Процеси переносу в активних середовищах напівпровідникових лазерів та оптичних підсилювачів на основі асиметричних багатошарових квантово-розмірних гетероструктур
Розвиток напівпровідникових квантово-розмірних лазерів. Феноменологічний аналіз надшвидкої динаміки напівпровідникових оптичних підсилювачів. Дослідження потенціального профілю й спектру власних станів багатошарових квантово-розмірних гетероструктур.
Подобные документы
Створення автоматизованого скануючого суміщеного фототермоакустичного та фотоелектричного мікроскопа для дослідження напівпровідникових структур. З'ясування фізичної природи візуалізації тепловими хвилями властивостей напівпровідника на основі кремнію.
автореферат, добавлен 22.06.2014Фазовий склад плівкових гранульованих сплавів. Моделі розмірних ефектів в електрорезистивних властивостях багатошарових плівок. Методи дослідження кристалічної структури, фазового та елементного складу. Фазовий стан одношарових плівок Co, Fe, Ag та Au.
диссертация, добавлен 08.11.2016Будова, структура та склад напівпровідників. Послідовність операцій при вирощуванні монокристалів. Аналіз методу бестигельно-зонної плавки. Особливість створення інфрачервоних напівпровідникових лазерів і високоефективних термоелектричних перетворювачів.
реферат, добавлен 08.12.2015Розробка та аналіз методів дослідження акустичних властивостей металів, магнітних діелектриків і напівпровідникових гетероструктур. Характеристика особливостей явищ конверсії електромагнітних і пружних полів, а також акустичних ефектів у вольфрамі.
автореферат, добавлен 30.07.2015Теорія фононного та поляронного станів в анізотропних напівпровідникових квантових ямах. Залежність середньої кількості віртуальних фононів полярона від хвильового вектора. Аналіз енергетичного спектра в гетероструктурах із плоскою квантовою ямою.
автореферат, добавлен 25.08.2015Комплексне дослідження фізичних властивостей низько-розмірних систем квазірелятивістських ферміонів. Характеристика ряду квантованих елементів у зовнішньому полі топологічних дефектів. Обчислення температурної кореляції кутового моменту зі спіном.
автореферат, добавлен 29.10.2013Перехід промисловості на сучасну елементну базу. Динаміка напівпровідникових перетворювачів електроенергії. Взаємозв'язок між різними змінними кола через відображення на комплексну площину. Природна комутація вентилів. Годограф перехідного процесу.
автореферат, добавлен 23.02.2014Процеси адсорбції, десорбції, міграції атомів та іонів фосфору, молекул (SiH4) на поверхнях Si(100) і Ge(100) за допомогою квантово-хімічного моделювання. Розрахунок енергетичних характеристик та квазірівноважних станів системи "поверхня-адсорбат".
автореферат, добавлен 28.10.2015- 34. Діагностика напівпровідникових перетворювачів із застосуванням вейвлет-функцій m-ічного аргументу
Формулювання та апробація можливих способів діагностування та класифікації станів перетворювачів за вейвлет-спектрами струмів та напруг. Розробка та впровадження в промислову сферу мікропроцесорних систем діагностики напівпровідникових перетворювачів.
автореферат, добавлен 29.08.2015 - 35. Концентраційні аномалії властивостей в напівпровідникових твердих розчинах на основі телуриду свинцю
Проведено дослідження кристалічної структури, механічних, теплових, гальваномагнітних та термоелектричних властивостей напівпровідникових твердих розчинів на основі телуриду свинцю в системах PbTe-MnTe та PbTe-GeTe в залежності від складу і температури.
автореферат, добавлен 12.07.2014 Дослідження ефектів, що виникають в напівпровідникових структурах при протіканні струмів екстремальна великої густини. Характеристика дослідження механічного руйнування через невідповідність коефіцієнтів теплового розширення плівки і підкладинків.
автореферат, добавлен 12.02.2014Побудова теорії енергетичних спектрів електронів, дірок і оптичних інтерфейсних та обмежених фононів у складних еліптичних квантових дротах. Складні еліптичні квантові дроти, розташовані у масивних напівпровідникових і діелектричних середовищах.
автореферат, добавлен 14.09.2014Встановлення закономірностей фізичних процесів, що протікають у детекторах гамма-випромінювання на основі напівпровідникових сполук CdTe і CdZnTe. Методи поліпшення характеристик детекторів, створення на їхній основі дозиметричних блоків детектування.
автореферат, добавлен 22.07.2014Узагальнення методу самоузгодженого поля на системи багатьох частинок. Побудова квантово-польової теорії збурень. Аналіз ролі порушення симетрії у появі бездисипативних потоків. Дослідження впливу кристалічної структури. Оцінка надпровідних переходів.
автореферат, добавлен 28.07.2014Характеристика літератури та результатів досліджень щодо оптичних властивостей наноматеріалів. Принципи роботи квантових розмірних ефектів наночастинок у роботі надчутливих фотодетекторів. Інтенсивність випромінювання найяскравіших флуоресціюючих молекул.
статья, добавлен 27.07.2016Виявлення залежності спектрів та хвильових функцій електронів від геометричних розмірів складових частин багатошарових сферичних наногетеросистем. Дослідження особливостей локалізації електронів та дірок у періодичних сферичних наногетеросистемах.
автореферат, добавлен 04.03.2014Створення установки для вимірювання кутових залежностей інтенсивностей поляризованого світла, розробка надійного методу визначення оптичних сталих ультратонких плівок та визначення їх товщини. Дослідження розмірних ефектів та кута брюстера тонких плівок.
автореферат, добавлен 07.03.2014Фізичні основи технології створення низькорозмірних і об'ємних напівпровідникових структур та їх електричні, фотоелектронні та оптичні властивості. Розрахунок параметрів енергетичного спектра напівпровідникових чотирикомпонентних твердих розчинів.
автореферат, добавлен 24.06.2014Розробка методики вимірювань параметрів напівпровідникових кристалів кремнію в умовах контрольованого ультразвукового навантаження. Дослідження температурної залежності поперечної акустоелектричної напруги в шаруватій системі п’єзоелектрик-напівпровідник.
автореферат, добавлен 23.02.2014Фізичні властивості низькорозмірних напівпровідникових гетероструктур. Дослідження морфологічного переходу від двомірного псевдоморфного росту до трьохмірного в InxGa1-xAs/GaAs наноструктурах. Комбінаційне розсіювання світла в InAs/Al(Ga)Sb структурах.
автореферат, добавлен 30.10.2015Виявлення наявності істотного струмового перегріву активної області інфрачервоних випромінювачів відносно корпуса приладу. Встановлення взаємозв'язку інжекційно-термічних і рекомбінаційних процесів у напівпровідникових випромінювачах ІЧ – діапазону.
автореферат, добавлен 29.07.2014Закономірності транспорту заряду та зміни оптичних характеристик у напівпровідникових матеріалах. Спряжені поліарилени під дією зовнішніх факторів – температури, електричного поля, протонного та акцепторного легування. Спряжені поліарилени у пристроях.
автореферат, добавлен 28.07.2014Визначення природи контактних явищ в гетероструктурах з надпровідними і ненадпровідними купратними металооксидами. Особливості утворення ненадпровідних фаз на поверхні та межах розділу ВТНП гетероструктур. Методи твердофазного синтезу буферних шарів.
автореферат, добавлен 12.07.2014Удосконалення методів визначення втрат потужності в перетворювальних пристроях, які працюють в різних режимах. Розробка математичної моделі напівпровідникових перетворювачів постійного та змінного струму працюючих в автономних системах електропостачання.
автореферат, добавлен 29.07.2014Теорія оптичних констант. Дослідження поверхневих поляритонів в напівпровідниках та діелектриках. Метод порушеного повного відбивання. Поверхневі поляритони в системі ZnO на сапфірі. Дослідження структури окису цинку на сапфірі методами ІЧ спектроскопії.
курсовая работа, добавлен 09.05.2020