Електронні процеси на границі розділу органічних напівпровідників
Дослідження фізичних явищ в тонкоплівкових гетероструктурах на основі органічних напівпровідників. Електронний процес на границі розділу фоточутливих шарів. Створення ефективних органічних світлодіодів, транзисторів, сенсорів та сонячних елементів.
Подобные документы
- 51. Динамічна взаємодія ударних хвиль з поверхнею розділу трансверсально-ізотропних пружних середовищ
Створення програмного забезпечення з метою розв’язування задач про поширення ударних хвиль у пружних анізотропних середовищах і їхній взаємодії з поверхнями розділу середовищ з різними механічними властивостями. Розвиток наукових методів дослідження.
автореферат, добавлен 12.02.2014 Характеристики прямої й оберненої кристалічних ґраток. Властивості електронів. Ознайомлення з основами квантової теорії. Механізми коливання атомів. Види дефектів у напівпровідниках. Дифузійні і дрейфові струми. Електропровідність напівпровідників.
учебное пособие, добавлен 27.08.2015Побудова теорії взаємодії екситонів з домішками, флуктуаціями та неоднорідностями їх розподілу в низьковимірних структурах на основі напівмагнітних напівпровідників. Механізми парамагнітного підсилення гігантського спінового розщеплення екситонних рівнів.
автореферат, добавлен 25.02.2014Дослідження механізму орієнтаційної впорядкованості й димероутворення в ультратонких пристінних шарах рідин з анізометричними молекулами. Квантовомеханічні розрахунки електронно-коливальних спектрів молекул нітробензолу й анізолу у різних фазових станах.
автореферат, добавлен 14.09.2014Дослідження інтенсивності тепловіддачі багатокомпонентних органічних сумішей. Аналіз підсистем термостабілізації біогазових установок та теплотехнологічних основ процесу біоконверсії. Властивості середовищ, що використовуються як сировина в установках.
автореферат, добавлен 28.09.2015Власна та домішкова провідність напівпровідників. Зростання електропровідності напівпровідника з ростом температури. Використання ефекту Холла. Енергетичні зони в кристалах, їх розщеплення. Обгрунтування позитивних та негативних сторін фотоопорів.
методичка, добавлен 16.07.2017Фотопровідність напівпровідників. Оптична генерація носіїв току. Характеристики і параметри напівпровідників: вольт-амперна, спектральна, енергетична, температурна, гранична. Фотодіоди з внутрішнім підсиленням. Застосування і перспективи фотоприймачів.
реферат, добавлен 19.02.2009Дослідження фотоіндукованих змін в світлочутливих аморфних халькогенідних плівках. Механізм формування поверхневого рельєфу при голографічному записі в багатошарових наноструктурах на основі халькогенідних склоподібних напівпровідників і аморфного селену.
автореферат, добавлен 20.04.2014Актуальність потреби у складних напівпровідникових системах. Переваги вузькощілинних напівмагнітних напівпровідників. Ефективність цих напівпровідників для практичного використання як матеріалів для фотоприймачів спектрального діапазону 0.9-1.5 мкм.
автореферат, добавлен 12.02.2014Мідний прецизійний термоперетворювач опору, використання тонкоплівкових технологій. Електронні схеми ємнісних давачів для дослідження температурного коефіцієнту розширення ємнісним дилатометром. Безконтактний вимірювач температури, термоанемометр.
автореферат, добавлен 29.09.2015Дослідження механізмів самоіндукованного формування квантових точок і впливу геометричних та структурних факторів на енергетичний спектр. Аналіз особливостей процесів, що реалізуються за участю електронних, екситонних, фононних і плазмових збуджень.
автореферат, добавлен 28.01.2016Аналіз автоматизованого вимірювального комплексу для визначення основних електричних і енергетичних характеристик сонячних елементів та сонячних батарей. Створення математичної моделі для розрахунку енергетичних характеристик фотоелектричних систем.
автореферат, добавлен 27.07.2015Власна провідність напівпровідників. Енергія, потрібна електрону для міжзонального переходу. Концентрація вільних носіїв у верхній частині валентної зони і нижній частині зони провідності. Відстань між рівнями в зоні провідності і валентній зоні.
лабораторная работа, добавлен 28.07.2017Вивчення основних можливостей створення низькоенергозатратних і дешевих за ціною джерел випромінювання світла, основою яких є органічні світловипромінюючі пристрої (OLED), які ефективно випромінюють світло при протіканні електричного струму через них.
статья, добавлен 30.01.2017Встановлення закономірностей одночасного впливу лазерного опромінення та гріючого носія заряду електричного поля на електронні процеси та розповсюдження хвиль у напівпровідниках. Побудова теорії фотовідгуку напівпровідника в умовах фото-Ганн-ефекту.
автореферат, добавлен 30.08.2014Електрофізичні властивості напівпровідників. Створення малогабаритної електронної апаратури. Електронно-дірковий перехід. Утворенні ковалентних зв’язків, відповідно вільних носіїв зарядів для здійснення провідності. Поняття про біполярні транзистори.
конспект урока, добавлен 03.04.2014Установка для вивчення температурної залежності електропровідності напівпровідників. Ознайомлення з одним із методів визначення ширини забороненої зони в напівпровідниках. Формула енергії активації. Коефіцієнт температурної чутливості терморезистора.
лабораторная работа, добавлен 09.07.2017Поняття напівпровідників та їх характерні властивості. Будова та особливості напівпровідникових матеріалів. Електропровідність напівпровідників та їх електричні властивості: власна та домішкова провідність, донорні та акцепторні рівні, глибокі домішки.
курсовая работа, добавлен 29.03.2011Лазери як найточніші та найбільш універсальні інструменти для обробки та аналізу матеріалів. Параметри та механізми перебігу основних фізичних процесів в низькоенергетичній плазмі металів і напівпровідників та полікристалічних сполук на їх основі.
автореферат, добавлен 29.07.2014Розробка спін-електронної моделі аморфних магнітних металічних сплавів і напівпровідників. Розвиток методів дослідження моделі, розрахунок на її основі електронного спектру та густини електронних станів, спектру спінових хвиль у довгохвильовій області.
автореферат, добавлен 25.08.2014Теоретична оцінка параметрів осадження компонентів пари на підкладку, оптимізація умов напилення шарів. Особливості впливу концентраційного профілю та хімічного складу елементів-модифікаторів на параметри тонкоплівкових структур на основі As2S3.
автореферат, добавлен 22.04.2014- 72. Електронні ефекти в спектрах електровідбивання приповерхневих шарів матеріалів ІV та АІІІ ВV груп
Особливості електронних явищ в приповерхневих шарах сильно легованих твердих розчинів германій-кремній. Електронні ефекти в спектрах електровідбивання приповерхневих шарів та їх зміни в результаті різних обробок поверхні (механічна, опромінення).
автореферат, добавлен 27.07.2014 Класифікація речовин по провідності. Власна та домішкова провідність напівпровідників. Електричний контакт двох напівпровідників p і n типу (p-n перехід) та його властивості. Пряме та зворотне включення. Напівпровідниковий діод і його застосування.
презентация, добавлен 09.02.2012- 74. Стабільність, зонна структура та оптичні властивості твердих розчинів на основі елементів IV групи
Розрахунок на основі потенціалу Терсофа розподілу довжин зв’язків для напівпровідників твердих розчинів, особливості поведінки надлишкової енергії при їх змішуванні. Перебудова оптичних функцій сплавів, вплив внутрішніх локальних, біаксіальних деформацій.
автореферат, добавлен 13.07.2014 Механізми фізичних процесів, що визначають спектральний розподіл фотоелектричної квантової ефективності, напругу розімкненого кола та коефіцієнт корисної дії тонкоплівкової гетеро структури. Можливість застосування тонкоплівкового CdTe в детекторах.
автореферат, добавлен 25.08.2015