Эллипсометрия процессов молекулярно-лучевой эпитаксии Cd1-xHgxTe

Разработка комплекса методических и аппаратных средств, направленных на создание эллипсометрического контроля при выращивании методом молекулярно-лучевой эпитаксии наноструктур на основе теллуридов кадмия и ртути. Оптические постоянные пленок КРТ.

Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.