Олег Лосев – пионер твердотельной полупроводниковой электроники
Разработка полупроводниковых приборов. Изучение Лосевым основ искровых передатчиков и тонкостей радиодела, кристаллических детекторов. Факторы, повлиявшие на выбор места для будущего центра исследований. Квантовая теория строения полупроводников.
Подобные документы
Комплект органов управления Simchair mark II тренажера. Процесс сборки рычагов циклического и общего шагов. Программное обеспечение для работы тренажера с компьютером в качестве джойстика. Подвесной блок бортовой электроники. Эксплуатация панели приборов.
дипломная работа, добавлен 30.08.2016Физические основы полупроводников. Структура и принцип действия транзистора. Применение тиристора в управляемом выпрямителе. Устройства промышленной электроники. Логические функции и логические схемы. Трехразрядный двоичный счетчик на вычитание.
учебное пособие, добавлен 05.07.2013Изучение устройства и назначения пассивных элементов электрических цепей: резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности. Техническая характеристика полупроводниковых приборов с p–n переходом: диоды, стабилизаторы, варикап. Операционные схемы усилителей.
курс лекций, добавлен 05.07.2013Обзор роли тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем. Тонкопленочная металлизация полупроводниковых приборов и интегральных схем. Факторы, влияющие на свойства тонких пленок. Тонкопленочные конденсаторы, пленки тантала и его соединений.
реферат, добавлен 08.12.2012Проект усилителя электрических сигналов первичных измерительных преобразователей систем автоматического регулирования. Входные и выходные характеристики транзисторов. Особенности современных усилителей. Эксплуатационно-технические характеристики системы.
курсовая работа, добавлен 07.12.2012Понятие электроники как передачи, приема, обработки и хранения информации с помощью электрических зарядов. Проблема усилительного элемента для электрических устройств на заре развития электроники. Изобретение триода, технология изготовления транзисторов.
лекция, добавлен 30.07.2013Описание физических свойств, применения, оптики и легирования полупроводников. Изучение состава полупроводникового устройства транзистора, электронно-дырочного механизма проводимости. Анализ зависимости подвижности электронов и дырок от их концентрации.
реферат, добавлен 26.03.2011Роль тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем и в процессе металлизации полупроводниковых приборов. Основные факторы, влияющие на свойства тонких пленок. Сущность подложки, основные виды и задачи. Тонкопленочные резисторы, конденсаторы.
реферат, добавлен 17.03.2013Общие сведения о микросхемах и технологии и укрупненная схема технологического процесса изготовления полупроводниковых интегральных схем. Изготовление монокристалла из полупроводников. Схема установки для выращивания кристаллов по методу Чохральского.
реферат, добавлен 12.01.2013Разработка топологии логической схемы ИМС, предназначенной для эксплуатации в современной электронной аппаратуре. Расчет электрических параметров биполярного транзистора и габаритов интегральных резисторов. Выбор конденсаторов для полупроводников.
курсовая работа, добавлен 06.12.2013Зарождение микроэлектроники как научно-технического направления, обеспечивающего создание радиоэлектронной аппаратуры. Интегральные микросхемы и этапы развития интегральной электроники. Роль тонкопленочной технологии в развитии интегральной электроники.
реферат, добавлен 20.06.2016Основные параметры и свойства полупроводниковых материалов. Методика определения диодов из экспериментальных вольтамперных характеристик. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Компаратор и триггер Шмитта на операционном усилителе.
курс лекций, добавлен 02.03.2017Расчеты амплитудно-, частотно-модулированного и однополосного передатчиков, балансного модулятора, усилительно-умножительного тракта передатчика дециметрового диапазона. Покаскадный электрический расчет режимов транзисторов, согласующих цепей радиатора.
учебное пособие, добавлен 14.04.2013Размещение световых приборов. Выбор источника света. Световой поток лампы. Технические характеристики некоторых светильников. Выбор осветительного щитка. Составление расчетной схемы. Выбор марки проводов, способ их прокладки. Суммарная потеря напряжения.
курсовая работа, добавлен 21.02.2009Виды помех и способы их создания. Построение передатчиков прямошумовых радиопомех. Принципы построения передатчиков шумовых радиопомех с амплитудной модуляцией. Принцип действия передатчика импульсных радиопомех. Общие понятия об электромагнитном оружии.
контрольная работа, добавлен 24.08.2015Возникновение ЭВМ на радиолампах. Исследование влияния полупроводниковых диодов. Переход от точечной и сплавной технологий создания транзисторов к диффузионной. Сущность процесса фотолитографии. Этапы изготовления микросхемы. Интенсивность ее отказов.
лекция, добавлен 01.09.2013Движение электронов в электрических и магнитных полях, электропроводность полупроводников. Устройство, классификация и основные параметры полупроводниковых диодов. Устройство, классификация, схемы включения и принцип действия биполярных транзисторов.
учебное пособие, добавлен 16.04.2015Особенность исследования уровня надежности микроэлектронных систем. Анализ отказов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Изучение устойчивости компонентов электронных схем. Основные составляющие исправности программного обеспечения.
лекция, добавлен 22.03.2018Составление и обоснование перечня измерительных приборов и стандартного оборудования, требуемых для проведения диагностики и последующего ремонта плоттера. Функциональные и принципиальные схемы мультиметра, выбор паяльной станции и его обоснование.
курсовая работа, добавлен 16.04.2014Влияние всестороннего давления на свойства полупроводниковых материалов и на состояния примесных атомов в кремнии. Выбор методики получения высоких давлений при низких температурах. Изучение методов измерения фоточувствительности и магнетосопротивления.
диссертация, добавлен 24.05.2018Биполярные и униполярные (полевые) транзисторы - базовые элементы большинства полупроводниковых интегральных схем. Изучение основных технологические процессов для формирования полупроводниковых структур. Локальное изменение типа проводимости кремния.
презентация, добавлен 01.03.2023Особенности систематизации силовых полупроводниковых преобразователей. Назначение, область применения, состав и классификация судовых полупроводниковых преобразователей. Характеристика и влияние полупроводниковых преобразователей на судовую сеть.
курс лекций, добавлен 08.04.2016Анализ вольтамперных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. Изучение выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком. Режимы работы полупроводниковых приборов. Порядок входного сопротивления транзисторов.
лабораторная работа, добавлен 21.11.2017Изучение основных терминов цифровой электроники. Понятия о полевых и биполярных транзисторах. Электрические и временные параметры цифровых устройств. Схемы включения биполярного транзистора. Шинная организация связей в резисторах и конденсаторах.
лекция, добавлен 12.01.2015Уникальная технология получения монокремния. Структура части высоковольтного N-МОП тиристора. Характеристики транзистров с частичным обеднением кремния. Возможности синтеза полупроводниковых многослойных тонкоплеточных структур в космическом вакууме.
презентация, добавлен 24.05.2014