Лазеры терагерцового диапазона частот на примесных центрах в кремнии и германии
Исследование неравновесных населенностей состояний мелких доноров и акцепторов в полупроводниках кремния, германия. Измерение малосигнального коэффициента терагерцового усиления. Отработка методики низкотемпературной внутрирезонаторной спектроскопии.
Подобные документы
Исследование особенностей фотоэлементов на основе аморфного кремния, кристаллических пленок кремния, органических материалов и на красителях. Электрические свойства поликристаллического кремния. Способы производства поликристаллических пленок кремния.
реферат, добавлен 13.04.2014Физические основы полупроводниковых лазеров. Характеристики инжекционного лазера. Оптика полупроводниковых лазеров, измерения спектра усиления. Гетероструктуры и наноструктуры. Эпитаксия полупроводниковых материалов. Лазеры на основе наноструктур.
книга, добавлен 07.08.2013Измеряемые параметры напряжений. Классификация вольтметров в зависимости от структурной схемы, рабочего диапазона частот. Принцип работы измерительного механизма электромеханического прибора. Достоинства магнитоэлектрических приборов с преобразователями.
контрольная работа, добавлен 19.09.2015- 29. Р-п переходы
Сущность р-п перехода как структуры, содержащей дырочную и электронную области полупроводника. Процесс диффузии доноров или акцепторов. Возникновение дрейфового тока. Понятие области объёмного заряда как области, в которой изменяются энергетические зоны.
лекция, добавлен 29.10.2013 Определение принципов наблюдения расщепления невырожденных термов с разной поляризацией. Рассмотрение кристалла антрацена. Характеристика изотопических эффектов. Обзор эффекта Рашбы как коллективизации примесных состояний. Изучение опыта Симпсона.
реферат, добавлен 10.08.2015Рассмотрение задачи о поглощении мощности высокочастотного электромагнитного поля в сверхпроводнике, удовлетворяющем условию грязного предела. Получение выражения для члена источника в кинетическом уравнении для функции распределения квазичастиц.
статья, добавлен 30.10.2018Освоение методов анализа одномерной линейной непрерывной системы с помощью среды Scilab. Эквивалентные модели в пространстве состояний и в форме "нули-полюса". Определение коэффициента усиления в установившемся режиме и полосу пропускания системы.
контрольная работа, добавлен 18.03.2024Общие сведения о полупроводниках, распределение электронов по энергиям в атоме твердого тела. Кристаллическая решётка. Плоская модель идеальной решётки полупроводника. Понятие примесных полупроводников, их электропроводность и энергетические диаграммы.
методичка, добавлен 13.06.2011- 34. Измерение тока
Анализ методов измерения постоянного и переменного тока. Расчет шунта рамки прибора для заданного диапазона измерений. Исследование методики поверки приборов прямого действия для выявления соответствия прибора обозначенному на нем классу точности.
лабораторная работа, добавлен 06.04.2015 Синтез оптимального алгоритма оценки нестабильного во времени коэффициента усиления приемника в СВЧ модуляционном радиометре. Аналитические выражения для предельных погрешностей оценивания. Целесообразность фильтрации оценок фильтром Калмана-Бьюси.
статья, добавлен 25.12.2016Характеристики и распределение потенциала в области пространственного заряда в полупроводниковой структуре. Энергетические уровни различных примесей в кремнии. Оценка концентрации нейтральных атомов акцепторной примеси и свободных носителей зарядов.
реферат, добавлен 30.05.2017Классификация веществ по величине и температурной зависимости проводимости. Представления об электропроводности собственных и примесных полупроводников. Зависимость концентрации носителей заряда и уровня Ферми в полупроводниках с одним типом примеси.
курсовая работа, добавлен 29.05.2024Измерение размеров силицидов кобальта, образующихся при диффузионном легировании кремния атомами кобальта методом малоуглового рассеяния излучения лазера. Специфика образования силицидов кобальта размерами 0,8-30 мкм в приповерхностной области кремния.
статья, добавлен 22.06.2015Механические свойства нитевидных кристаллов кремния и германия при внешних воздействиях и методы их изучения. Создание миниатюрных и высокопрочных тензорезисторов. Определение возможностей их применения. Пластическая деформация нитевидных кристаллов.
статья, добавлен 04.12.2018- 40. Эффект Холла
Эффект Холла в ферромагнетиках и полупроводниках, при примесной проводимости, при собственной проводимости, на инерционных электронах в полупроводниках. Квантовый и спиновый эффект Холла. Измерение эффекта Холла на образцах прямоугольной формы.
реферат, добавлен 03.06.2015 Теоретические основы методики измерения вязкости при помощи вискозиметра Оствальда. Последовательность осуществления эксперимента. Рекомендации по обработке результатов эксперимента. Расчет погрешности измерений. Требования к технике безопасности.
методичка, добавлен 02.10.2017Анализ влияния концентрации нанокластеров примесей марганца на условия возбуждения и параметров автоколебания тока в кремнии в условиях сильной компенсации. Создание нового поколения высокочувствительных многофункциональных датчиков физических величин.
статья, добавлен 23.02.2021Описание особенностей производства, общих свойств и области применения полупроводниковых лазеров. Изучение принципа создания инверсной населенности в полупроводниках. Анализ твердотельных лазеров нового поколения. Характеристика их нелинейной динамики.
отчет по практике, добавлен 13.04.2017Экспериментальное построение характеристик транзистора, определение коэффициента усиления по току, проверка формулы Эберса-Молла. Условные обозначения и простейшие модели, отражающие структуру транзисторов. Отношение тока коллектора к току базы.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012Понятие, сущность, принцип работы, устройство и области применения полупроводниковых лазеров. Особенности создания инверсной населенности в полупроводниках. Анализ параметров и структуры лазерного диода. Характеристика основных свойств лазерного луча.
курсовая работа, добавлен 23.07.2010Механизм анодного окисления кремния. Влияние толщины плёнки на её электрофизические свойства. Создание структур "кремний на изоляторе", измерение методом эллипсометрии. Исследование электрофизических свойств структур в условиях анодного окисления.
дипломная работа, добавлен 15.10.2013Анализ состояния примесных атомов цинка в халькогенидах свинца эмиссионным вариантом спектроскопии ядерного гамма-резонанса на изотопах 67Ga(67Zn) и 67Cu(67Zn). Распределение электронной плотности в кристалле при переходе его в сверхпроводящее состояние.
статья, добавлен 22.06.2015Изучение результатов по получению двумерных структур макропористого кремния. Исследование фотофизических процессов в нанопокритии элемента. Проводимость и поглощение спектра макропористого кремния. Функциональные возможности болометрического материала.
статья, добавлен 18.03.2014Диапазон частот, пропускаемых фильтром без затухания. Основные фильтрующие свойства четырехполюсников. Классификация фильтров в зависимости от диапазона пропускаемых частот. Связь коэффициентов четырехполюсника с параметрами элементов схемы замещения.
реферат, добавлен 30.03.2017Характеристика понятия и определения видов электрических фильтров. Изучение симметричных реактивных фильтров, на примере схемы четырехполюсника. Расчет диапазона частот, удовлетворяющих схемы сопротивления. Обзор граничных частот полосы пропускания.
реферат, добавлен 23.07.2013