Фотолюминесцентная спектроскопия полупроводниковых наноструктур с планарно-неоднородными слоями
Технология молекулярно-лучевой эпитаксии, позволяющая выращивать полупроводниковые слои - основа для создания большого класса наноструктур. Анализ влияния ширины туннельного барьера на фотолюминесценцию системы двух туннельно-связанных квантовых ям.
Подобные документы
Осовные типы гетеропереходов. Исследование квантовых ям и точек. Последовательный рост двух гетеропереходов. Использование структур, содержащих квантовую яму InGaNAs. Структуры с квантовыми проволоками и точками. Применение в длинноволновых лазерах.
статья, добавлен 01.03.2019Анализ факторов, определяющих проводимость полупроводников. Классификация полупроводниковых материалов. Особенности применения неорганических кристаллических полупроводниковых материалов. Основные электрофизические свойства полупроводниковых материалов.
реферат, добавлен 23.12.2015Общая характеристика оптических квантовых генераторов, история их создания и назначение. Физическая основа работы лазера, уникальные свойства данного вида излучения. Описание свойств некоторых твердотельных лазеров - волоконных и полупроводниковых.
контрольная работа, добавлен 29.05.2013Свойства германиевого и кремниевого выпрямительных полупроводниковых диодов при изменении температуры окружающей среды, измерение их вольт-амперных характеристик. Параметры стабилитрона и туннельного диода, анализ уровня напряжения в электрических схемах.
методичка, добавлен 05.02.2015Использование гетеропары GaAs/AlGaAs, создаваемой эпитаксиальным ростом. Эффект автомодуляции состава твердых растворов. Электронно-лучевая пушка с термоэмиссионным катодом. Зависимость давления пучков галлия и мышьяка от угла ориентации подложки.
курсовая работа, добавлен 14.01.2014Разработка технологии выращивания гетероструктур и структур с квантовыми ямами методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Гибридная микросборка матричных фотоприёмных модулей. Описание кремниевого мультиплексора с кадровой частотой считывания изображения.
статья, добавлен 23.06.2013Описание особенностей производства, общих свойств и области применения полупроводниковых лазеров. Изучение принципа создания инверсной населенности в полупроводниках. Анализ твердотельных лазеров нового поколения. Характеристика их нелинейной динамики.
отчет по практике, добавлен 13.04.2017Понятие, сущность, принцип работы, устройство и области применения полупроводниковых лазеров. Особенности создания инверсной населенности в полупроводниках. Анализ параметров и структуры лазерного диода. Характеристика основных свойств лазерного луча.
курсовая работа, добавлен 23.07.2010Анализ значения метода туннельной спектроскопии для изучения особенностей не только заполненных, но и пустых энергетических уровней. Исследование многочастичных особенностей в туннельных спектрах, связанных с неупругими процессами при туннелировании.
автореферат, добавлен 02.03.2018Сравнение рекомбинации неравновесных носителей в InGaN квантовых точках и квантовых ямах, излучающих в зеленом диапазоне спектра. Оптические исследования с использованием температурно-зависимой фотолюминесценции в различных уровнях лазерного возбуждения.
статья, добавлен 26.06.2016Наноструктурированные пленки как организованные наносистемы. Метод молекулярного наслаивания. Индивидуальные системы испарения МОС. Термодинамика процессов получения наноструктур 2D-размерности. Адекватный выбор подхода к описанию материальных систем.
реферат, добавлен 23.10.2011Ознакомление с механизмом альфа-распада и процессом туннельного перехода. Рассмотрение одномерного прямоугольного потенциального барьера и решение уравнения Шрёдингера. Определение роли центробежного барьера и его связи с характером движения частиц.
презентация, добавлен 28.03.2014Выявление основных областей использования полупроводниковых датчиков температуры в системах регулирования. Рассмотрение характеристики датчиков на основе диодов, транзисторов, терморезисторов, а также пленочных полупроводниковых датчиков температуры.
реферат, добавлен 16.05.2016Внешние электрические свойства полупроводниковых диодов, их применение в электронных схемах. Основная ветвь вольт-амперной характеристики для стабилитрона. Динамическое сопротивление идеального стабилитрона. Принцип работы диодного ограничителя.
лабораторная работа, добавлен 28.12.2014Атомная, молекулярная, масс-спектроскопия, ядерная спектроскопия. Атомный и молекулярный анализ. Абсорбционная спектроскопия в видимой и УФ области. Закон Бера-Бугера-Ламберта. Структура органических молекул. Механизм возникновения батохромных сдвигов.
презентация, добавлен 29.09.2017Виды пробоя диэлектриков, механизмы их протекания. Основные характеристики диэлектрических жидкостей. Область контакта двух полупроводников с различным типом проводимости, а также полупроводника и металла. Точечные и планарные полупроводниковые диоды.
контрольная работа, добавлен 31.01.2022Общая характеристика полупроводниковых материалов, характеризующихся значениями электропроводности, промежуточными между электропроводностью металлов и диэлектриков. Наиболее распространенный способ получения монокристаллов полупроводниковых материалов.
курсовая работа, добавлен 13.10.2016Расчет туннельного тока, проходящего через иглу туннельного микроскопа. Измерение рельефа поверхности с помощью туннельного микроскопа. Оценка размеров конца иглы. Изменения в монохромном изображении, к которым приводит учет радиуса закругления иглы.
статья, добавлен 28.10.2018Получение и структура фуллеренов. Сборка фуллеренов из фрагментов графита и кластеров. Отжиг углеродных кластеров. Механизмы образования углеродных наночастиц, их связь с механизмами образования фуллеренов. Методы создания углеродсодержащих нанообьектов.
реферат, добавлен 19.08.2014История создания и принцип работы сканирующего туннельного микроскопа. Мюллер как изобретатель первого полевого ионного микроскопа. Особенности формирования изображения поверхности по методу постоянного туннельного тока и постоянного среднего расстояния.
курсовая работа, добавлен 10.12.2018Анализ влияния внедрения физических и химических методов на развитие экспериментальной биологии. Физические основы растровой электронной микроскопии. Оптическая спектроскопия. Метод изотопных индикаторов. Наблюдение спектральных линий в твердых телах.
реферат, добавлен 05.06.2015- 47. Расчет параметров транзисторов в зависимости от режимов эксплуатации и их температурная зависимость
Анализ параметров транзистора в зависимости от параметров удельного сопротивления толщины эпитаксии. Технологические операции, связанные с получением монокристаллических полупроводниковых пластин. Причины возникновения точечных дефектов в кристаллах.
контрольная работа, добавлен 15.01.2016 Построение микроскопической модели резонансно-туннельного транспорта в полупроводниковых сверхрешетках со слабой туннельной связью. Исследование влияния магнитного поля произвольной ориентации на процессы резонансного туннелирования в сверхрешетках.
автореферат, добавлен 18.11.2018Изучение методом молекулярной динамики конформационных изменений макроцепей полиаланина на поверхности однослойной углеродной нанотрубки и фуллерена в зависимости от изменения водородного показателя. Анализ зависимости концентрации атомов макромолекул.
статья, добавлен 19.12.2019Исследования наномасштабных шероховатостей поверхности твердого тела методами сканирующей зондовой микроскопии и рентгеновской рефлектометрии. Разработка аппаратуры и СЗМ-методик регистрации локального фототока в фоточувствительных полупроводниках.
автореферат, добавлен 16.02.2018