Особенность закона Мура и масштабирования интегральных схем
Характеристика экспансии и следствия закона Мура. Анализ нового технологического процесса, представленного корпорацией Intel. Сущность традиционного планарного транзистора. Формирование емкости на затворе. Особенность бесконтактной диагностики микросхем.
Подобные документы
Широкое применение интегральных микросхем в цифровой электронике. Разработка структурной схемы устройства автоматизации, управляющего нагревательным элементом печи. Выбор серии интегральных микросхем, датчиков, источников питания, устройства согласования.
курсовая работа, добавлен 25.03.2015Сущность основы построения и функционирования схем с применением регистров для хранения и обработки информации. Анализ параллельных аналого-цифровых преобразователей. Применение сдвиговых реестров для умножения двоичных чисел последовательным методом.
лекция, добавлен 15.09.2015Функциональные группы комбинационных микросхем. Функции шифраторов и дешифраторов. Комбинационные логические структуры, преобразующие код числа. Совокупность схем совпадений, формирующих рабочий (управляющий) сигнал. Примеры микросхем дешифраторов.
реферат, добавлен 12.06.2009Роль тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем. Тонкопленочная металлизация полупроводниковых приборов и интегральных схем. Фактор, влияющий на свойства тонких пленок. Процесс изготовления двухуровневой металлизации в системе А1-А1гОз-А1.
контрольная работа, добавлен 21.01.2017Особенность основного закона распределения вероятности значений и измеряемой величины интервала. Характеристика однократного измерения силы электрического тока при помощи амперметра. Проведение исследования находки количества измерительной информации.
контрольная работа, добавлен 13.04.2016Особенность создания операционных усилителей для работы с обратной связью. Основные предостережения при использовании дифференциального устройства. Характеристика инвертирующих и неинвертирующих приборов. Главный анализ линейных элементов в цепи.
лекция, добавлен 21.02.2015Дослідження будови та принципу дії біполярного транзистора, напівпровідникового елемента електронних схем. Вивчення режимів його роботи та схем включення. Аналіз впливу ефектів другого порядку на характеристики біполярного транзистора в активному режимі.
реферат, добавлен 08.11.2013Основные параметры биполярного транзистора, формирование его малого и большого сигнала. Расчёт принципиальной схемы усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе, назначение и принцип действия. Амплитудно-частотные характеристики усилителей.
курсовая работа, добавлен 20.09.2014Особенность проектирования топологии печатных плат. Применение интегральных схем разной степени интеграции при разработке цифровых устройств и проверки их на работоспособность. Создание технических приспособлений на основе пакетов прикладных программ.
отчет по практике, добавлен 22.03.2018Проблема прогнозирования надежности радиоэлектронной аппаратуры. Анализ модели прогнозирования интенсивности отказов микросхем с точки зрения возможности разделения интенсивности отказов микросхемы на сумму напряженностей отречений кристалла и корпуса.
статья, добавлен 08.12.2018Расчёт тонкоплёночных резисторов и конденсаторов. Определение минимальной толщины диэлектрического слоя и оптимального сопротивления квадрата резистивной плёнки. Выбор материала и транзистора. Разработка гибридной интегральной микросхемы усилителя.
курсовая работа, добавлен 16.08.2014Метод диэлектрической изоляции. Комбинированная изоляция элементов интегральной микросхемы. Последовательность операций технологического процесса производства биполярных полупроводниковых интегральной микросхемы с диэлектрической изоляцией элементов.
лабораторная работа, добавлен 14.11.2013Обоснование конструктивно-технологического исполнения гибридной интегральной микросхемы. Проведение конструктивного расчета тонкопленочных резисторов и конденсаторов, подбор навесных компонентов. Выбор материала платы, определение ее минимальных размеров.
курсовая работа, добавлен 03.12.2010Исследование электронных ключей на биполярных транзисторах и интегральных логических микросхем. Мультивибраторы на логических элементах. Триггерные структуры на интегральных микросхемах. Принцип действия реверсивного двоичного счетчика импульсов.
методичка, добавлен 18.04.2014Назначение и использование цифровых интегральных микросхем, основы для их построения. Полупроводниковые, пленочные и гибридные микросхемы, их функции и особенности. Принцип работы цифровых микросхем, их свойства, основные параметры, конструкция.
презентация, добавлен 10.05.2013Описания особенностей конструирования интегральных микросхем и радиоэлектронной аппаратуры на их основе. Структура ячейки флэш-памяти. Обзор внутреннего устройства микросхемы. Основные элементы биполярных микросхем. Конструктивно-технологические типы ИМС.
презентация, добавлен 20.07.2013Исследование таблицы состояний входов мультиплексоров. Характеристика принципиальной схемы генератора тактовых импульсов. Методы расчета резистора, который ограничивает ток через светодиод. Алгоритм определения необходимой частоты генерации сигнала.
курсовая работа, добавлен 28.11.2017Разработка структурной, функциональной и электрической принципиальной схем цифрового устройства, алгоритм его работы. Выбор и обоснование критериев подбора интегральных микросхем, их сравнительная оценка. Проектирование генератора тактовых импульсов.
курсовая работа, добавлен 24.09.2011Разработка спецификаций функциональных элементов больших интегральных схем для моделирования поведения неисправных цифровых устройств. Описание устройства для реализации анализа полноты теста; методика вывода контрольного сигнала на выходы микросхем.
дипломная работа, добавлен 25.02.2013Ознакомление с предварительными данными для расчета усилителя. Характеристика процесса выбора транзистора и напряжения источника питания. Расчет режима транзистора по постоянному току, а также элементов, обеспечивающих рабочий режим транзистора.
контрольная работа, добавлен 31.10.2014Характеристика кремниевых транзисторов с изолированным затвором. Рассмотрение особенностей технологического процесса изготовления FinFET-транзистора. Анализ функций нанотранзисторов на основе углеродных нанотрубок. Знакомство с проблемами GaN-технологии.
дипломная работа, добавлен 17.12.2013Создание прецизионных резисторов и конденсаторов. Гибридная технология создания интегральных микросхем, работающих в СВЧ диапазоне. Характеристики подложек и резисторов. Параметры материалов, применяемых для изготовления тонкопленочных конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 06.11.2017Важнейшие причины удивительных свойств лазерного луча. Характеристика главных типов лазеров. Основной анализ направлений по внедрению световой техники в военное дело. Особенность качеств электромагнитных волн. Сущность параметров и назначения локаторов.
реферат, добавлен 08.02.2015Характеристика функциональной и конструктивной схем датчика давления, который может применяться в авиационном приборостроении. Главная особенность использования устройства в системах контроля, диагностики и в информационно-измерительных концепциях.
статья, добавлен 29.11.2016Влияние параметров межсоединений на динамические характеристики печатных плат, интегральных схем. Требования к оборудованию рабочих мест, освещенности. Уменьшение паразитной индуктивности проводников на печатной плате. Погонная емкость между проводниками.
дипломная работа, добавлен 30.07.2016