Моделирование физических процессов в полупроводниковых структурах при воздействии мощного СВЧ-импульса. Структуры с барьером Шоттки
Результаты моделирования физических процессов, протекающих в кремниевых структурах с барьером Шоттки при воздействии сверхвысокочастотного электромагнитного излучения. Энергомощностные и температурные характеристики структур в широком диапазоне.
Подобные документы
Моделирование системы охлаждения процессоров суперЭВМ с тепловым насосом на обратном цикле Стирлинга путем численного моделирования процессов теплопередачи в исследуемом объекте. Изучена зависимость требуемого температурного лифта теплового насоса.
статья, добавлен 27.02.2018Ознакомление с результатами математического моделирования выбора источника излучения для дифракционного контроля регулярных рельефных структур. Разработка помехоустойчивой оптоэлектронной системы дифракционного контроля с модуляцией лазерного излучения.
статья, добавлен 29.01.2019Характеристика переходных процессов, протекающих в линейных цепях по законам Кирхгофа. Особенности вычисления результирующего переходного процесса в электродвижущей силе. Классический, спектральный и временной метод анализа процессов в линейных цепях.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010Описание алгоритмов быстродействующей триггерной и ограничивающей защиты электронных потенциометров обратной связи в усилителях постоянного тока, оснащенных цифровой системой управления параметрами. Моделирование защиты при импульсном воздействии.
статья, добавлен 19.03.2023Защита наземных объектов от обнаружения в радиолокационном диапазоне длин электромагнитных волн эластичными экранами на основе комбинированных металлосодержащих элементов. Снижение значений коэффициента отражения электромагнитного излучения корпусов.
статья, добавлен 03.05.2019Физика работы транзистора. Параметры биполярного транзистора. Технология диффузионных процессов для легирования эмиттерной области. Метод тройной диффузии. Параметры диффузионных процессов. Эпитаксиальные процессы для формирования базовой области.
курсовая работа, добавлен 21.12.2012Прямое и обратное включение диода. Физический смысл параметров диода. Низкочастотные и высокочастотные значения. Переходные процессы в диодах с p-n переходом. Частотные свойства диодов. Выпрямительные и импульсные диоды, стабилитроны, диоды Шоттки.
курсовая работа, добавлен 07.12.2014Анализ процессов в схемах однополупериодного и двухполупериодного выпрямителей. Сравнение форм входного и выходного напряжений. Определение частоты выходного сигнала. Анализ обратного напряжения на диоде. Сравнение значений выходного напряжения.
лабораторная работа, добавлен 23.06.2014Применение метода векторной аппроксимации для оценки параметров полюсной модели передаточной функции, описывающей микроволновые устройства в широком диапазоне частот. Численное моделирование двухпортового микрополоскового фильтра в заданной полосе.
статья, добавлен 06.11.2018Оценка методов пеленгации постановщиков помех для радиолокационных станций, определяющих угловые координаты на источник излучения. Достоинства и недостатки однопозиционной радиолокации. Степень устойчивости определения координат при воздействии помех.
статья, добавлен 05.11.2020Дослідження імітансних характеристик комбінованих динамічних негатронів на основі польового транзистора Шоттки в діапазоні частот при різних значеннях перетворюваного імітансу. Вивчення особливостей активних фільтрів, генераторів гармонійних коливань.
автореферат, добавлен 26.09.2014Гетероструктуры, их состав и материалы. Технология светодиодных структур. Конструкции светодиодов, их характеристики, фотометрические и электротехнические параметры. Постепенное уменьшение мощности светодиодов за счет деградации, причины её возникновения.
лекция, добавлен 17.08.2014Загальна характеристика методів запобігання вмикання паразитних p-n-p-n структур в інтегральних транзисторних мікросхемах. Основний аналіз процесів переключення напівпровідникових будов та впливу на них електричних і магнітних полів, світла та радіації.
автореферат, добавлен 28.08.2014Исследование характеристик микромодуля при воздействии температуры. Основные требования к методике термоциклирования и методике испытаний. Предварительные результаты апробации методики. Определение зависимости влияния температуры на показания датчиков.
доклад, добавлен 28.10.2018Расчет токов, напряжений и частотных характеристик в цепи при заданном гармоническом воздействии. Построение векторной диаграммы токов и напряжений. Проверка выполнения законов Кирхгофа. Анализ расчетных результатов средствами имитационного моделирования.
курсовая работа, добавлен 16.01.2015Исследование микромеханического метода перестройки частотных параметров микрополосковой антенны с круглым излучателем. Характеристика и анализ влияния физических и геометрических параметров антенной структуры на ее основные излучательные характеристики.
статья, добавлен 29.01.2017Разработка оптико-электронной схемы дистанционного определения типа материала при воздействии на него лазерного излучения мощностью не менее 1 кВт. Идентификация типа материала по спектрограмме плазменного факела. Автоматизация процесса идентификации.
автореферат, добавлен 31.07.2018Моделирование формирования сигналов на выходе фотоэлектронного устройства сцинтилляционного детектора. Проверка качества моделирования по статистике полного фотоэлектронного заряда единичных импульсов. Реализация выходного распределения потока электронов.
статья, добавлен 15.11.2018Розробка приладів для вимірювання температури та дослідження фізичних властивостей речовин. Аналіз процесу перетворення температури у частотний сигнал в напівпровідникових структурах. Використання піротранзистора в якості активного індуктивного елементу.
статья, добавлен 23.12.2018Исследование программы для моделирования процессов и расчета электронных устройств на аналоговых и цифровых элементах. Проектирование эмиттерного повторителя в Electronic Workbench. Разработка схем усилителя и регулируемого стабилизатора напряжения.
контрольная работа, добавлен 11.05.2016Физические основы работы твердотельных, газовых, жидкостных и полупроводниковых лазеров. Типы лазеров, примененных в оптоэлектронных приборах. Структура, параметры, достоинства и деградация полупроводниковых лазеров. Оптический передающий модуль.
лекция, добавлен 17.08.2014Видимый свет как электромагнитное излучение в диапазоне длин волн от 380 до 780 нм. Особенности полунатурного моделирования процесса обнаружения воздушных целей в искусственных помехах, воздействующих на ОЭС. Анализ основных видов искусственных помех.
статья, добавлен 27.02.2019- 123. Моделирование поляризационных характеристик рассеяния радиоволн на объектах в виде усеченных конусов
Анализ результатов численного моделирования рассеяния электромагнитных волн на усеченных конусах с разными видами оснований. Особенности проведения анализа угловых зависимостей поляризационных составляющих для поляризаций и углов падения излучения.
статья, добавлен 02.04.2019 Анализ существующих математических моделей, представляющих процесс генерации биомедицинских сигналов. Использование результатов моделирования электромиографического сигнала в клинической медицине для выявления патологических процессов в организме.
статья, добавлен 27.07.2016Адаптация спектральных характеристик лоцирующего импульса. Максимальная дальность обнаружения оптимальным приемником на фоне шума. Оценка отношения сигнал-шум и дальности обнаружения для пачки лоцирующих импульсов. Развитие радиолокационных систем.
статья, добавлен 30.10.2018