Процеси переносу в активних середовищах напівпровідникових лазерів та оптичних підсилювачів на основі асиметричних багатошарових квантово-розмірних гетероструктур
Розвиток напівпровідникових квантово-розмірних лазерів. Феноменологічний аналіз надшвидкої динаміки напівпровідникових оптичних підсилювачів. Дослідження потенціального профілю й спектру власних станів багатошарових квантово-розмірних гетероструктур.
Подобные документы
Напрямки вивчення процесів формування тунельного струму в резонансно-тунельних діодах на основі AlGaAs/GaAs гетероструктур. Дослідження можливостей практичного застосування квантово-розмірних ефектів для застосування в опто- та мікроелектроніці.
автореферат, добавлен 29.08.2014Дослідження екситонних спектрів у квантово-розмірних структурах різного типу з урахуванням ефекту просторового обмеження, скінченності висоти потенціальних бар’єрів. Вплив зовнішнього оточення внаслідок його поляризації в області межі розділу середовищ.
автореферат, добавлен 27.08.2014Аналіз особливостей моделювання підсилення в лазерах з об'ємними й квантоворозмірніми шарами. Вплив температурних ефектів на оптичне підсилення лазерів. Розробка комп'ютерної моделі для дослідження напівпровідникових лазерів різних конструкцій.
автореферат, добавлен 22.02.2014Дослідження властивостей двовимірного електронного газу в провідному каналі гетероструктури в наносекундному діапазоні. З’ясування природи квантово-розмірних ефектів, притаманних гарячим електронам. Вивчення кінетики провідного каналу гетероструктур.
автореферат, добавлен 12.07.2015Дослідження опису генерації оптичного випромінювання у напівпровідникових лазерах на гетероструктурах із масивними і квантоворозмірними активними шарами, взаємодії оптичного випромінювання з матеріалом активних елементів волоконно-оптичних систем.
автореферат, добавлен 22.04.2014Розробка методики для контролю геометричного стану слабкорельєфної поверхні підкладинок методом багатокутової еліпсометрії. Дослідження чутливості еліпсометричного методу до визначення геометричних і оптичних параметрів квантово-розмірних структур.
автореферат, добавлен 23.02.2014Розгляд особливостей створення теорії коливальної релаксації оптично активних молекул в активних середовищах ексимерних лазерів. Характеристика проблем встановлення точних значень кінетичних параметрів молекул. Аналіз кінетичного рівняння Фоккера-Планка.
автореферат, добавлен 29.07.2014Методи покращення експлуатаційних характеристик напівпровідникових лазерів з електронним накачуванням. Дослідження процесів деградації лазерів даного типу. Розробка експериментальних зразків лазерів та технології виготовлення багатоелементних мішеней.
автореферат, добавлен 14.10.2015Встановлення закономірностей впливу розмірних ефектів на магнітні та термоелектричні властивості надграток EuS-PbS. Можливість існування в напівпровідникових НГ EuS-PbS міжшарової обмінної взаємодії феромагнітних шарів через немагнітні прошарки.
автореферат, добавлен 28.07.2014- 10. Вплив модового складу на робочі характеристики напівпровідникових лазерів з вертикальним резонатором
Теоретичний опис впливу модового складу випромінювання напівпровідникових лазерів з вертикальним резонатором, оксидним вікном і квантоворозмірним активним шаром. Модифікація дифузійно-динамічної моделі за рахунок введення аналізу в термінах концентрацій.
автореферат, добавлен 27.07.2014 Дослідження властивостей багатошарових InxGa1-xAs/GaAs наноструктур, InAs/AlSb гетероструктур з квантовими ямами. Модель процесу формування квантових точок, що впливають на зміну оптичних спектрів фотолюмінесценції, розсіювання світла цих гетероструктур.
автореферат, добавлен 27.08.2014Пошук нових надпровідних напівпровідникових структур і з'ясування механізму, що відповідає за надпровідні властивості цих гетероструктур. Вибір матеріалів, на основі яких можуть бути створені інші епітаксіальні напівпровідникові гетероструктури.
автореферат, добавлен 29.07.2014- 13. Фотоелектричні властивості багатошарових напівпровідникових SiGe гетероструктур з наноострівцями
Розрахунок зонної діаграми гетеропереходу SiGe-острівець/Si-оточення, використовуючи данні про компонентний склад та деформації SiGe наноострівців, отримані з аналізу спектрів. Взаємодія оптичного випромінювання з багатошаровими гетероструктурами з SiGe.
автореферат, добавлен 29.08.2015 - 14. Реакційно-дифузійні процеси в системах з поверхнею поділу "метал-газ": квантово-статистичний опис
Теорія процесів переносу для систем типу "метал–адсорбат–газ". Квантово-статистична теорія рівноважних характеристик металевих систем. Розрахунок рівноважних функцій розподілу електронів. Процеси переносу електронної підсистеми напівобмеженого металу.
автореферат, добавлен 26.08.2015 Фізична модель появи та розвитку оборотних відмов напівпровідникових діодів, обумовлених трансформацією енергії струмів, наведених імпульсним електромагнітним випромінюванням, в енергію власних електромагнітних коливань напівпровідникових приладів.
автореферат, добавлен 30.07.2015Інтерференційні багатошарові нерівнотовщинні структури для оптичних селективних фільтрів в інфрачервоній та видимій областях спектру. Зв'язок оптичних і геометричних параметрів елементів в системі з коефіцієнтами пропускання, відбивання та поглинання.
автореферат, добавлен 26.09.2015Аналіз основних структурних змін, що відбуваються у напівпровідникових кристалах при легуванні шляхом імплантації та при наступних технологічних обробках. Встановлення ролі легуючої домішки бору в утворенні електрично-активних кисневмісних комплексів.
автореферат, добавлен 07.08.2014Огляд використання напівпровідникових випромінювачів та модуляції оптичного випромінювання по інтенсивності. Дослідження проектування та монтажу передавальних квантово-електронних модулів. Аналіз цифрових систем передачі у волоконно-оптичному зв’язку.
реферат, добавлен 08.01.2011- 19. Діагностика напівпровідникових перетворювачів із застосуванням вейвлет-функцій m-ічного аргументу
Аналіз напівпровідникових перетворювачів як об'єктів діагностування, розгляд методів обробки діагностичних даних. Розробка підходів до діагностування напівпровідникових перетворювачів на основі вейвлет-спектрів часових залежностей їх струмів та напруг.
автореферат, добавлен 24.07.2014 Дослідження динаміки класичних та напівкласичних моделей одномодових твердотільних лазерів з різними модуляторами добротності методом біфуркації народження циклу. Основні біфуркаційні процеси в напівкласичних моделях одномодових лазерів біжучої хвилі.
статья, добавлен 23.10.2010Проектування прожектора лазерного растрового підсвічування, який базується у блоці з пружного матеріалу розмірами 100х100 мм, та в якому розміщені 10 напівпровідникових лазерів ІЧ-випромінювання. Керування розбіжним віялом світлових пучків лазерів.
статья, добавлен 29.10.2016Розгляд особливостей електронного спектра, хімічного зв’язку, оптичних, термодинамічних та структурних властивостей напівпровідникових твердих розчинів заміщення. Розробка підходу до аналізу термодинамічної стабільності невпорядкованих твердих розчинів.
автореферат, добавлен 27.07.2014Дослідження перебудови домішково-дефектних станів у сполуках під дією високочастотного електромагнітного випромінювання. Вивчення модифікації структури напівпровідників. Вплив випромінювання на спектр дефектних станів напівпровідникових кристалів.
автореферат, добавлен 29.09.2015Розробка нових акусто-оптичних методик дослідження об’ємних монокристалів та сучасних низькорозмірних структур - напівпровідникових гетеропереходів, квантових ям та мікрокристалітів. Спостереження нових порогових акусто-оптичних ефектів у твердих тілах.
автореферат, добавлен 23.11.2013Властивості кремнієвих структур та їх механізми люмінесценції. Модель квантової ями та циліндричної квантової нитки, що знаходиться в діелектричному оточенні. Сферична напівпровідникова квантова точка з діелектричною сталою у діелектричному середовищі.
автореферат, добавлен 30.10.2015