визначення відмінностей деформаційних залежностей бреггівської та дифузної складових.
автореферат, добавлен 14.07.2015Побудова гамільтоніан електрона, рух якого обмежений потенціалом квантової точки або кільця. Розрахунки впливу спін-орбітальної і електрон-електронної взаємодії на магнітні властивості квантових точок. Визначення температурних залежностей намагніченості.
автореферат, добавлен 25.07.2015Пружне розсiяння високоенергетичних електронiв як дієвий засіб вивчення внутрішньої структури мікрочастинок, протона та нейтрона. Аналіз методів квантової теорiї поля. Розгляд особливостей двофотонного обмiну у пружному розсiяннi електронiв на нуклонах.
автореферат, добавлен 22.07.2014Аналіз особливостей моделювання підсилення в лазерах з об'ємними й квантоворозмірніми шарами. Вплив температурних ефектів на оптичне підсилення лазерів. Розробка комп'ютерної моделі для дослідження напівпровідникових лазерів різних конструкцій.
автореферат, добавлен 22.02.2014Характеристики прямої й оберненої кристалічних ґраток. Властивості електронів. Ознайомлення з основами квантової теорії. Механізми коливання атомів. Види дефектів у напівпровідниках. Дифузійні і дрейфові струми. Електропровідність напівпровідників.
учебное пособие, добавлен 27.08.2015Аналіз впливу спінових та поляризаційних ефектів на потужність синхротронного випромінювання рентгенівського пульсару. Зміст процесу народження електрон-позитронної пари електроном в магнітному полі поблизу порогу процесу з урахуванням спінів частинок.
автореферат, добавлен 20.07.2015Поведінка хвильової функції акцепторного центру в кубічних напівпровідниках при малому відношенні мас легкої та важкої дірок. Генерація і детектування високочастотних акустичних фононів в напівпровідникових надгратках в умовах стрибкового транспорту.
автореферат, добавлен 24.06.2014Дослідження властивостей двовимірного електронного газу в провідному каналі гетероструктури в наносекундному діапазоні. З’ясування природи квантово-розмірних ефектів, притаманних гарячим електронам. Вивчення кінетики провідного каналу гетероструктур.
автореферат, добавлен 12.07.2015Виявлення у фотогенерованій електронно-дірковій плазмі поздовжних термодифузійних автосолітонів. Вивчення поведінки і взаємодії. З'ясування механізму утворення доменів сильного поля і осциляцій струму. Дослідження інфрачервоного випромінювання електронів.
автореферат, добавлен 14.07.2015Закономірності впливу компенсації на електричні оптичні та спектрометричні характеристики ряду бінарних і атомарних напівпровідників. Дослідження сильнолегованих і компенсованих власними дефектами монокристалів CdTe як модель аморфного напівпровідника.
автореферат, добавлен 26.08.2014Проведення теоретичного дослідження резонансних ефектів, що виникають при взаємодії елементарних збуджень в кристалах (квазічастинок) з плоскими дефектами. З'ясування зв'язку між квазілокальним станом всередині суцільного спектра та поверхневими хвилями.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження азимутальних залежностей нормованої повної інтегральної інтенсивності монокристалу з дефектами у випадку динамічної дифракції за Бреггом. Шляхи створення комбінованих методів кількісної діагностики характеристик дефектів декількох типів.
автореферат, добавлен 14.07.2015Моделі для опису кривих дифракційного відбиття кристалів з неоднорідним шаром і їх когерентної та дифузної компонент багатошарових структур з однорідно розподіленими дефектами. Динамічна модель дифракції РП в багатошаровій структурі з дефектами.
автореферат, добавлен 10.08.2014Вирішення наукової проблеми "Індуковані високоенергетичні ефекти опромінення у фосфідних і халькогенідних напівпровідниках". Встановлення закономірностей впливу ефектів розупорядкування на оптичні властивості кристалів, а також вивчення фізичних процесів.
автореферат, добавлен 27.07.2014Зміни параметра анізотропії рухливості K в n-Si з точковими дефектами під впливом високого гідростатичного тиску. Зміни рухливості носіїв струму під впливом гама-опромінення і пружної направленої деформації досліджуваних кристалів, опис експерименту.
автореферат, добавлен 04.03.2014Аналіз оптичних, електричних і структурних властивостей широкозонних шарів. Особливості механізмів випромінювальної рекомбінації у тонких шарах широкозонних напівпровідників, зумовлених енергетичною структурою дозволених зон та дефектної підсистеми.
автореферат, добавлен 29.09.2015Вивчення питань створення ефективних плівкових і кристалічних люмінесцентних матеріалів на основі оксидів, нітридів і галогенідів шляхом дослідження в них механізмів рекомбінації за участю складних дефектів, а також процесів стабільності люмінофорів.
автореферат, добавлен 27.04.2014Характеристика процесів електрон-іонних зіткнень для багатозарядних іонів у зовнішньому електричному полі будь-якої сили, використання непертурбативного метода розрахунку сил Ne-подібних іонів. Релятивістський опис розподілу електронів континуума.
автореферат, добавлен 24.07.2014Встановлення закономірностей впливу діелектричного покриття на енергетичні характеристики поверхні металу. Визначення залежності температури електронної підсистеми кластерів різної форми від кількості атомів в них і потужності, що передається електронам.
автореферат, добавлен 29.07.2015Процес мьоллерівського розсіяння поляризованих електронів. Дослідження процесу взаємодії пучків поляризованих електронів зі зв'язаними електронами поляризованої електронної мішені. Фізичні ефекти, що впливають на величину поляризації пучка електронів.
автореферат, добавлен 22.06.2014Дослідження впливу дії високоенергетичних електронів на електрофізичні параметри мікрокристалів арсеніду індію. Математичне моделювання фізико-хімічних процесів легування напівпровідникових мікрокристалів в процесі їх вирощування донорною домішкою оловом.
автореферат, добавлен 26.07.2014Дослідження (гальванічне та акустичне) процесів електрон-фононної взаємодії в системі з сильно-локалізованими носіями (проміжно-легований n-Ge) та в двовимірному електронному газі, де присутні процеси слабкої локалізації (дельта-легований GaAs:Si).
автореферат, добавлен 20.04.2014- 25. Реакційно-дифузійні процеси в системах з поверхнею поділу "метал-газ": квантово-статистичний опис
Теорія процесів переносу для систем типу "метал–адсорбат–газ". Квантово-статистична теорія рівноважних характеристик металевих систем. Розрахунок рівноважних функцій розподілу електронів. Процеси переносу електронної підсистеми напівобмеженого металу.
автореферат, добавлен 26.08.2015