Олег Лосев – пионер твердотельной полупроводниковой электроники
Разработка полупроводниковых приборов. Изучение Лосевым основ искровых передатчиков и тонкостей радиодела, кристаллических детекторов. Факторы, повлиявшие на выбор места для будущего центра исследований. Квантовая теория строения полупроводников.
Подобные документы
- 101. Электронная техника
Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы, движение электронов в электрических и магнитных полях. Электропроводность полупроводников: дрейфовый и диффузионный токи. Представление о полевых транзисторах и специфика электровакуумных приборов.
учебное пособие, добавлен 11.10.2014 Изучение математических моделей полупроводниковых выпрямительных диодов. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного диода в зависимости от температуры. Графоаналитический метод расчета электрической цепи с нелинейными элементами (диодами).
лабораторная работа, добавлен 04.12.2017Описание структуры кристалла. Электронный тип проводимости. Выбор конструкции элементов схемы, описание методики расчёта выбранных элементов. Расчет реальной длины резистора на кристалле, минимальной толщины диэлектрика. Параметры интегрального резистора.
курсовая работа, добавлен 03.04.2019Влияние внешних, внутренних факторов на метрологические характеристики полупроводниковых измерительных преобразователей с интегрированным чувствительным элементом. Разработка алгоритмических методов уменьшения погрешностей измерительных преобразователей.
автореферат, добавлен 10.12.2013Определение аналоговых запоминающих устройств как приборов выборки и хранения, амплитудных (пиковых) детекторов. Рассмотрение основных составляющих тока утечки МДП-транзистора. Понятие коммутационной ошибки как увеличения напряжения на конденсаторе.
реферат, добавлен 25.01.2012Характеристики оборудования, предназначенного для электрических измерений. Параметры работы усилителей мощности и генераторов токов. Ознакомление с функциями и назначением цифровых и микропроцессорных систем. Виды электронных приборов и устройств.
учебное пособие, добавлен 26.05.2015Изучение приемо-передающих радиокомплексов, их структуры, назначения и основных функций. Описание приемников и передатчиков как составляющих основного оборудования приемо-передающих радиокомплексов. Расчет нисходящего канала связи на заданной частоте.
дипломная работа, добавлен 27.04.2014Основная классификация полупроводников и структур на их основе. Улучшение параметров транзисторов с помощью явления сверхинжекции. Проведение исследования гетеропереходных биполярных транзисторов на основе GaAs. Характеристика оптоэлектронных приборов.
презентация, добавлен 20.01.2022Изучение измерений на оптоволоконном тракте. Анализ параметров, измеряемых при строительстве оптоволоконного тракта, сдаче в эксплуатацию, эксплуатации и по окончании ремонтно-восстановительных работ. Характеристика оптических измерительных приборов.
научная работа, добавлен 23.04.2012Серийные сверхвысокочастотные детекторы отечественных и зарубежных производителей. Электрические параметры широкополосных и узкополосных детекторов. Технические характеристики волноводных детекторов для волноводов, детекторы на основе диодов Шоттки.
статья, добавлен 29.07.2017- 111. Полевые транзисторы
Характеристика и схема полевых транзисторов с управляющим переходом и с изолированным затвором, как полупроводниковых приборов, в которых ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010 Характеристика электропроводности полупроводников как их способности проводить электрический ток при наличии подвижных заряженных частиц. Взаимодействие электрического поля и полупроводника при направленном движении носителей и протекание электротока.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010Выбор контрольно-измерительных приборов для ремонта планшетного сканера. История изобретения осциллографа, описание мультиметра, логического пробника. Оборудование рабочего места техника-электроника. Основные неисправности сканера и методы их устранения.
контрольная работа, добавлен 10.04.2016Техническая характеристика усилителей мощности гармонических и импульсных сигналов. Схематизация выходного каскада и расчет энергетических параметров четырехполюсника. Параметры подбора транзистора и трансформатора для полупроводниковых приборов.
курсовая работа, добавлен 25.11.2013Рассмотрение основных способов определения дифференциального сопротивления RCT стабилитрона. Общая характеристика особенностей полупроводниковых приборов. Знакомство с формулой, по которой рассчитывается дифференциальное сопротивление стабилитрона.
контрольная работа, добавлен 13.01.2020MATLAB как высокоуровневый технический вычислительный язык, интерактивная среда для разработки алгоритмов и визуализации данных. Знакомство с программой для обработки экспериментальных данных сигнальной информации сверхдлинноволновых передатчиков.
статья, добавлен 28.01.2019История развития радиоприемных устройств, влияние исследований А.С. Попова. Назначение и состав блоков структурной схемы приборов. Назначение усилителя и преобразователя радиочастоты. Характеристика амплитудного детектора и фазоинверсного каскада.
курсовая работа, добавлен 16.03.2014Основные свойства, разновидности и классификация полупроводниковых приборов, контактные и поверхностные явления в них. Биполярные и полевые транзисторы. Переключательные и оптоэлектронные полупроводниковые приборы. Логические интегральные схемы.
курс лекций, добавлен 11.09.2012Изучение истории развития оптической радиолокации и принципа действия детектора амплитудно-модулированных сигналов. Характеристика видов схем амплитудных детекторов, методы расчета их составляющих. Обоснование выбора принципиальной схемы радиоприемника.
курсовая работа, добавлен 14.01.2010Применение полупроводниковых приборов в различной радиоэлектронной аппаратуре. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами. Электронно-дырочный p-n переход. Устройство и принцип действия биполярных транзисторов, схемы их включения.
реферат, добавлен 22.03.2010Использование метода сравнения показаний при определении погрешности средств измерений в метрологии. Принцип действия полупроводниковых приборов. Применение транзистора в радиоэлектронике. Средства пожаротушения, их назначение и правила эксплуатации.
контрольная работа, добавлен 07.10.2015Сущность и классификация транзисторов как радиоэлектронных компонентов из полупроводникового материала. Устройство биполярного транзистора. Эпитаксиальные транзисторы. Материалы для изготовления полупроводниковых приборов. Особенности расчёта транзистора.
курсовая работа, добавлен 21.02.2018Характеристики полупроводниковых приборов, имеющих два p-n перехода, пригодных для усиления мощности электрических сигналов. Принцип инжекции носителей в базу транзистора. Свойства коллекторного перехода. Отличия кремниевого и германиевого транзисторов.
реферат, добавлен 24.04.2017Характеристика полупроводниковой интегральной микросхемы, методы оценки технологичности ее конструкции. Особенности и достоинства эпитаксиально-планарной технологии. Технологический маршрут изготовления микросхемы. Детальное описание основных операций.
курсовая работа, добавлен 25.12.2012Назначение и принцип действия радиоприемного устройства. Преобразование принятого радиочастотного колебания в напряжение. Классификация детекторов. Принцип действия и структурные схемы частотных детекторов. Цифровые устройства обработки сигналов.
контрольная работа, добавлен 28.02.2013