Явища переносу заряду та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових CdTe діодних структурах
Представлення результатів дослідження фізичних процесів, що визначають електричні, оптичні і фотоелектричні характеристики тонкоплівкових діодних структур на основі телуриду кадмію. Дослідження механізмів переносу заряду в тонкоплівкових діодах Шотткі.
Подобные документы
- 51. Реакційно-дифузійні процеси в системах з поверхнею поділу "метал-газ": квантово-статистичний опис
Теорія процесів переносу для систем типу "метал–адсорбат–газ". Квантово-статистична теорія рівноважних характеристик металевих систем. Розрахунок рівноважних функцій розподілу електронів. Процеси переносу електронної підсистеми напівобмеженого металу.
автореферат, добавлен 26.08.2015 Дослідження шляхів реалізації діодних та тріодних автоемісійних структур (генераторів та підсилювачів міліметрового та субміліметрового діапазонів) на основі матричних вістрійних автоемісійних катодів. Аналіз можливості суттєвого зниження робочих напруг.
автореферат, добавлен 27.12.2015З’ясування закономірностей впливу дефектів технологічного та радіаційного походження на явища переносу у монокристалах германію і кремнію. Різноманітні фізико-активні впливи і наявності неоднорідного розподілу легуючої домішки в об’ємі напівпровідника.
автореферат, добавлен 23.08.2014Основні фотоелектричні властивості нелегованих полікристалічних алмазних плівок, які були вирощені CVD-методом. Внесок поверхні плівок в процеси електропереносу. Спектральна залежність нестаціонарного фотовідгуку у видимому та ближньому ІЧ-діапазонах.
автореферат, добавлен 25.02.2015Оптимізація процесів парофазного вирощування методом ХТР структурно досконалих монокристалів телуридів кадмію та цинку, створення структур з БШ для одержання фізичної інформації про поверхню вирощених монокристалів, розробка фізичних основ приладів.
автореферат, добавлен 25.02.2014Технологія отримання і властивості масивних кристалів. Методика отримання монокристалів CdTe і CdTe:Cl. Вивчення дефектів структури у масивних кристалах. Процеси електропровідності монокристалів, вирощених методом фізичного транспорту через газову фазу.
автореферат, добавлен 12.07.2015Визначення граничних втрат перетворення і шумових характеристик діодів з бар’єром Шотткі з високою критичною частотою, умов та способів їх реалізації у змішувачах 3-мм діапазону. Створення на основі останніх приймальних систем з рекордною чутливістю.
автореферат, добавлен 29.09.2014Визначення граничних втрат перетворення і шумових характеристик діодів з бар'єром Шотткі з високою критичною частотою, умов та способів їх реалізації у змішувачах 3-мм діапазону, створенні на основі останніх приймальних систем з рекордною чутливістю.
автореферат, добавлен 29.09.2015Мідний прецизійний термоперетворювач опору, використання тонкоплівкових технологій. Електронні схеми ємнісних давачів для дослідження температурного коефіцієнту розширення ємнісним дилатометром. Безконтактний вимірювач температури, термоанемометр.
автореферат, добавлен 29.09.2015Розробка конструкцій та технологій виготовлення високонадійних з великим запасом електричної міцності тонкоплівкових електролюмінесцентних індикаторів з використанням одного з струмо-обмежуючих шарів керамічного шару з високою діелектричною проникністю.
автореферат, добавлен 11.08.2015Явища переносу в напівпровідниках. Кінетичне рівняння Больцмана. Температурна залежність рухливості носіїв. Ефект Холла в напівпровідниках. Електропровідність в сильних електричних полях. Взаємодія світла з речовиною. Оптичні характеристики кристалів.
методичка, добавлен 26.08.2013З’ясування можливості використання тонко- і товстоплівкових структур на основі трикомпонентних твердих розчинів Cd1-xZn(Mn)xTe для поглинаючих шарів детекторів іонізуючого випромінювання. Оптимізація люмінесцентних характеристик плівкових базових шарів.
дипломная работа, добавлен 13.01.2020Фізична модель впливу тривалої витримки на повітрі і робочої температури на ефективність плівкових гетероструктур на основі базових шарів CuIn0,7Ga0,3Se2. Методика експериментального дослідження фотоелектричних процесів у плівкових гетероструктурах.
автореферат, добавлен 06.07.2014Особливості структури, фізико-хімічні та оптико-спектральні властивості люмінофорів. Особливості синтезу тонкоплівкових та керамічних сполук і аналіз їх кристалічної структури. Результати досліджень оптичних властивостей тонких плівок та монокристалів.
автореферат, добавлен 12.07.2015Визначення умов існування електричного струму. Класифікація речовин за здатністю проводити електричні заряди. Вивчення електричних властивостей індію. Розгляд змісту електронної теорії провідності. Визначення відношення заряду до маси носіїв заряду.
практическая работа, добавлен 08.04.2020Особливість використання шкільного амперметру для вимірювання сили струму. Характеристика максимальних відносних і абсолютних похибок при визначенні заряду електрона. Вивчення явища електромагнітної індукції. Формулювання показника заломлення скла.
реферат, добавлен 17.05.2016Дослідження об’ємного часу життя в монокристалічному кремнії з врахуванням рекомбінації Шоклі-Ріда. Аналіз впливу концентрації надлишкових носіїв заряду та звуження забороненої зони на поверхневу рекомбінацію в кремнієвих фоточутливих структурах.
автореферат, добавлен 14.09.2015Теорія збудження і переносу нерівноважних носіїв струму в неідеальних гетеропереходах. Створення ефективних сенсорів оптичного і рентгенівського зображення нового типу. Виготовлення перетворювача сигналів оптичного зображення із внутрішнім посиленням.
автореферат, добавлен 29.07.2015Прямий експериментальний метод визначення функції енергетичного розподілу локалізованих станів (ЛС) у напівізолюючих твердих тілах. Дослідження спектру ЛС у полікристалічних плівках CdTe, одержаних у квазізамкненому об'ємі на провідних підкладках.
автореферат, добавлен 28.06.2014Температурна залежність питомого опору і термічного коефіцієнту опору чутливих елементів. Розробка методики визначення внеску інтерфейсного розсіювання електронів у термо- та тензорезистивні властивості тонкоплівкових чутливих елементів датчиків.
автореферат, добавлен 28.09.2015Впливу температури на характеристики напівпровідникових сенсорів з p-n переходом. Залежність процесів теплорозподілу в діодних та транзисторних сенсорах від складу і структури кристалу напівпровідника. Вибір температурозалежних параметрів р-n переходу.
автореферат, добавлен 04.03.2014Дослідження процесів дефектоутворення та їх впливу на структуру та електричні властивості плівок селеніду свинцю. Характеристика механізмів фізичних процесів, що мають місце при вирощуванні плівок. Моделі атомних дефектів у тонких плівках селеніду свинцю.
автореферат, добавлен 27.07.2014Оцінка енергетичних характеристик аперіодичного і коливального заряду конденсаторів від формувача постійної напруги при змінюваній початковій напрузі на конденсаторі. Енергетично доцільний часовий інтервал для шунтування електроіскрового навантаження.
автореферат, добавлен 27.08.2015Періодичне освітлення в фоточутливому матеріалі. Формування граток заряду. Дослідження фоторефрактивного ефекту. Можливості використання кристалів у пристроях динамічної голографії. Динаміка формування розподілу фотоіндукованого розсіювання світла.
автореферат, добавлен 28.07.2014Розробка одновимірної стаціонарної моделі гідродинамічних і фізико-хімічних процесів у висхідному висококонцентрованому двофазовому потоці в надшаровому просторі реактора. Визначення рівняння переносу кінетичної енергії пульсаційного руху частинок.
автореферат, добавлен 15.07.2014