Эллипсометрия процессов молекулярно-лучевой эпитаксии Cd1-xHgxTe
Разработка комплекса методических и аппаратных средств, направленных на создание эллипсометрического контроля при выращивании методом молекулярно-лучевой эпитаксии наноструктур на основе теллуридов кадмия и ртути. Оптические постоянные пленок КРТ.
Подобные документы
Разработка технологии выращивания гетероструктур и структур с квантовыми ямами методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Гибридная микросборка матричных фотоприёмных модулей. Описание кремниевого мультиплексора с кадровой частотой считывания изображения.
статья, добавлен 23.06.2013Изучение строения объемных образцов наноструктурных материалов. Технологии осаждения тонкопленочного вещества на подложку из парогазовой фазы, плазмы. Исследование особенностей металлических нанопроводников. Установки для молекулярно-лучевой эпитаксии.
лекция, добавлен 05.05.2015Использование гетеропары GaAs/AlGaAs, создаваемой эпитаксиальным ростом. Эффект автомодуляции состава твердых растворов. Электронно-лучевая пушка с термоэмиссионным катодом. Зависимость давления пучков галлия и мышьяка от угла ориентации подложки.
курсовая работа, добавлен 14.01.2014Принцип квантования и условия наблюдения квантовых размерных эффектов. Структуры с двумерным, одномерным (квантовые нити) и с нуль-мерным (квантовые точки) электронным газом. Технология квантово-размерных структур. Метод молекулярно-лучевой эпитаксии.
реферат, добавлен 03.05.2019Изучение молекулярно-лучевой эпитаксии кремния, кристаллизации пленки путем испарения кремния на подложку в сверхвысоком вакууме. Анализ методов получения захороненных слоев, способов очистки поверхности кремния с помощью системы дифракции электронов.
курсовая работа, добавлен 07.06.2011Использование технологий молекулярно-пучковой эпитаксии, реализация структур для полупроводниковой электроники. Выращивание тонких полупроводниковых плёнок. Вакуумное напыление веществ в виде молекулярных пучков. Квантовая монокристаллическая подложка.
реферат, добавлен 19.05.2017Разработка оптимальных физико-технологических условий роста пленок теллурида цинка. Описание стационарных характеристик при выращивании разными методами: жидкофазной эпитаксии и вакуумного напыления. Процесс изучения влияния примесей алюминия и лития.
автореферат, добавлен 29.08.2013Эксперименты по нанесению тонких пленок ITO. Изучение возможности использования прозрачных проводящих пленок оксида индия и олова, получаемых методом электронно-лучевого напыления, в качестве контактного материала для отражающего контакта к слою p-GaN.
статья, добавлен 05.11.2014Анализ результатов исследований и разработок фотодиодов и матричных фотоприёмников на основе твердых растворов теллуридов кадмия и ртути. Характеристика структуры, топологии и параметров фотодиодных матриц. Электрические схемы кремниевых мультиплексоров.
статья, добавлен 23.06.2013Ионно-лучевой метод получения композиционных и многослойных пленок. Основные методики измерения температурных зависимостей электрического сопротивления, кривых намагниченности и комплексной магнитной проницаемости гетерогенных тонкопленочных образцов.
автореферат, добавлен 16.02.2018Ионно-плазменные методы получения тонких пленок. Молекулярно-лучевая эпитаксия и лазерное распыление. Суть химических вакуумных методов. Электрохимическое осаждение покрытий и химическая металлизация. Оптические свойства пленок аморфных оксидов ванадия.
курсовая работа, добавлен 15.08.2011Формирование аморфных наногранулированных пленок типа "металл-диэлектрик" методом ионно-лучевого напыления на лавсановой подложке большой площади. Проведение исследования распределения толщины, концентрации и относительного объема металлической фазы.
статья, добавлен 05.11.2018Назначение, классификация и основные устройства осциллографов. Устройство осциллографической электронно-лучевой трубки, анализ ее эксплуатационных параметров. Динамическая чувствительность на частотах. Структурная схема универсального осциллографа.
реферат, добавлен 01.03.2012Сравнение рекомбинации неравновесных носителей в InGaN квантовых точках и квантовых ямах, излучающих в зеленом диапазоне спектра. Оптические исследования с использованием температурно-зависимой фотолюминесценции в различных уровнях лазерного возбуждения.
статья, добавлен 26.06.2016Анализ работы методики мониторинга лучевой терапии, с использованием гибкой сцинтилляционной пленки (смеси Gd2O2S: Tb (GOS) с силиконом), общих оптических детекторов и алгоритмов обработки изображений для визуализации лучей в реальном времени (RT-BV).
статья, добавлен 20.02.2019История развития представлений о природе тепловых явлений. Основные положения молекулярно-кинетической теории. Молекулярно-кинетическая теория идеального газа. Объяснение механических свойств твердых тел на основании молекулярно-кинетической теории.
учебное пособие, добавлен 07.08.2017Описание основных положений молекулярно-кинетической теории. Сущность изменения агрегатного состояния вещества. Молекулярно-кинетическая теория идеальных газов. Экспериментальные газовые законы. Температура, как мера средней кинетической энергии.
контрольная работа, добавлен 11.10.2016Принцип работы принимающей электронно-лучевой трубки. Угол отклонения луча трубки. Ионная ловушка, задержка подачи напряжения на анод либо модулятор. Достоинства и недостатки электронно-лучевых трубок. Цветные кинескопы, маски современных кинескопов.
курсовая работа, добавлен 09.02.2017Основные понятия молекулярно-кинетической теории. Уравнение Клапейрона-Менделеева. Изотермический, изохорный и изобарный процессы. Основное уравнение молекулярно-кинетической теории. Кинетическая энергия поступательного движения молекул идеального газа.
реферат, добавлен 13.09.2015Различия в свойствах тел. Распределение молекул по скоростям, броуновское движение. Эксперименты, лежащие в основе молекулярно-кинетической теории. Понятие идеального газа. Температура и способы ее измерения. Уравнение состояния идеального газа.
реферат, добавлен 01.04.2015Основные положения молекулярно-кинетической теории и ее опытные обоснования. Вычисление длины свободного пробега молекулы газа. Основные уравнения молекулярно-кинетической теории идеального газа для давления. Энергия поступательного движения молекул газа.
реферат, добавлен 03.04.2015Молекулярно-кинетическая теория газов - учение, объясняющее тепловые явления в газовых средах и свойствах на основе их молекулярного строения. Положение и взаимодействие частиц газов: диффузия, броуновское движение, изменение агрегатных состояний.
шпаргалка, добавлен 28.04.2012Оптические и фотоэлектрические свойства полупроводников GaN I. и ZnO. Параметры экситонов в монокристаллах и эпитаксиальных слоях GaN на основе анализа спектров отражения и поглощения. Методы оценки механических напряжений в гетероэпитаксиальных слоях.
диссертация, добавлен 25.11.2013Критические параметры эпитаксиальных пленок сплавов при их применении в гетеропереходных устройствах и их напряженность, плотность дефектов и подвижность носителей. Молекулярно-лучевая эпитаксия. Особенности совмещения кремниевой и германиевой технологии.
реферат, добавлен 28.04.2016Характер влияния неравновесности транспорта на температурно-полевую зависимость подвижности носителей заряда в молекулярно допированных полимерах. Роль полимерной матрицы в формировании кривых переходного тока, измеренных индуцированным методом.
дипломная работа, добавлен 28.12.2016