Физика, технология и элементная база современной электроники. Достижения России
Уникальная технология получения монокремния. Структура части высоковольтного N-МОП тиристора. Характеристики транзистров с частичным обеднением кремния. Возможности синтеза полупроводниковых многослойных тонкоплеточных структур в космическом вакууме.
Подобные документы
Технические характеристики и технология производства пленочного фоторезиста. Оборудование и средства оснащения. Фотохимические процессы, происходящие при изготовлении двухсторонних печатных плат. Расчет расхода материала и трудоемкости производства.
отчет по практике, добавлен 13.07.2017Массивы нитевидных нанокристаллов и наностержней ZnO как элементная база высокоэффективных электрооптических устройств. Прикладные характеристики массивов нанокристаллов ZnO, способы их определения. Управление морфометрическими параметрами массивов.
статья, добавлен 28.05.2017Развитие идеи создания электронновычислительной машины. Пять поколений комьютеров в современной классификации. IBM компьютеры. Мощнейшие машины четвертого поколения Эльбрус. Элементная база компьютеров пятого поколения. Микрокомпьютеры пятого поколения.
реферат, добавлен 12.11.2008Технология Блютус как способ беспроводной передачи информации. История возникновения и принцип работы данной технологии, особенности использования частотного диапазона. Практическое применение и потребность в устройствах Блютус, перспективы их развития.
реферат, добавлен 04.02.2013Фототранзисторы и фототиристоры, их разновидности и конструкции. Многоэлементные фотоприемники. Технология фотоприемников. Диффузия из газа, жидкостная эпоксия и ионная имплантация. Оптический приемный модуль. Область применения оптических датчиков.
лекция, добавлен 17.08.2014Особенность сравнения полупроводниковых приборов с электронными лампами. Характеристика электронно-дырочного перехода. Рассмотрение вольтамперной характеристики диода и выявление его нелинейных свойств. Принцип действия и схема включения транзистора.
реферат, добавлен 15.11.2015Изучение математических моделей полупроводниковых выпрямительных диодов. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного диода в зависимости от температуры. Графоаналитический метод расчета электрической цепи с нелинейными элементами (диодами).
лабораторная работа, добавлен 04.12.2017Материалы, используемые для формирования элементов МСТ в LIGA-технологии. LIGA-технологии как возможность создания элементов МСТ большой толщины с вертикальными сторонами. Технология поверхностной микрообработки. MUMPs-технология, планарные элементы МСТ.
курс лекций, добавлен 26.10.2013Наноэлектроника – область современной электроники, занимающаяся разработкой физических и технологических основ создания интегральных электронных схем и устройств на их основе. Разработка электронных устройств со сверхмалыми размерами; методы их получения.
доклад, добавлен 23.03.2019Характеристика гибридных интегральных схем как микросхем, являющихся комбинацией пленочных пассивных элементов и активных компонентов, расположенных на общей диэлектрической подложке. Технология изготовления полупроводниковых схем на биполярных элементах.
курс лекций, добавлен 21.03.2011Основные характеристики антенн и их классификация. Излучение антенных решеток. Анализ перспективных антенных структур. Возможные методы синтеза антенных фрактальных структур. Свойства фрактальных антенн. Примеры фрактальных антенн и их применение.
курсовая работа, добавлен 07.05.2012Зарождение микроэлектроники как научно-технического направления, обеспечивающего создание радиоэлектронной аппаратуры. Интегральные микросхемы и этапы развития интегральной электроники. Роль тонкопленочной технологии в развитии интегральной электроники.
реферат, добавлен 20.06.2016Исследование параметров и характеристик полупроводниковых приборов с применением интернет-технологий. Принцип действия биполярного и полевого транзисторов. Понятие о классах и режимах усиления. Изучение свойств гетероперехода. Элементы интегральных схем.
презентация, добавлен 13.02.2015Основные параметры и свойства полупроводниковых материалов. Методика определения диодов из экспериментальных вольтамперных характеристик. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Компаратор и триггер Шмитта на операционном усилителе.
курс лекций, добавлен 02.03.2017Области применения и технические характеристики датчиков температуры. Особенности полупроводниковых температурных датчиков. Преимущества и недостатки датчиков на основе диодов и транзисторов, терморезисторов и пленочных полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 06.08.2010Возникновение ЭВМ на радиолампах. Исследование влияния полупроводниковых диодов. Переход от точечной и сплавной технологий создания транзисторов к диффузионной. Сущность процесса фотолитографии. Этапы изготовления микросхемы. Интенсивность ее отказов.
лекция, добавлен 01.09.2013Разработка проекта автоматизированной линии химической обработки деталей. Алгоритм действия, основные требования к решению задачи. Сигналы, команды используемые системой. Описание составных частей механизма. Элементная база, программные компоненты.
курсовая работа, добавлен 19.12.2013Основные тенденции развития поглощающих материалов. Результаты расчета диаграмм рассеяния и отражения многослойных структур. Расчет оптимальных параметров структур для наблюдения наибольшего эффекта поглощения. Анализ теоретических полученных расчетов.
статья, добавлен 29.07.2017Рассмотрение основных положений технологии синтеза контейнерных средств радиоэлектронного подавления групповой защиты корабельных вертолетов. Изучение системного подхода с использованием положений общей теории иерархических многоуровневых систем.
статья, добавлен 02.04.2019Описание структуры телекоммуникационной сети, ее опции и характеристики. Анализ проблемы информационного наполнения телекоммуникационных сетей и предоставления возможности получения необходимой информации для удовлетворения потребностей пользователей.
контрольная работа, добавлен 11.02.2014Рассмотрение возможности использования беспроводной технологии оптической передачи данных на базе светодиодов видимого излучения в качестве средства для передачи данных между дорожным транспортом. Технические характеристики сетей передачи данных.
статья, добавлен 19.05.2018Методика исследования вольтамперных характеристик диодов. Анализ результатов измерения стабилитрона. Типовые схемы включения полупроводниковых диодов и области их применения. Порядок определения параметров исследованных полупроводниковых приборов.
лабораторная работа, добавлен 22.05.2022Применение технологии softswitch в моделировании телефонной сети. Особенности современной сетевой архитектуры узла связи; возможности предоставления дополнительных услуг абонентам. Требования к системам при модернизации сети связи общего пользования.
реферат, добавлен 10.03.2010Влияние внешних, внутренних факторов на метрологические характеристики полупроводниковых измерительных преобразователей с интегрированным чувствительным элементом. Разработка алгоритмических методов уменьшения погрешностей измерительных преобразователей.
автореферат, добавлен 10.12.2013Особенности систематизации силовых полупроводниковых преобразователей. Назначение, область применения, состав и классификация судовых полупроводниковых преобразователей. Характеристика и влияние полупроводниковых преобразователей на судовую сеть.
курс лекций, добавлен 08.04.2016