Технология изготовления интегральных логических микросхем на основе GaAs
Характеристика понятия, свойств инверторов. Вольтамперные характеристики инвертора. Технологический маршрут создания инвертора на основе двух полевых транзисторов с барьером Шоттки. Изучение технологий, используемых в создание инвертора на основе GaAs.
Подобные документы
Сферы применения усилительных приборов. Виды мощностей электронных устройств. Построение принципиальной электрической схемы операционного каскада. Выходные характеристики транзистора. Расчет инвертора переменного тока. Логические функции усилителя.
реферат, добавлен 10.01.2015Описания особенностей конструирования интегральных микросхем и радиоэлектронной аппаратуры на их основе. Структура ячейки флэш-памяти. Обзор внутреннего устройства микросхемы. Основные элементы биполярных микросхем. Конструктивно-технологические типы ИМС.
презентация, добавлен 20.07.2013Этапы проектирования интегральных схем. Элементарные функции алгебры логики. Представление логических функций в виде формул. Электрические параметры цифровых интегральных микросхем. Применение метода токовых графов для схемотехнического проектирования.
учебное пособие, добавлен 14.07.2016Обзор интегральных микросхем в системах управления производственными процессами. Аналоговые и цифровые электронные устройства. Принцип построения аналоговых и цифровых интегральных микросхем. Микромодульный способ конструирования радиоаппаратуры.
статья, добавлен 02.06.2016Микроэлектроника как комплекс конструкторских, технологических и схемотехнических вопросов проектирования и изготовления радиоэлектронных приборов с использованием интегральных микросхем, имеющих малые габариты, массу и повышенную механическую прочность.
реферат, добавлен 20.11.2012Моделирования энергомощностных и температурных характеристик для диодных биполярной структуры и структуры с барьером Шоттки на основе кремния при воздействии последовательности импульсов СВЧ электромагнитного излучения. Роль тепловой релаксации.
статья, добавлен 30.10.2018Получение основных характеристик КМОП-устройств, а именно инвертора и операционного усилителя под воздействием электрического стресса с помощью программного моделирования. Анализ старения КМОП-устройств. Инструменты для анализа временной деградации.
дипломная работа, добавлен 04.12.2019Моделирование вольт-амперных характеристик диода Шоттки на карбиде кремния 4H-SiC c контактом Шоттки из титана (Ti), с использованием программы TCAD. Максимальная напряженность электрического поля для карбида кремния, график обратной характеристики.
статья, добавлен 03.11.2018Современные перспективы развития электроники. Технология изготовления и принципы функционирования полупроводниковых диодов. Классификация полевых транзисторов и их условное обозначение. Изучение особенностей функционирования динистора и тринистора.
контрольная работа, добавлен 19.04.2014Фундамент развития электроники и создания электронных приборов. Изобретение лампы накаливания. Создание электровакуумного диода и приемо-усилительных радиоламп. Предпосылки появления транзисторов, интегральных микросхем. Этапы развития микроэлектроники.
дипломная работа, добавлен 07.07.2014Рассмотрение методики исследований интегральных микросхем на стойкость в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения. Изучение повреждений печатных плат радиоэлектронной аппаратуры. Анализ нарушений работоспособности интегральных микросхем.
статья, добавлен 30.10.2018Изучение свойств полевых транзисторов - полупроводниковых элементов, которые в отличие от обычных биполярных транзисторов управляются электрическим полем, то есть практически без затрат мощности управляющего сигнала. Режим насыщения и напряжение отсечки.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012Рабочий участок выходной характеристики транзистора. Неудобство полевых транзисторов. Питание цепи затвора и стока. Определение коэффициента усиления усилителя на основе полевого транзистора. Зависимость тока стока от напряжения на затворе и стоке.
лекция, добавлен 30.07.2013Разработка физико-технологического базиса создания планарных квазиодномерных структур наноэлектроники и способов формирования функциональных устройств. Применение методов микроэлектроники интегральных сенсорных устройств на основе углеродных нанотрубок.
автореферат, добавлен 30.01.2018Маркировка резисторов, конденсаторов, диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных микросхем. Определение, классификация, основные характеристики и параметры усилителей. Рассмотрение влияния обратных связей на характеристики и параметры усилителя.
шпаргалка, добавлен 01.10.2017Общая характеристика беспроводных сетевых технологий. Архитектура и компоненты сети. Сравнение стандартов беспроводной передачи данных. Изучение рынка Wi-Fi технологий, безопасность функционирования сетей на основе протокола 802.11 и его аналогов.
курсовая работа, добавлен 25.03.2011Схематизация конструкции инвертора, предназначенного для индукционного нагрева и плавки. Изучение возможностей интегрирования устройства для преобразования тока в существующее оборудование лабораторных установок. Регулирование мощности в инверторе.
статья, добавлен 19.01.2015Функции, механические свойства и технические требования к подложкам интегральных микросхем. Определение суммарного припуска на механическую обработку и коэффициента использования материала. Ломка подложек на платы. Сущность процесса скрайбирования.
курсовая работа, добавлен 03.12.2010- 69. Моделирование динамических параметров логических элементов для синтеза цифровых интегральных схем
Разработка средств автоматизации расчета динамических параметров логических элементов, составляющих базу данных для синтеза цифровых интегральных микросхем. Расчет параметров логических элементов, необходимых для работы систем автоматического синтеза.
автореферат, добавлен 31.07.2018 Конструкция, строение и принцип действия транзисторов. Анализ их работы с разной схемой включения. Виды параметров транзисторов. Типы приборов и их системы обозначений. Расчет маломощного биполярного транзистора на основе германия, усиление его мощности.
курсовая работа, добавлен 18.12.2012Анализ маршрутных технологических процессов производства типовых интегральных микросхем. Разработка структурной схемы технологического процесса. Толстопленочные проводники и резисторы. Производство толстопленочных гибридных больших интегральных схем.
курсовая работа, добавлен 10.01.2013Описание функционального назначения микропроцессорной системы. Главная сущность используемых микросхем. Особенность распределения адресного пространства. Анализ тактового генератора и буферных регистров. Характеристика работы принципиальной схемы.
курсовая работа, добавлен 08.04.2016Выбор принципа конструирования печатной платы и серии логических интегральных микросхем. Расчет теплового режима блока, параметров электрических соединений, надежности. Описание технологии изготовления печатной платы комбинированным позитивным методом.
курсовая работа, добавлен 05.06.2015Рассмотрение принципов работы, характеристик и типовых схем включения простейших логических элементов - инверторов, буферов, элементов "И" и "ИЛИ". Приведение схемотехнических решений, позволяющих реализовать на их основе часто встречающиеся функции.
лекция, добавлен 12.01.2015Основные логические операции, используемые в цифровых устройствах. Построение электронных ключей на транзисторах. Принципиальная схема инвертора с инжекционным питанием, его передаточная характеристика. Определение уровня логического нуля и единицы.
реферат, добавлен 24.04.2017