Физика, технология и элементная база современной электроники. Достижения России
Уникальная технология получения монокремния. Структура части высоковольтного N-МОП тиристора. Характеристики транзистров с частичным обеднением кремния. Возможности синтеза полупроводниковых многослойных тонкоплеточных структур в космическом вакууме.
Подобные документы
Физика работы транзистора. Параметры биполярного транзистора. Технология диффузионных процессов для легирования эмиттерной области. Метод тройной диффузии. Параметры диффузионных процессов. Эпитаксиальные процессы для формирования базовой области.
курсовая работа, добавлен 21.12.2012Техника полупроводниковых приборов как самостоятельная область электроники. Выпрямительные диоды малой, средней и большой мощности. Импульсные диоды и полупроводниковые стабилитроны. Полупроводниковый преобразователь тепловой энергии окружающей среды.
реферат, добавлен 09.04.2009Гетероструктуры, их состав и материалы. Технология светодиодных структур. Конструкции светодиодов, их характеристики, фотометрические и электротехнические параметры. Постепенное уменьшение мощности светодиодов за счет деградации, причины её возникновения.
лекция, добавлен 17.08.2014Анализ состояния производства электроники в России. Современный мир и различные электронные средства: персональный компьютер, телефон, телевизор, радио. Необходимость разработки новых технологий и важные условия существования и развития отрасли.
доклад, добавлен 20.04.2011Возникновение неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых структур в условиях воздействия электромагнитного излучения. Влияние импульсного электромагнитного излучения на электрорадиоизделия, появление токов в проводящих элементах изделий.
статья, добавлен 14.07.2016Полярность напряжения, приложенного между выводами базы. Структура неуправляемого тиристора. Основные параметры динистора. Схема включения n-p-n-фототранзистора с оборванной базой. Условное обозначение (маркировка) полупроводниковых приборов, их виды.
лекция, добавлен 04.10.2013Способы охлаждения полупроводниковых приборов. Воздушное, естественное и принудительное охлаждение, испарительное охлаждение с промежуточным теплоносителем. Понятия о законах вентиляции. Расчет параметров охладителей. Российская база силовой электроники.
дипломная работа, добавлен 24.08.2012Моделирования энергомощностных и температурных характеристик для диодных биполярной структуры и структуры с барьером Шоттки на основе кремния при воздействии последовательности импульсов СВЧ электромагнитного излучения. Роль тепловой релаксации.
статья, добавлен 30.10.2018Общая структура, основные характеристики, спектр услуг сети LTE. Основные параметры и возможности стандарта. Радиочастотные диапазоны сети. Логические и транспортные каналы. Особенности распространения радиоволн. Дальнейшее развитие технологии LTE.
реферат, добавлен 02.05.2017Методика расчета дискретного силового тиристора. Выбор материала и расчет параметров конструкции. Расчет диаметра тиристорного элемента и вольт-амперной характеристикии, выбор конструкции корпуса. Технологическая реализация проектируемого тиристора.
курсовая работа, добавлен 18.05.2012Принцип действия и технические возможности частотомеров. Элементная база выносного щупа. Анализ электрической схемы. Выбор материалов и способа монтажа. Разработка конструкции печатной платы. Требования к надёжности и работоспособности радиоаппаратуры.
курсовая работа, добавлен 28.11.2016Связь электроники и радиотехники. Современный этап развития техники. Достижения в области электроники. Разработка методов создания электронных приборов. Передача сообщений на расстояния. Изобретение телеграфа. Открытие электромагнитных волн и радиоволн.
контрольная работа, добавлен 22.12.2011Разработка прогрессивных автоматизированных ресурсосберегающих методов, приборов и устройств для диагностики высоковольтного электрооборудования, исследования и определения наиболее важных их параметров. Характеристики обмоток силовых трансформаторов.
автореферат, добавлен 26.06.2018Понятие интегральной микросхемы, разработка элементов совместимости материалов. Монтаж активных компонентов гибридной схемы, ее классификация в зависимости от процесса формирования пассивных элементов. Базовая технология создания полупроводниковых схем.
реферат, добавлен 01.02.2011История развития сотовой связи, принципы функционирования данных систем. Системы подвижной радиосвязи в России. Система стандарта GSM: общие характеристики и свойства. Функциональные возможности телефонов: технология доступа WAP, SMS, дисплеи сотовых.
курсовая работа, добавлен 23.04.2011Проведение анализа модели формирования полевого гетеротранзистора. Рассмотрение задачи нелинейных массо- и теплопереноса в многослойных структурах с переменными во времени без сшивки решений на границах раздела между слоями многослойных структур.
статья, добавлен 06.11.2018Структура биполярных транзисторов типов. Движение носителей заряда в транзисторе типа п-р-п. Включение транзистора типа п-р-п по схеме с общим эмиттером. Структура и схема включения полевого транзистора. Вольт-амперные характеристики триодного тиристора.
лекция, добавлен 09.12.2013Технология получения ситалла. Изменение свойств стекла в процессе кристаллизации. Процесс получения подложек. Резка слитков на пластины, шлифовка и полировка. Метод скрайбирования для получения плат, его достоинства и недостатки. Ломка пластин на платы.
реферат, добавлен 27.11.2013Обобщенная структура и принцип функционирования синхронных управляющих автоматов. Современная элементная база для реализации преобразователей и блоков памяти. Составление логических уравнений для выходных сигналов и функций возбуждения триггеров.
курсовая работа, добавлен 07.10.2014Способ описания степени неупорядоченности активных слоев полупроводниковых приборов. Введение функциональной зависимости энергетического спектра на основе упрощенного построения дефектной решетки материала. Результаты экспериментальных исследований.
статья, добавлен 03.03.2012Свойства и виды (простые и сложные) полупроводниковых материалов. Основные методы промышленного получения монокристаллов соединений: метод Чохральского, направленная кристаллизация. Классификация и общая характеристика полупроводниковых соединений.
доклад, добавлен 15.10.2011Технология получения керамики. Требования к подложкам микросхем. Конструктивно-технологические особенности толстопленочных интегральных микросхем. Схема процесса изготовления плат тонкопленочных гибридных интегральных схем. Сущность скрайбирования.
курсовая работа, добавлен 03.12.2010Понятие элементной базы устройств полупроводниковой электроники. Особенности классификации, вольт-амперных. Характеристики диодов, транзисторов, основные схемы включения и особенности их применения в конкретных приборах в различных режимах работы.
учебное пособие, добавлен 24.09.2014Виды информационных технологий. Информационная технология обработки данных, управления и поддержки принятия решений. Современные информационные технологии, их основные характеристики. Совершенствование интерфейса стандартных пакетов прикладных программ.
реферат, добавлен 24.11.2015Моделирование вольт-амперных характеристик диода Шоттки на карбиде кремния 4H-SiC c контактом Шоттки из титана (Ti), с использованием программы TCAD. Максимальная напряженность электрического поля для карбида кремния, график обратной характеристики.
статья, добавлен 03.11.2018