Фотолюминесцентная спектроскопия полупроводниковых наноструктур с планарно-неоднородными слоями
Технология молекулярно-лучевой эпитаксии, позволяющая выращивать полупроводниковые слои - основа для создания большого класса наноструктур. Анализ влияния ширины туннельного барьера на фотолюминесценцию системы двух туннельно-связанных квантовых ям.
Подобные документы
Изучение основных понятий теории квантовой информации и принципов квантовых вычислений, лежащих в основе квантовых компьютеров. Рассмотрение свойств кубитов и типов квантовых гейтов. Рассмотрение особенностей некоторых алгоритмов квантовых вычислений.
статья, добавлен 20.04.2016Методика анализа емкостных переходных процессов для определения энергетических и динамических характеристик процессов захвата в массив квантовых точек. Прямое наблюдение емкостных переходных процессов захвата носителей заряда в массив квантовых точек.
автореферат, добавлен 31.07.2018Метод для изготовления трехмерного кремниевых наноструктур на основе выборочного формирования пористого кремния. Изобретение 2D/3D кремниевых фотонных кристаллов. Изучение их структуры полосы и сопряжение градиента частного Рейли в основании волны.
статья, добавлен 17.11.2015Характеристики и свойства наноструктур. Исследование поведения электронов при взаимодействии с наноматериалами. Условия возникновения кулоновских сил. Квантовое ограничение, интерференция и баллистический транспорт. Анализ рассеяния носителей заряда.
реферат, добавлен 22.01.2017Исследование механизмов и режимов воздействия фемтосекундного лазерного излучения на материалы с целью получения микро- и наноструктур. Анализ высокоградиентного ускорения электронов в поле плазменной волны, возбуждаемой интенсивным импульсом лазера.
автореферат, добавлен 02.03.2018Анализ соотношения механизмов "мягкого" и "жесткого" права в регулировании международных научных коллабораций. Исследование установки класса "мегасайенс" - Большого адронного коллайдера. История создания, общие принципы и правовой статус устройства.
статья, добавлен 19.12.2021Фізико-технологічні дослідження напівпровідникових матеріалів та систем інфрачервоної мікрофотоелектроніки. Розробка фізичних основ створення інфрачервоних фоточутливих наноструктур основі вузькощілиннх напівпровідників, їх значення та обґрунтування.
автореферат, добавлен 29.08.2014Исследования физических свойств магнитных наноструктур различного типа. Рост исследований, посвященных изучению процессов намагничивания массивов из магнитных наночастиц различной формы (круглых, эллиптических, крестообразных) и магнитных нанокомпозитов.
курсовая работа, добавлен 23.09.2020Классификация частиц упорядоченного размера и изучение методов получения нанокластеров и наноструктур. Особенности строения молекулярных, газовых, коллоидных, матричных нанокластеров. Свойства компактных нанокристаллических материалов, их микроструктура.
курсовая работа, добавлен 13.04.2013Исследование и анализ новых состояний, сочетающих сверхпроводимость и неоднородный магнетизм в рамках модели ферромагнитный диэлектрик–сверхпроводник. Определение и характеристика возможности применения наноструктур в качестве логических элементов.
автореферат, добавлен 28.03.2018Энергетические уровни парамагнитных веществ. Получение инверсии населенностей методом вспомогательного излучения в системе трех или четырех уровней. Разновидности квантовых парамагнитных усилителей, их параметры, особенности устройства и применения.
реферат, добавлен 02.08.2013Особенности взаимодействия электромагнитного излучения с веществом. Классификация люминесценции по длительности и способу возбуждения. Фотолюминесценция полупроводника с примесями. Электронные уровни примесей. Донорно-акцепторные излучательные переходы.
лекция, добавлен 17.06.2015Аналіз синтезу багатошарових інтерференційних наноструктур із спектральними характеристиками відбивання, фази, групової затримки і дисперсії групової затримки. Розробка ефективного методу вимірювання дисперсійних властивостей багатощарових структур.
автореферат, добавлен 14.07.2015Преодоление частицей энергетического барьера. Развитие электроники. Теория туннельного эффекта. Туннелирование электронов в твердых телах. Квантовые транзисторы. Условие максимума пропускания. Туннельный диод. Движение частицы из одной орбитали в другую.
дипломная работа, добавлен 30.09.2008Проблема стійкості дисперсної фази в процесі оствальдівського дозрівання. Закономірності дисперсних фаз в металевих сплавах та наноструктур в напівпровідникових гетеросистемах в процесі одночасної дії двох механізмів масопереносу, обумовлених дифузіями.
автореферат, добавлен 28.09.2014Исследование конструкции и принципов работы полупроводниковых диодов, их классификация и разновидности, а также структура и компоненты. Изучение их основных параметров. Наблюдение изменения параметров стабилитронов от внешних факторов (температуры).
лабораторная работа, добавлен 25.06.2015Оптические и фотоэлектрические свойства полупроводников GaN I. и ZnO. Параметры экситонов в монокристаллах и эпитаксиальных слоях GaN на основе анализа спектров отражения и поглощения. Методы оценки механических напряжений в гетероэпитаксиальных слоях.
диссертация, добавлен 25.11.2013Магнитные свойства наноструктур, их разнообразие и отличия от массивного материала. Магнитные кластеры, ферромагнетики и сверхпроводники. Основные типы магнитных наноматериалов. Методы получения магнитных наночастиц и особенности их стабилизации.
учебное пособие, добавлен 11.06.2013Природа квантовых чисел, найденных эмпирическим путем. Определение постоянной тонкой структуры; выражение главного, магнитного и орбитального квантовых чисел. Расчет радиусов энергетических уровней; частотные характеристики электромагнитного излучения.
статья, добавлен 27.08.2013Предназначение электронных и квантовых сверхвысоких частот (СВЧ). Полный ток в промежутке между электродами и во внешней цепи электровакуумных приборов. Принцип работы двухрезонаторного усилительного клистрона. Полупроводниковые диоды и транзисторы СВЧ.
курс лекций, добавлен 22.12.2015Элементы нанопроводной электроники. Создание квантово-размерных наноконтактов на основе локального окисления, индуцированного током. Свойства и структура нанотрубок. Получение углеродных наноструктур. Термическое разложение графита в дуговом разряде.
реферат, добавлен 10.10.2016Фізичні властивості низькорозмірних напівпровідникових гетероструктур. Дослідження морфологічного переходу від двомірного псевдоморфного росту до трьохмірного в InxGa1-xAs/GaAs наноструктурах. Комбінаційне розсіювання світла в InAs/Al(Ga)Sb структурах.
автореферат, добавлен 30.10.2015Мазеры на молекулярных и атомных пучках. Мазеры с оптической накачкой, квантовые дискриминаторы и квантовые стандарты частоты. Теория и анализ работы квантовых усилителей. Конструкции и параметры квантовых парамагнитных усилителей, замедляющие системы.
контрольная работа, добавлен 24.08.2015Прохождение частицы через потенциальный барьер, когда ее энергия меньше высоты барьера. Прохождение микрочастиц через потенциальные барьеры. Парадоксальность "туннельного эффекта". Холодная эмиссия электронов из металла. Квазистационарные состояния.
реферат, добавлен 21.11.2014Изучение поведения незамкнутых наноструктур, сформированных из двухслойных медно-никелевых пленок при нагреве. Генерирование коллективных движений атомов в структуре пленок различной толщины, имеющих вихревой характер, при их отделении от подложки.
статья, добавлен 29.10.2018