Лазеры терагерцового диапазона частот на примесных центрах в кремнии и германии
Исследование неравновесных населенностей состояний мелких доноров и акцепторов в полупроводниках кремния, германия. Измерение малосигнального коэффициента терагерцового усиления. Отработка методики низкотемпературной внутрирезонаторной спектроскопии.
Подобные документы
Сущность и общие свойства низкотемпературной плазмы. Основные параметры равновесной и неравновесной низкотемпературной плазмы. Процессы возбуждения и ионизации газа, рекомбинация заряженных частиц. Неустойчивости и структуры низкотемпературной плазмы.
реферат, добавлен 03.04.2013Разработка метода выращивания мультикристаллического кремния с данными свойствами на основе металлургического кремния высокой чистоты для создания физических основ промышленной технологии получения мультикристаллического кремния для солнечной энергетики.
автореферат, добавлен 26.07.2018Общая характеристика полупроводников, их строения и принципа действия. Определение понятий диффузионного и дрейфового токов. Построение соотношения Эйнштейна. Определение диффузии и дрейфа неравновесных носителей заряда с разными вариантами проводимости.
реферат, добавлен 05.11.2017Изучение молекулярно-лучевой эпитаксии кремния, кристаллизации пленки путем испарения кремния на подложку в сверхвысоком вакууме. Анализ методов получения захороненных слоев, способов очистки поверхности кремния с помощью системы дифракции электронов.
курсовая работа, добавлен 07.06.2011Исследование динамики развития различных альтернативных источников энергии по землям Германии и оценка их значимости в общем объеме производства электроэнергии страны. Изменение выработки электроэнергии на базе альтернативных источников энергии Германии.
статья, добавлен 19.02.2019Описание диагностического комплекса для исследования поверхностных плазмон-поляритонов, генерированных монохроматическим излучением терагерцового лазера на свободных электронах. Примеры экспериментов, демонстрирующие работу детектирующих систем.
статья, добавлен 08.11.2018Исследование возможностей оптимизации одномерного Рамановского усилителя оптических сигналов для увеличения коэффициента усиления проходящих и отраженных сигналов. Осуществление проверки эффективности увеличения активной среды фотонных кристаллов.
статья, добавлен 29.06.2017Исследование кинетики химических реакций для решения задач физики взрыва и определения параметров роста hi-tech структур. Регистрация линий поглощения аммиака и азотной кислоты. Определение времени и температуры выхода каждого из продуктов разложения.
статья, добавлен 30.10.2018Вывод формулы для коэффициента теплопроводности. Исследование решеточной и электронной теплоёмкости твердых тел. Поведение фононов при высоких температурах. Распределение электронов в металле. Фононная теплопроводность в диэлектриках и полупроводниках.
курсовая работа, добавлен 15.12.2018Методика вычисления кривой распределения поля и ее построения в полярных координатах. Определение всех необходимых критических электромагнитных волн в случае прямоугольного волновода. Характеристика диапазона частот для волновода данного сечения.
контрольная работа, добавлен 26.01.2015Ознакомление с примером идентификации структуры индивидуальной углеродной нанотрубки. Рассмотрение результатов экспериментов по резонансной спектроскопии. Исследование и анализ данных электронной микроскопии, электронной дифракции и спектроскопии.
статья, добавлен 29.06.2017Преимущества и область применения низкотемпературной газоразрядной плазмы галогенводородов. Исследование кинетики процессов образования и гибели нейтральных и заряженных частиц в бинарных смесях. Вычисление интегральных характеристик электронного газа.
автореферат, добавлен 14.12.2017Измерение параметров эквивалентной схемы катушки индуктивности в диапазоне частот. Расчет значения эффективной емкости и сопротивления. Вычисление реальных параметров катушки. Измерение зависимости емкости C и тангенса угла потерь конденсатора от частоты.
лабораторная работа, добавлен 23.06.2015Задачи по расчету характеристик погрешностей измерений с однократными наблюдениями. Измерение коэффициента усиления усилителя напряжения с помощью цифрового милливольтметра. Необходимое электрическое сопротивление цепи. Характеристики вольтметра.
учебное пособие, добавлен 12.10.2013Лазерный диод — полупроводниковый лазер. Виды и конструкция лазерных диодов. Лазеры на двойной гетероструктуре. Диод с квантовыми ямами. Гетероструктурные лазеры с раздельным удержанием. Лазеры с распределённой обратной связью. Применение лазерных диодов.
реферат, добавлен 13.08.2013- 66. Низкочастотная диэлектрическая релаксация в стеклообразной системе Ge28.5Рb15S56.5 с примесью железа
Исследование электронных свойств и роли локализованных состояний, определяющих особенности щели подвижности в халькогенидных полупроводниках. Введение железа в стекла и последующий рост электропроводности и уменьшение энергии активации электропроводности.
статья, добавлен 12.05.2018 Зависимость схемотехники каскадов от коэффициента усиления, входного и выходного сопротивлений. Каскад общий эмиттер на биполярном транзисторе. Коллекторная нагрузка как причина увеличения сопротивления без уменьшения величины протекающего тока.
реферат, добавлен 14.11.2014Установление послойного элементного состава структур покрытие / подложка, формируемых на кремнии и графите ионно-ассистированным нанесением покрытий в условиях самооблучения. Развитие физической модели изменения структуры и смачиваемости поверхности.
автореферат, добавлен 19.08.2018Изучение механизмов возникновения и распространения звуковых волн. Понятие о колебательном движении. Основные сведения из акустики, определение диапазона частот. Проведение практических опытов по извлечению звука, исследование особенности его передачи.
разработка урока, добавлен 15.01.2015- 70. Моделирование наноразмерных областей разупорядочения, созданных ионизирующими частицами в кремнии
Разработка модели и анализ результатов моделирования образования наноразмерных областей разупорядочения в кремнии при облучении потоком ионизирующих частиц с учётом параметров материала и условий облучения. Образование первичных радиационных дефектов.
автореферат, добавлен 27.07.2018 Уравнение классической диффузии. Механизмы диффузионных процессов в полупроводниках. Модель диффузии на основе аппроксимации Паде с приращением изменения концентрации по времени. Дробно-дифференциальное представление процесса диффузии в полупроводниках.
статья, добавлен 30.04.2018Разработка методики расчета собственных частот крутильных и изгибно-крутильных колебаний валопроводов электронасосных агрегатов. Экспериментальное определение спектра собственных частот балки как упрощенной модели валопровода электронасосного агрегата.
статья, добавлен 28.08.2016Эффективные методы определения размеров цилиндрических нанообъектов свободных объемов пор, полостей, пустот, их концентраций и химического состава в месте аннигиляции в пористых системах и некоторых дефектных материалах. Нанодефекты в пористом кремнии.
статья, добавлен 13.11.2018Структурная схема автоматической системы с численными значениями коэффициентов. Характеристическая кривая критерия Найквиста. Колебательный график переходного процесса с коэффициентом усиления. Увеличение коэффициента усиления для неустойчивости системы.
лабораторная работа, добавлен 28.03.2013- 75. Совместная адсорбция метана и неполярных углеводородов мезопористым силикагелем в присутствии воды
Изучение адсорбции метана на гидротермально обработанном силикагеле Si-40 в изобарических условиях при 200–280 K в присутствии воды, бензола и хлористого метилена методом низкотемпературной 1Н ЯМР спектроскопии. Образование ван-дер-ваальсовых комплексов.
статья, добавлен 01.04.2014