Структура кристаллической решетки полупроводников
Кристаллическая решетка полупроводников. Изучение периодичности расположения атомов в пространстве. Индексы узлов направлений и плоскостей в кристалле. Возникновение сразу двух точечных дефектов. Полное или частичное испарение атомов с поверхности.
Подобные документы
Рассмотрение одноэлектронной волновой функции, полученной решением математического уравнения Шрёдингера, описывающего движение волны в трехмерном пространстве. Рассмотрение формы орбиталей атомов. Определение особенности их расположения в пространстве.
презентация, добавлен 01.11.2015Физические процессы, происходящие в полупроводниках под воздействием внешних ионизаторов. Строение полупроводников, их отличительные особенности собственной и примесной проводимости. Практическое применение полупроводников в электронных устройствах.
презентация, добавлен 05.10.2015Простейшие модели тепловых колебаний, их анализ и основные параметры. Тепловые колебания атомов решетки, потенциальная энергия их взаимодействия. Групповая скорость распространения данных колебаний и порядок их определения, а также влияющие факторы.
презентация, добавлен 07.12.2020Периоды дифракционной решетки, формула для многолучевой интерференции, понятие угловой дисперсии и дисперсии Фраунгофера. Характеристика и разрешающая сила спектрального прибора, критерий Рэлея при изображении близлежащих одинаковых точечных источников.
реферат, добавлен 01.10.2014Знакомство с основными методами определения зависимости сопротивления металлов и полупроводников от температуры. Анализ электрических свойств твердых тел. Особенности экспериментальной установки для измерения сопротивлений проводника и полупроводника.
реферат, добавлен 17.05.2017Этапы совершенствования полупроводниковой технологии для решения задач микроминиатюризации и интеграции электронной аппаратуры. Особенности примесной проводимости, эффект компенсации доноров и акцепторов. Измерение удельного сопротивления полупроводников.
курсовая работа, добавлен 03.06.2016Минимальный объем кристаллического тела, в котором обнаруживается закономерность расположения атомов. Гексагональная плотноупакованная решетка и ее объем. Параметры, координационное число и базис. Явление полиморфизма (аллотропии) в железе и титане.
презентация, добавлен 27.09.2015Металлический блеск, пластичность, высокая электро- и теплопроводность как характерные свойства металлов. Ионизированное состояние атомов в металле. Типы кристаллических решеток в металлах. Параметры гексагональной решетки. Строение металлических сплавов.
реферат, добавлен 13.04.2015Классификация веществ по величине и температурной зависимости проводимости. Представления об электропроводности собственных и примесных полупроводников. Зависимость концентрации носителей заряда и уровня Ферми в полупроводниках с одним типом примеси.
курсовая работа, добавлен 29.05.2024История открытия рентгеновских лучей. Изучение электромагнитных волн, которые излучаются при торможении электронов. Исследование дифракции рентгеновских лучей. Порядок расположения атомов в пространстве. Особенности устройства рентгеновской трубки.
презентация, добавлен 22.05.2014Основы теории электропроводности полупроводников. Дрейфовый, диффузионный ток. Контактные явления. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия. Полупроводниковые диоды, стабилитроны и стабисторы. Анализ принципа действия биполярного транзистора.
учебное пособие, добавлен 21.09.2018Эффект выпрямления тока на контакте металл-полупроводник. Энергия активации проводимости полупроводниковых переключателей. Свойства полупроводников, электропроводность металлических сплавов. Строение выпрямителей, усилителей и принцип их действия.
реферат, добавлен 10.01.2018Электрические свойства полупроводников. Правила включения транзистора в электрическую цепь. Изменение сопротивления полупроводников при нагревании и охлаждении. Устройство и действие электрического термометра сопротивления. Односторонняя проводимость.
курсовая работа, добавлен 31.03.2011Кристаллическая структура элементарных полупроводников кремния и германия, изображение элементарной ячейки этих кристаллов. Зонная диаграмма p-n-перехода в равновесии и при прямом смещении. Выходная ВАХ биполярного транзистора в схеме с общей базой.
контрольная работа, добавлен 26.01.2013Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения. Правила измерения интенсивности поглощенного излучения. Вычисление температурной зависимости электропроводности полупроводников и металлов. Расчет энергии упругости.
лабораторная работа, добавлен 19.12.2015Взаимодействие атомов с поверхностью неметаллов. Области активационного и релаксационного катализа. Разработка модели механизма гетерогенной рекомбинации атомов при участии метастабильных электронных состояний, генерируемых ионизирующим излучением.
статья, добавлен 30.01.2016Кристаллографические системы координат. Линейный кристалл с двумя атомами в ячейке. Обзор теорий колебаний кристаллической решётки с дефектами. Методика расчета спектра колебаний кристаллической решетки молибдата стронция с помощью потенциала Морзе.
дипломная работа, добавлен 09.09.2015Закономерности кристаллического строения материи, зависимость физических свойств кристаллов в зависимости от их внутреннего строения. Пространственная решетка как геометрический образ расположения атомов или молекул, из которых состоит данный кристалл.
презентация, добавлен 23.09.2013Электрический ток - перенос электрических зарядов. Концентрация электронов в зоне проводимости. Электропроводность зоны проводимости полупроводников. Влияние примесей на электропроводность. Скорость электрона как производная от энергии по импульсу.
лекция, добавлен 30.07.2013Понятие энергетического уровня как дискретного расстояния в атомах. Закон формирования спектров атомов и ионов. Расчет спектров атомов гелия, лития и бериллия. Экспериментальное доказательство линейного взаимодействия электронов с протонами ядер.
статья, добавлен 04.02.2019Энергетические диаграммы примесных полупроводников. Концентрация носителей заряда и удельная проводимость, факторы, влияющие на нее. Инвертирующий усилитель: схема, принцип работы, коэффициент усиления, условия и факторы эффективного применения.
контрольная работа, добавлен 11.03.2015Исследование поля точечного источника в свободном пространстве. Рассмотрение поля ненаправленного точечного излучателя в выбранном секторе. Вычисление поля точечных электромагнитных излучателей в слоистых средах с учетом отражения волн от границ раздела.
статья, добавлен 18.01.2022Исторические сведения об изучении тока и электричества. Физика полупроводников. Собственная проводимость полупроводников. Зонная теория проводимости. Приместная проводимость. Устройство и принцип действия полупроводниковых приборов. Диод и стабилитрон.
реферат, добавлен 03.11.2008Обсуждаются условия помещения одиночных атомов или ионов в дефекты фотонных кристаллов, в которых с помощью локальных полей атомы удерживаются от взаимодействия с поверхностью твердых тел. Использование фотонных кристаллов в качестве матрицы для атомов.
статья, добавлен 19.06.2018Рассмотрение энергетических зон полупроводников. Определение генерации и рекомбинации носителей заряда. Исследование температурных зависимостей подвижности носителей заряда и удельной проводимости. Расчет времени жизни неравновесных носителей заряда.
презентация, добавлен 29.08.2015