Структура кристаллической решетки полупроводников
Кристаллическая решетка полупроводников. Изучение периодичности расположения атомов в пространстве. Индексы узлов направлений и плоскостей в кристалле. Возникновение сразу двух точечных дефектов. Полное или частичное испарение атомов с поверхности.
Подобные документы
Полупроводники как вещества с электронной электропроводностью, удельные сопротивления которых при нормальной температуре занимают промежное расположение среди металлов. Анализ особенностей влияния внешних факторов на электропроводность полупроводников.
статья, добавлен 05.05.2022Анализ результатов исследования влияния примеси теллура на оптико-электрические свойства эпитаксиальных слоев GaxIn(1-x)PySb(1-y). Измерение длины волн пиков фотолюминесценции. Воздействие примеси теллура на упорядочение атомов кристаллической решетки.
статья, добавлен 15.05.2017Экспериментальное исследование и теоретический анализ возможных механизмов автоэмиссии в нанозеренной структуре наиболее применяемых полупроводников (Si, GaAs, InAs, InSb). Модельная схема электронных процессов. Электронный спектр исследуемых структур.
статья, добавлен 18.09.2018Анализ структур ядер атомов, а также самих атомов, молекул, ионов и кластеров, следующих из учебника "Физхимия микромира". Отражение в них информации, следующей из результатов многочисленных экспериментальных исследований. Построение 3D-моделей.
статья, добавлен 05.02.2019Исследование стенда для лазерного охлаждения и захвата атомов кальция в магнитооптическую ловушку. Получение магнитооптической ловушки из атомов кальция-40 и оптимизация ее параметров. Наблюдение узкого резонанса флуоресценции атомного пучка кальция.
статья, добавлен 12.08.2020Обоснование конструкции оптико-электронного устройства регистрации магнитограмм. Кристаллическая структура и параметры решетки. Крепление оптических элементов. Нанесение зеркального покрытия термическим испарением в вакууме. Сборка измерительной ветви.
дипломная работа, добавлен 01.10.2017Влияние температуры и точечных дефектов на свойства твердого тела. Исследование физико-химического механизма ионизации органических соединений азота, фосфора, мышьяка и серы на поверхности оксидов переходных металлов. Точечные дефекты в оксидах металлов.
автореферат, добавлен 31.03.2018Рассмотрение физических механизмов удержания большого количества протонов в ядрах атомов и большого количества электронов в электронных оболочках атомов. Исследование и характеристика формирования структур атома при связанных протон–электрон парах.
статья, добавлен 06.03.2018Принцип работы прибора неразрушающего контроля электрофизических параметров полупроводников. Принципы построения генератора управляемого напряжением. Выбор и разработка квадратичного детектора. Методика измерения удельного сопротивления кристалла кремния.
дипломная работа, добавлен 30.05.2014Экспериментальные данные о микромире в спектрах атомов и ионов. Влияние отсутствия теории спектров на извлечение пользы из этого экспериментального массива. Особенности и суть теории спектров. Линейное взаимодействие электронов с протонами ядер атомов.
статья, добавлен 05.02.2019Расчет скорости испарения с поверхности водоемов. Определение относительной влажности воздуха. Конденсационный рост аэрозольных частиц в атмосфере. Изучение методов теплового баланса и турбулентной диффузии. Установление скорости геострофического ветра.
контрольная работа, добавлен 09.06.2016Рассмотрение устройства амплитудной и фазовой дифракционной решетки; особенности спектров, получаемых с ее помощью. Экспериментальное определение угловой дисперсии и разрешающей способности в различных порядках спектра фазовой дифракционной решетки.
методичка, добавлен 13.08.2013Возникновение дрейфового и диффузионного токов в полупроводниках. Понятие и структура электронно-дырочного перехода, его особенности при отсутствии внешнего напряжения, при прямом и обратном напряжении. Вольтамперная характеристика p-n-перехода.
реферат, добавлен 27.01.2011Одиночный спин и гильбертово пространство. Тензорное произведение Гильбертовых пространств. Модель Хаббарда: моделирование и программное обеспечение. Расчет спиновых цепочек и диаграммы связанных цепочек атомов. Результаты расчетов фазовых диаграмм.
дипломная работа, добавлен 27.08.2018Ознакомление с геометрическими, энергетическими, поверхностными и объемными дефектами кристаллической решетки. Рассмотрение наиболее вероятных механизмов образования вакансий по теории Френкеля. Характеристика основных особенностей вектора Бюргерса.
реферат, добавлен 08.11.2011Использование дифракционных методов при получении информации о строении кристаллов. Идентификация вещества по его кристаллической структуре. Вычисление межплоскостного расстояния по уравнению Брэгга-Вульфа. Определение параметра кубической решетки.
лабораторная работа, добавлен 10.11.2021- 67. Термический отжиг кластеров и точечных дефектов в n-Si (Cz), облученном быстрыми нейтронами реактора
Исследование термической стабильности кластеров и точечных дефектов в n-Si, выращенном методом Чохральского (Cz), после облучения быстрыми нейтронами реактора. Процесс аннигиляции вакансионного типа дефектов кластеров с межузельными атомами кремния.
статья, добавлен 07.10.2013 Исследование отражательных свойств макета нелинейной микрополосковой решетки с подложкой из метаматериала. Частотные характеристики отражения энергии. Изучение возможностей выравнивания кратных гармонических составляющих в отраженном от решетки поле.
статья, добавлен 05.11.2018Характеристики, особенности и процесс возникновения мартенсита. Энергетическое отличие диэлектриков oт полупроводников и металлических проводников c точки зрения зонной теории твepдoгo тела. Описание зависимости магнитных свойств ферритов от состава.
реферат, добавлен 21.04.2016Изучение эффекта излучения или поглощения обменной частицы. Связь образования новых химических элементов с дефектом массы. Расчеты при термоядерном синтезе ядер атомов гелия из ядер атомов водорода. Закономерности взаимодействий частиц в микромире.
статья, добавлен 28.03.2020Влияние на фотоэлектрические свойства пленок медного фталоцианина модификации формы молекул периферийными и аксиальными заместителями. Критическая толщина, выше которой кристаллическая подложка не оказывает ориентирующего воздействия на молекулы пленки.
автореферат, добавлен 31.07.2018Типы полупроводников c примесями n-типа и p-типа. Структура полупроводникового диода. Граница раздела двух областей с различной проводимостью. Включение диода в простейшую электрическую цепь. Вольт-амперная характеристика диода. Выпрямительные диоды.
реферат, добавлен 07.07.2016Типы полупроводников c примесями n-типа и p-типа. Структура полупроводникового диода. Граница раздела двух областей с различной проводимостью. Включение диода в простейшую электрическую цепь. Вольт-амперная характеристика диода. Выпрямительные диоды.
реферат, добавлен 11.12.2011Понятие и особенности статической и динамической поляризации молекул, сущность индуктивного, кулоновского, мезомерного и пространственного эффекта. Определение электроотрицательности атомов и заряда ядра, принципы замещения орбиталей и пар электронов.
презентация, добавлен 29.07.2015Проведение спектроскопических исследований и открытие линейчатых спектров атомов. Опыт Э. Резерфорда по исследованию внутренней структуры атомов. Содержание квантовых постулатов Бора. Особенности возникновения и применения свойств лазерного излучения.
презентация, добавлен 04.12.2019