Моделирование физических процессов в полупроводниковых структурах при воздействии мощного СВЧ-импульса. Биполярные структуры
Энергомощностные и температурные характеристики поведения структуры в диапазоне длительностей однократного импульсного воздействия в зависимости от конструктивно-технологических параметров. Моделирование физических процессов в биполярных структурах.
Подобные документы
Изучение математических моделей полупроводниковых выпрямительных диодов. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного диода в зависимости от температуры. Графоаналитический метод расчета электрической цепи с нелинейными элементами (диодами).
лабораторная работа, добавлен 04.12.2017Имитационное моделирование возмущающего воздействия и построение эмпирической оценки его корреляционной функции. Построение дискретной модели переходом от дифференциального уравнения к разностному. Специфика настройки системы с цифровым ПИД-регулятором.
курсовая работа, добавлен 25.12.2014Достоинства и недостатки численных методов квазистатического и электромагнитного моделирования, применяемых в процессе разработки планарных сверхвысокочастотных устройств. Моделирование характеристик конструктивно различных микрополосковых фильтров.
статья, добавлен 06.11.2018Интерфейс программы Netcracker 4.0. Моделирование трехзвенной схемы и расчет ее основных характеристик. Определение основных характеристик цифровой системы. Моделирование цифровой сети с буфером и одним сервером. Моделирование простой сети связи.
методичка, добавлен 30.03.2015Создание новых типов полупроводниковых приборов, их функции. Разработка, моделирование и экспериментальное исследование нового интегрального позиционно-чувствительного полупроводникового фотоприемника с отрицательной дифференциальной проводимостью.
автореферат, добавлен 14.04.2018Проектирование схемы фильтра. Определение передаточной функции фильтра. Расчёт характеристики ослабления проектируемого фильтра. Моделирование фильтра на ПК. Расчёт частотных зависимостей параметрических чувствительностей АЧХ и ФЧХ звена АВТ–структуры.
курсовая работа, добавлен 19.04.2012Описание методики проектирования многокаскадного усилителя переменного тока с обратной связью. Расчет статических и динамических параметров усилителя, его моделирование на ЭВМ с использованием программного продукта Microcap 3. Корректировка параметров.
курсовая работа, добавлен 07.02.2011Входной контроль монокристаллических кремниевых пластин. Методы определения типа электропроводности. Измерение удельного сопротивления полупроводниковых материалов и пленок четырехзондовым методом. Определение концентрации примесных атомов в кремнии.
методичка, добавлен 13.03.2015Спектральный и корреляционный анализ импульсного сигнала. Математические расчеты одиночного импульса, его амплитудного, фазового и энергетического спектра. Вычисление АКФ импульса, построение графиков зависимостей амплитуд и фаз гармоник ряда от частоты.
контрольная работа, добавлен 17.10.2014Видимый свет как электромагнитное излучение в диапазоне длин волн от 380 до 780 нм. Особенности полунатурного моделирования процесса обнаружения воздушных целей в искусственных помехах, воздействующих на ОЭС. Анализ основных видов искусственных помех.
статья, добавлен 27.02.2019Разработка автоматизированной системы Асоника-ТМР. Изучение теории математического моделирования полей и процессов различной физической природы, взаимодействующих друг с другом в единой неоднородной среде. Суть системных методов теории чувствительности.
статья, добавлен 08.12.2018Изучение свойств полевых транзисторов - полупроводниковых элементов, которые в отличие от обычных биполярных транзисторов управляются электрическим полем, то есть практически без затрат мощности управляющего сигнала. Режим насыщения и напряжение отсечки.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012Технологии создания приборов с элементами наночастиц. Моделирование процесса ионной имплантации структуры, состоящей из наночастиц золота в матрице диоксида кремния. Расчеты распределения легирующих ионов, каскадов смещенных ионов матрицы и наночастицы.
статья, добавлен 08.04.2019- 89. Математическое моделирование характеристик рассеяния объектов локации с импедансной поверхностью
Математическая модель рассеяния объектов локации сложной электрофизической структуры и формы, содержащих импедансные клиновидные структуры. Определение эквивалентных токов на острой кромке на базе коэффициентов дифракции Уфимцева и теории Малюжинца.
статья, добавлен 06.11.2018 Проведение анализа модели формирования полевого гетеротранзистора. Рассмотрение задачи нелинейных массо- и теплопереноса в многослойных структурах с переменными во времени без сшивки решений на границах раздела между слоями многослойных структур.
статья, добавлен 06.11.2018Сущность принципа оптического усиления. Классификация и назначение полупроводниковых усилителей. Расчёт усиления и выходной мощности сигнала, ширины и равномерности полосы усиления эрбиевого усилителя. Принцип действия волоконно-оптических усилителей.
курсовая работа, добавлен 18.12.2013Методика исследования вольтамперных характеристик диодов. Анализ результатов измерения стабилитрона. Типовые схемы включения полупроводниковых диодов и области их применения. Порядок определения параметров исследованных полупроводниковых приборов.
лабораторная работа, добавлен 22.05.2022Функционирование и характеристики неуправляемых выпрямителей с различными видами сглаживающих фильтров. Характеристики мостового и однополупериодного выпрямителей. Моделирование позволяет сравнить поведение реальных и смоделированных цепей выпрямителей.
лабораторная работа, добавлен 26.03.2023Построение технологических процессов, экономическая оценка технологичности и моделирование изготовления печатных плат. Разработка принципиальной электрической схемы, сборочного чертежа акустического реле. Расчет и разработка технологической карты сборки.
курсовая работа, добавлен 12.02.2012Электротехническое моделирование и его основание на точных математических моделях элементов электрической схемы. Доказательство алгоритмического подхода для решения задачи, основанный на обучении нейронной сети. Обеспечение аппроксимации функции.
дипломная работа, добавлен 01.12.2019Зависимость параметров сенсорного экрана от отдельных элементов датчика. Разработка метода определения однородности состава напыленного на панель резистивного слоя. Моделирование процессов работы аналоговой части сенсорного экрана, параметры его работы.
автореферат, добавлен 31.07.2018Возможности определения параметров гидроакустических датчиков с помощью компьютерного моделирования. Численное моделирование процесса воздействия плоской гидроакустической волны на пьезокерамический датчик и ее преобразование в электрический сигнал.
статья, добавлен 28.10.2018Физические процессы, устройство, характеристики, параметры основных полупроводниковых приборов – диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров. Принципы работы, синтеза и методы анализа электронных усилителей. Краткие сведения по микроэлектронике.
учебное пособие, добавлен 27.06.2014Использование электронно-лучевой технологии для процессов нанесения тонкопленочных слоев. Исследование особенностей современных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Схема применения электронно-лучевого нагрева при вакуумном напылении.
контрольная работа, добавлен 26.05.2012Моделирование и верификация телекоммуникационных систем, устройств, сетевых протоколов. Формальное, графическое, табличное представление и описание таксофона карточного типа. Построение модели объекта исследования в форме конечного автомата Мили.
контрольная работа, добавлен 21.09.2013