Моделирование физических процессов в полупроводниковых структурах при воздействии мощного СВЧ-импульса. Биполярные структуры
Энергомощностные и температурные характеристики поведения структуры в диапазоне длительностей однократного импульсного воздействия в зависимости от конструктивно-технологических параметров. Моделирование физических процессов в биполярных структурах.
Подобные документы
Рассмотрение основ физики полупроводников как базы для реализации элементов полупроводниковой твердотельной электроники и микроэлектроники. Обзор физических процессов, протекающих в полупроводниковых приборах, используемых в современной технике.
учебное пособие, добавлен 14.09.2015- 27. Электроника
Определение предмета и метода исследований электроники как части электротехники, использующей управление потоком электронов и заряженных частиц в электронных элементах. Природа физических процессов в электровакуумных и полупроводниковых устройствах.
презентация, добавлен 05.04.2020 Нормирование параметров и переменных цепи. Расчет частотных характеристик. Вычисление реакции цепи при воздействии одиночного импульса на входе. Определение спектральных характеристик одиночного импульса воздействия. Составление уравнений состояния цепи.
контрольная работа, добавлен 11.11.2017Моделирование и оптимизация параметров автоматической линии на ранних стадиях разработки методами теории массового обслуживания. График зависимости эффективности автоматической линии от ёмкости накопителя. Расчёт основных показателей работы линии.
курсовая работа, добавлен 21.02.2014Методы измерений биполярных транзисторов. Влияние температуры и частоты на свойства транзисторов и полупроводниковых приборов. Обоснование алгоритма экстракции SPICE-параметров модели. Разработка интерфейса и вычислительного ядра программного модуля.
магистерская работа, добавлен 01.12.2019Системы сбора и преобразования информации. Моделирование при помощи программных средств САПР схем активного усилителя низких частот и блока вычисления логической функции. Определение влияния на частотные характеристики схемы изменения ее параметров.
курсовая работа, добавлен 14.11.2011Характеристики биполярных интегральных транзисторов, их элементы, назначение и область применения. Разновидности интегральных резисторов, их параметры и конструкции. Конфигурации интегральных диффузионных конденсаторов, их конструирование и формирование.
реферат, добавлен 22.02.2009Исследование влияния импульсного электромагнитного излучения, сопровождаемого возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей, на надежность и отказоустойчивость полупроводниковых комплектующих электрорадиоизделий.
статья, добавлен 14.07.2016Суть физических процессов, текущих в общих функциональных частях изделия. Сбор усилителя на биполярном транзисторе, включенном по схеме с коллектором. Расчет коэффициента передачи по напряжению. Определение погрешности длительности выходного импульса.
курсовая работа, добавлен 21.10.2017Анализ тенденций развития электронной компонентной базы и особенностей применения пьезопреобразователей (ПП) механических величин в радиационно-стойкой аппаратуре. Закономерности поведения, доминирующих радиационных эффектов и механизмов отказов в ПП.
автореферат, добавлен 02.08.2018Методика моделирования РЭС, ее алгоритм и типовая схема, особенности, порядок проведения работ в процессе автоматизированного проектирования. Взаимосвязь моделей физических процессов в дублировании работ. Математические модели, классификация, особенности.
реферат, добавлен 30.12.2008Моделирование резонаторных замедляющих систем, возбуждаемых током. Моделирование оконечных устройств секций ЛБВ (лампы бегущей волны) на основе резонаторных замедляющих систем. Модель дискретного взаимодействия электронов с электромагнитным полем в ЛБВ.
научная работа, добавлен 04.11.2018Анализ оценки параметров информационных процессов в СИС. Аналитическая модель информационных процессов, пригодная для целей управления. Интеллектуальный интерфейс, обеспечивающий взаимодействие руководителя с СУИП для принятия управленческих решений.
автореферат, добавлен 01.09.2018Разработка и расчет принципиальной схемы импульсного усилителя. Выбор транзистора оконечного каскада. Моделирование рассчитанной схемы усилителя в пакете MicroCap. Расчёт параметров оконечного каскада. Значение ёмкости разделительного конденсатора.
курсовая работа, добавлен 14.11.2017Синтез алгоритма слепого выделения импульсного сигнала из смеси с белым гауссовым шумом, использующего сигнал нейронной сети. Оценка эффективности алгоритма в широком диапазоне изменения соотношений среднеквадратического отклонения случайных процессов.
статья, добавлен 30.10.2018Суть алгоритма решения систем уравнений комплексной модели электрических, тепловых, аэродинамических и механических процессов в радиоэлектронной аппаратуре. Вычисление эффективных параметров ветвей комплексной модели верхнего иерархического уровня.
статья, добавлен 08.12.2018Технологические методы создания электронно-дырочного перехода. Определение основных параметров и характеристик, а также физических процессов, лежащих в основе образования и функционирования p-n-перехода. Внешний фотоэффект и его применение в фотодиодах.
дипломная работа, добавлен 11.01.2011Аппроксимация передаточной характеристики нелинейного элемента. Имитационное моделирование функционирования SDR-радиостанций. Методика определения параметров модели нелинейного элемента. Спектр двухтонового сигнала на выходе реального усилитель мощности.
статья, добавлен 02.04.2019Описание и работа установки "УНТ-2" для синтеза УНТ. Предложение конструктивно-технологических методов высокоселективного синтеза углеродных наноструктур с контролируемыми параметрами на основе процессов химического осаждения из парогазовой фазы.
курсовая работа, добавлен 12.10.2015Принцип действия биполярных транзисторов. Технология изготовления полупроводниковых микросхем на основе биполярных транзисторов с диэлектрической изоляцией. Структура полупроводниковых ИМС на основе биполярного транзистора. Метод диэлектрической изоляции.
курсовая работа, добавлен 20.11.2011Проект структуры многокаскадного усилительного устройства переменного тока с обратной связью. Расчет статических и динамических параметров усилителя. Его моделирование на ЭВМ с использованием программного продукта Microcap 3 с корректировкой параметров.
курсовая работа, добавлен 25.01.2011Понятие электродов биполярных транзисторов. Полярность напряжения на коллекторе относительно эмиттера необходимая для работы биполярных n-p-n транзисторов. Особенность выбора величины постоянного напряжения на коллекторе при резистивной нагрузке.
контрольная работа, добавлен 28.12.2014Конструктивно-технологические ограничения в структуре лавинного фотодиода для режима счета фотонов. Ударная ионизация и лавинное умножение в полупроводниках и полупроводниковых приборах. Динамика токовых импульсов с учетом латеральной неоднородности.
статья, добавлен 29.05.2017Разработка модели помех сигналам с дискретной модуляцией для проверки работоспособности устройства и методика анализа помехоустойчивости приема сигналов в присутствии помех. Анализ воздействия хаотической импульсной последовательности на сигнал.
практическая работа, добавлен 05.03.2011Обсуждение физических принципов и параметров работы твердотельных полупроводниковых приборов, использующих как явление инжекции носителей через p-n-переходы, так и явления, связанные с эффектом поля. Физика поверхности полупроводников и МДП-структур.
учебное пособие, добавлен 07.05.2014