Моделирование физических процессов в полупроводниковых структурах при воздействии мощного СВЧ-импульса. Структуры с барьером Шоттки
Результаты моделирования физических процессов, протекающих в кремниевых структурах с барьером Шоттки при воздействии сверхвысокочастотного электромагнитного излучения. Энергомощностные и температурные характеристики структур в широком диапазоне.
Подобные документы
Результаты разработки модели сканера для проведения дефектоскопии материалов методом неразрушающего контроля в терагерцовом диапазоне электромагнитного спектра. Методика сканирования исследуемых образцов и обработки полученных данных в среде LABVIEW.
статья, добавлен 14.08.2020Серийные сверхвысокочастотные детекторы отечественных и зарубежных производителей. Электрические параметры широкополосных и узкополосных детекторов. Технические характеристики волноводных детекторов для волноводов, детекторы на основе диодов Шоттки.
статья, добавлен 29.07.2017Обсуждение физических принципов и параметров работы твердотельных полупроводниковых приборов, использующих как явление инжекции носителей через p-n-переходы, так и явления, связанные с эффектом поля. Физика поверхности полупроводников и МДП-структур.
учебное пособие, добавлен 07.05.2014Методика измерения импульсных напряжений и токов, наводимых электромагнитным полем на компонентах радиоэлектронных схем соединенных печатными проводниками, сочетающая графическое имитационное моделирование с расчетными методами конечно-разностного типа.
статья, добавлен 14.07.2016Схематическое изображение структуры диода на основе контакта полупроводников. Анализ изменения соотношения между диффузионными и дрейфовыми составляющими потоков электронов и дырок при прямом и обратном напряжениях на электронно-дырочной структуре.
учебное пособие, добавлен 05.12.2016Анализ моделирования радиоэлектронных средств (РЭС) с учетом влияния механических воздействий наряду с постоянным повышением требований к надежности и качеству аппаратуры. Особенности использования компьютерного моделирования при разработке РЭС.
статья, добавлен 08.12.2018Математична модель розсіяння нестаціонарних радіохвиль на багатошарових ґрунтових структурах з поглинанням і дисперсією. Аналіз фізичних особливостей полів, розсіяних ґрунтовими структурами (як однорідними, так і з характеристиками, що змінюються).
автореферат, добавлен 20.04.2014Способ описания степени неупорядоченности активных слоев полупроводниковых приборов. Введение функциональной зависимости энергетического спектра на основе упрощенного построения дефектной решетки материала. Результаты экспериментальных исследований.
статья, добавлен 03.03.2012Конструкция многослойных печатных плат, их физические и конструктивно-технологические особенности. Получение аналитических соотношений и моделирование диаграмм направленности паразитного излучения двух моделей МПП сверхвысокочастотного диапазона.
дипломная работа, добавлен 30.08.2016- 60. Радіовимірювальні прилади на основі ємнісного ефекту в транзисторних структурах з від’ємним опором
Радіовимірювальні прилади, вимоги до них з позиції сучасних напрямів розвитку радіоелектроніки. Розробка нелінійних математичних моделей генераторів прямокутних імпульсів і лінійно змінної напруги на польовій та біполярній транзисторних структурах.
автореферат, добавлен 27.07.2015 Методы математического моделирования процессов формирования и передачи аналоговых и цифровых сигналов авиационных радиоэлектронных систем с помощью рядов Вольтерра. Разработка математических моделей процессов модуляции с помощью Matlab+Simulink.
статья, добавлен 10.12.2016Сущность метода импедансного аналога электромагнитного пространства, предназначенного для компьютерного моделирования сложных электродинамических систем во временной и частотной областях. Основы метода импедансного аналога электромагнитного пространства.
статья, добавлен 04.11.2018Математична модель явища міжтипового зв'язку власних електромагнітних коливань у відкритих електродинамічних структурах. Методи спектральної теорії скінченномероморфних оператор-функцій для доведення дискретності і скінченної кратності спектру частот.
автореферат, добавлен 18.04.2014Процессы формирования радиационно-стойких гетероструктур с требуемым набором структурных и электрофизических параметров, позволяющих расширить область их применения. Исследование влияния облучения на параметры гетеро- и полупроводниковых структур.
статья, добавлен 08.04.2019Конструктивные особенности многослойных печатных плат сверхвысокочастотного диапазона. Моделирование диаграмм направленности паразитного излучения кромок диэлектрических подложек. Рассмотрение материалов подложек и особенности их использования в платах.
магистерская работа, добавлен 02.09.2018LTE как новый стандарт беспроводной высокоскоростной передачи данных, в основе которого лежит технология множественного доступа с ортогональным разделением частот. Анализ вопросов обеспечения безопасности в сети LTE при воздействии преднамеренных помех.
статья, добавлен 11.08.2018Использование спектрального метода анализа для уяснения физических процессов в цепях. Определение суммы вычетов подинтегральной функции в полюсе. Основные свойства преобразования Лапласа при решении задач по переходным процессам в радиотехнических цепях.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010Аналіз розподілу потенціалу в контактних структурах. Залежність струму емісії від прикладеної напруги для різних діодних контактних структур. Широкосмугове перестроювання частоти, стабільність частоти в діапазоні 100–1000 ГГц, генерація шумових коливань.
автореферат, добавлен 24.07.2014Анализ сокращения срока хранения информации в USB накопителях на основе флэш-памяти с помощью электромагнитных воздействий. Проведение исследования нарушения целостности информации в запоминающем устройстве при воздействии импульсного магнитного поля.
статья, добавлен 07.11.2018Мощность сигнала на выходе многолучевого канала. Числовые характеристики. Модель Кларка гладких замираний. Имитационное моделирование многолучевого канала с рассеянием по частоте и по времени. Медленные дружные замирания и разнесенный прием, кодирование.
диссертация, добавлен 24.05.2018Электропроводность полупроводников, определение и специфика плотности дрейфового тока. Параллельное соединение диодов, характеристика и предназначение стабилитронов, стабисторов. Транзисторы, управляемые с помощью p-n перехода или барьера Шоттки.
курс лекций, добавлен 02.10.2016Современное состояние работ в области моделирования Si и SiGe биполярных транзисторных структур с учетом радиационных эффектов. Разработка унифицированной Spice-макромодели Si/SiGe биполярного транзистора, учитывающей влияние радиационных эффектов.
диссертация, добавлен 12.01.2017Достоинства и недостатки численных методов квазистатического и электромагнитного моделирования, применяемых в процессе разработки планарных сверхвысокочастотных устройств. Моделирование характеристик конструктивно различных микрополосковых фильтров.
статья, добавлен 06.11.2018Методики синтеза антенн с заданными характеристиками излучения. Анализ разработок на основе нерегулярных проводных и полосковых линий передач, апробация их при создании оригинальных антенн для радиосистем передачи информации в широком диапазоне частот.
автореферат, добавлен 31.03.2018Солнце - ключевой источник мощного потока электромагнитного излучения космического происхождения в частотных диапазонах вблизи Земли. Применение модифицированного метода Кирхгоффа в сверхвысокочастотной радиометрии взволнованной морской поверхности.
статья, добавлен 30.10.2018