Структура кристаллической решетки полупроводников
Кристаллическая решетка полупроводников. Изучение периодичности расположения атомов в пространстве. Индексы узлов направлений и плоскостей в кристалле. Возникновение сразу двух точечных дефектов. Полное или частичное испарение атомов с поверхности.
Подобные документы
Экспериментальное исследование и теоретический анализ возможных механизмов автоэмиссии в нанозеренной структуре наиболее применяемых полупроводников (Si, GaAs, InAs, InSb). Модельная схема электронных процессов. Электронный спектр исследуемых структур.
статья, добавлен 18.09.2018Анализ результатов исследования влияния примеси теллура на оптико-электрические свойства эпитаксиальных слоев GaxIn(1-x)PySb(1-y). Измерение длины волн пиков фотолюминесценции. Воздействие примеси теллура на упорядочение атомов кристаллической решетки.
статья, добавлен 15.05.2017Анализ структур ядер атомов, а также самих атомов, молекул, ионов и кластеров, следующих из учебника "Физхимия микромира". Отражение в них информации, следующей из результатов многочисленных экспериментальных исследований. Построение 3D-моделей.
статья, добавлен 05.02.2019Исследование стенда для лазерного охлаждения и захвата атомов кальция в магнитооптическую ловушку. Получение магнитооптической ловушки из атомов кальция-40 и оптимизация ее параметров. Наблюдение узкого резонанса флуоресценции атомного пучка кальция.
статья, добавлен 12.08.2020Обоснование конструкции оптико-электронного устройства регистрации магнитограмм. Кристаллическая структура и параметры решетки. Крепление оптических элементов. Нанесение зеркального покрытия термическим испарением в вакууме. Сборка измерительной ветви.
дипломная работа, добавлен 01.10.2017Влияние температуры и точечных дефектов на свойства твердого тела. Исследование физико-химического механизма ионизации органических соединений азота, фосфора, мышьяка и серы на поверхности оксидов переходных металлов. Точечные дефекты в оксидах металлов.
автореферат, добавлен 31.03.2018Рассмотрение физических механизмов удержания большого количества протонов в ядрах атомов и большого количества электронов в электронных оболочках атомов. Исследование и характеристика формирования структур атома при связанных протон–электрон парах.
статья, добавлен 06.03.2018Принцип работы прибора неразрушающего контроля электрофизических параметров полупроводников. Принципы построения генератора управляемого напряжением. Выбор и разработка квадратичного детектора. Методика измерения удельного сопротивления кристалла кремния.
дипломная работа, добавлен 30.05.2014Экспериментальные данные о микромире в спектрах атомов и ионов. Влияние отсутствия теории спектров на извлечение пользы из этого экспериментального массива. Особенности и суть теории спектров. Линейное взаимодействие электронов с протонами ядер атомов.
статья, добавлен 05.02.2019Расчет скорости испарения с поверхности водоемов. Определение относительной влажности воздуха. Конденсационный рост аэрозольных частиц в атмосфере. Изучение методов теплового баланса и турбулентной диффузии. Установление скорости геострофического ветра.
контрольная работа, добавлен 09.06.2016Рассмотрение устройства амплитудной и фазовой дифракционной решетки; особенности спектров, получаемых с ее помощью. Экспериментальное определение угловой дисперсии и разрешающей способности в различных порядках спектра фазовой дифракционной решетки.
методичка, добавлен 13.08.2013Возникновение дрейфового и диффузионного токов в полупроводниках. Понятие и структура электронно-дырочного перехода, его особенности при отсутствии внешнего напряжения, при прямом и обратном напряжении. Вольтамперная характеристика p-n-перехода.
реферат, добавлен 27.01.2011Одиночный спин и гильбертово пространство. Тензорное произведение Гильбертовых пространств. Модель Хаббарда: моделирование и программное обеспечение. Расчет спиновых цепочек и диаграммы связанных цепочек атомов. Результаты расчетов фазовых диаграмм.
дипломная работа, добавлен 27.08.2018Ознакомление с геометрическими, энергетическими, поверхностными и объемными дефектами кристаллической решетки. Рассмотрение наиболее вероятных механизмов образования вакансий по теории Френкеля. Характеристика основных особенностей вектора Бюргерса.
реферат, добавлен 08.11.2011Использование дифракционных методов при получении информации о строении кристаллов. Идентификация вещества по его кристаллической структуре. Вычисление межплоскостного расстояния по уравнению Брэгга-Вульфа. Определение параметра кубической решетки.
лабораторная работа, добавлен 10.11.2021- 66. Термический отжиг кластеров и точечных дефектов в n-Si (Cz), облученном быстрыми нейтронами реактора
Исследование термической стабильности кластеров и точечных дефектов в n-Si, выращенном методом Чохральского (Cz), после облучения быстрыми нейтронами реактора. Процесс аннигиляции вакансионного типа дефектов кластеров с межузельными атомами кремния.
статья, добавлен 07.10.2013 Исследование отражательных свойств макета нелинейной микрополосковой решетки с подложкой из метаматериала. Частотные характеристики отражения энергии. Изучение возможностей выравнивания кратных гармонических составляющих в отраженном от решетки поле.
статья, добавлен 05.11.2018Характеристики, особенности и процесс возникновения мартенсита. Энергетическое отличие диэлектриков oт полупроводников и металлических проводников c точки зрения зонной теории твepдoгo тела. Описание зависимости магнитных свойств ферритов от состава.
реферат, добавлен 21.04.2016Изучение эффекта излучения или поглощения обменной частицы. Связь образования новых химических элементов с дефектом массы. Расчеты при термоядерном синтезе ядер атомов гелия из ядер атомов водорода. Закономерности взаимодействий частиц в микромире.
статья, добавлен 28.03.2020Влияние на фотоэлектрические свойства пленок медного фталоцианина модификации формы молекул периферийными и аксиальными заместителями. Критическая толщина, выше которой кристаллическая подложка не оказывает ориентирующего воздействия на молекулы пленки.
автореферат, добавлен 31.07.2018Типы полупроводников c примесями n-типа и p-типа. Структура полупроводникового диода. Граница раздела двух областей с различной проводимостью. Включение диода в простейшую электрическую цепь. Вольт-амперная характеристика диода. Выпрямительные диоды.
реферат, добавлен 07.07.2016Типы полупроводников c примесями n-типа и p-типа. Структура полупроводникового диода. Граница раздела двух областей с различной проводимостью. Включение диода в простейшую электрическую цепь. Вольт-амперная характеристика диода. Выпрямительные диоды.
реферат, добавлен 11.12.2011Понятие и особенности статической и динамической поляризации молекул, сущность индуктивного, кулоновского, мезомерного и пространственного эффекта. Определение электроотрицательности атомов и заряда ядра, принципы замещения орбиталей и пар электронов.
презентация, добавлен 29.07.2015Проведение спектроскопических исследований и открытие линейчатых спектров атомов. Опыт Э. Резерфорда по исследованию внутренней структуры атомов. Содержание квантовых постулатов Бора. Особенности возникновения и применения свойств лазерного излучения.
презентация, добавлен 04.12.2019Изучение методом молекулярной динамики конформационных изменений макроцепей полиаланина на поверхности однослойной углеродной нанотрубки и фуллерена в зависимости от изменения водородного показателя. Анализ зависимости концентрации атомов макромолекул.
статья, добавлен 19.12.2019