Електронні процеси на границі розділу органічних напівпровідників
Дослідження фізичних явищ в тонкоплівкових гетероструктурах на основі органічних напівпровідників. Електронний процес на границі розділу фоточутливих шарів. Створення ефективних органічних світлодіодів, транзисторів, сенсорів та сонячних елементів.
Подобные документы
Дослідження температурно-концентраційних залежностей кроку спіралі та фазового стану в холестеричних системах, що включають стероїди групи вітаміну D. Особливості термостимульованих перетворень складних органічних молекул у рідкокристалічній матриці.
автореферат, добавлен 27.08.2014Дослідження фізико-хімічних та кристалізаційних параметрів стекол. Розрахунок критичних швидкостей охолодження розплавів. Визначення оптимальних режимів синтезу стекол. Оцінка впливу опромінення та відпалу на структуру і оптичні властивості плівок.
автореферат, добавлен 07.08.2014- 103. Електрофізичні властивості кераміки на основі діоксиду олова для варисторів та сенсорів вологості
Аналіз структурних особливостей варисторної кераміки на основі SnO2, принципи її отримання та сфери практичного застосування. Роль добавок в формуванні високонелінійної кераміки, дослідження її електропровідності та принципи вивчення фізичних процесів.
автореферат, добавлен 14.09.2015 Аналіз галузі побудови сенсорів на основі RFID-технології. Перспективні технічні рішення. Основні параметри такого роду сенсорів та проведення їх узагальненої класифікації. Детальний аналіз ринку виробництва сенсорів, що базуються на RFID-технології.
статья, добавлен 28.02.2017Удосконалення математичної моделі турбулентної течії плоских нестисливих рівноважних і нерівноважних примежевих шарів при від’ємному, нульовому, додатньому та знакозмінному градієнтах тиску. Розробка на її основі більш ефективних розрахункових методик.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження кінетики електричних характеристик p-n переходів в атмосфері при різних температурах. Зміни фотоелектричних властивостей структур при адсорбційних процесах, вплив парів аміаку на макрофізичні характеристики оксидного шару напівпровідника.
автореферат, добавлен 27.07.2014Методи дослідження фізичних явищ: спостереження, експеримент, моделювання, вимірювання. Науковий метод та його основні засади. Виявлення сутності спостережуваних явищ, відкриття законів. Ю. Франклін, І. Ньютон, Галілей та їх внесок у розвиток науки.
презентация, добавлен 26.04.2016Визначення наявності мінеральних та органічних речовин у ґрунті за допомогою традиційних підходів аналітичної хімії, хроматографічних та оптичних методів. Аналіз переваг застосування інфрачервоної спектроскопії у дослідженні речовин та матеріалів.
статья, добавлен 23.04.2024Аналіз процесу створення шарів селеніду кадмію зі стабільними кубічною та гексагональною кристалічними структурами методом твердофазного заміщення. Комплексне дослідження їх основних фізичних властивостей і вивчення можливостей практичного використання.
автореферат, добавлен 24.02.2014Дослідження фізичних процесів, що визначають електричні та оптичні характеристики діодних структур на основі телуриду ртуті-індію. Властивості напівпровідникового детектора випромінювання. Фотоелектричні процеси в діодних структурах на основі Hg3In2Te6.
автореферат, добавлен 14.09.2014Напрямки вивчення процесів формування тунельного струму в резонансно-тунельних діодах на основі AlGaAs/GaAs гетероструктур. Дослідження можливостей практичного застосування квантово-розмірних ефектів для застосування в опто- та мікроелектроніці.
автореферат, добавлен 29.08.2014Дослідження властивостей двовимірних структур на основі напівмагнітних напівпровідників. Ефекти нерезонансного тунелювання в подвійних квантових ямах з напівмагнітним бар'єром. Урахування впливу інтерфейсу на енергії носіїв струму в квантових структурах.
автореферат, добавлен 07.03.2014Властивості діодів Шотткі, їх структура. Властивості і методи вимірювання контактів метал/напівпровідник. Вольтамперна характеристика ідеального контакту. Вакуумні методи осадження металів на поверхню напівпровідників. Фізичні принципи осадження шарів.
курсовая работа, добавлен 13.02.2016Лазери з посилюючим середовищем на основі напівпровідників, де генерація відбувається за рахунок вимушеного випромінювання фотонів. Міжзонний оптичний перехід в напівпровідниках. Використання оптичного або електронно-променевого накачування лазера.
контрольная работа, добавлен 15.05.2014Опис експериментальних і теоретичних методів дослідження міжмолекулярних взаємодій органічних молекул і одноатомних іонів у конденсованій та газовій фазах. Розрахунок енергетичних характеристик іон-дипольних комплексів спиртів, азотних основ та іонів.
автореферат, добавлен 25.08.2015Моделювання процесів формування неоднорідних градієнтних шарів на основі теорії самоорганізації та дисипативних структур. Встановлення закономірностей впливу хімічного елементу на фізичні властивості модифікованих тонкоплівкових і об’ємних структур.
автореферат, добавлен 28.07.2014Розробка методики хімічної і термічної обробки для формування заданої пористої структури активованих вуглецевих матеріалів (АВМ) з максимальною питомою площею розвинутої поверхні. Вплив хімічної модифікації АВМ на структурні перетворення в цих матеріалах.
автореферат, добавлен 29.08.2015Закономірності впливу всебічного стиснення, електричних полів та катіон-аніонного заміщення на температурну поведінку фізичних властивостей сегнетоелектриків-напівпровідників системи Sn(Pb)2P2S(Se)6. Кристали із неспівмірно-модульованими фазами.
автореферат, добавлен 22.07.2014Вплив азоту та потужності розряду на оптичні властивості алмазоподібних вуглецевих плівок, отриманих методом плазмово-стимульованого осадження з газової фази. Вплив ультрафіолетового та гамма-опромінення на властивості кремнієвих сонячних елементів.
автореферат, добавлен 12.07.2015Визначення обмінних параметрів і дослідження впливу зміни просторової структури водневих зв'язків на їх значення. Роль кристалографічної низьковимірності у формуванні магнітної структури досліджених сполук. Просторова структура обмінних взаємодій.
автореферат, добавлен 30.10.2015Встановлення загальних закономірностей формування структури різного масштабу в аморфних напівпровідникових плівках системи Ge-Sb-Se. Закономірності впливу вихідної структури конденсатів на фазові переходи, стимульовані зміни і релаксаційні процеси в них.
автореферат, добавлен 28.09.2015Особливість прогнозування параметрів та передбачення умов функціонування сонячних елементів та сонячних батарей в штатних та позаштатних ситуаціях. Аналіз розрахунку середньозваженої кількості генерованої енергії при експлуатації в змінних умовах.
статья, добавлен 15.04.2024Будова, структура та склад напівпровідників. Послідовність операцій при вирощуванні монокристалів. Аналіз методу бестигельно-зонної плавки. Особливість створення інфрачервоних напівпровідникових лазерів і високоефективних термоелектричних перетворювачів.
реферат, добавлен 08.12.2015Аналіз дії динамічних сил на міцність елементів конструкцій залежно від частоти навантаження. Використання інтегральних рівнянь, механічних квадратур, функції комплексної змінної. Розрахунок напруження на границі колінеарних розрізів залежно від відстані.
статья, добавлен 30.01.2017Особливості метастабільної фази некристалічних халькогенідних напівпровідників. Аналіз зміни атомної структури миш’яку та сурми під дією зовнішніх чинників, вивчення їх властивостей. Розробка і оптимізація параметрів елементів оптоелектронних систем.
автореферат, добавлен 29.09.2014