Явища переносу заряду та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових CdTe діодних структурах
Представлення результатів дослідження фізичних процесів, що визначають електричні, оптичні і фотоелектричні характеристики тонкоплівкових діодних структур на основі телуриду кадмію. Дослідження механізмів переносу заряду в тонкоплівкових діодах Шотткі.
Подобные документы
Оцінка дії ультразвуку на концентрацію радіаційних електрично-активних дефектів в монокристалічному кремнії. Розгляд впливу на кінетику фотоструму. Аналіз проростаючих дислокацій епітаксіальних плівок. Дослідження фотолюмінесценції поруватого кремнію.
автореферат, добавлен 25.07.2014Дослідження впливу розмірних ефектів і домішок, а також технологічних умов отримання і обробки зразків на оптичні та електричні характеристики і структуру досліджуваних низькорозмірних систем на основі кисневмісних сполук цинку та дийодиду свинцю.
автореферат, добавлен 14.10.2015Теоретичний аналіз явищ у сильнонерівноважних системах, що знаходяться під дією зовнішніх шумів і випадкових полів. Побудова лінійної теорії ефектів негативної в'язкості магнітоактивної плазми і провідної рідини, теорії явищ переносу в спіральних полях.
автореферат, добавлен 29.07.2014Дослідження квантової кінетики неадіабатичного донорно-акцепторного електронного переносу через молекулярний місток. Умови, за яких кінетика електронного переносу може вважатися одноекспоненційною. Експерименти по дистанційній залежності швидкості.
автореферат, добавлен 07.08.2014Встановлення закономірностей фізичних процесів, що протікають у детекторах гамма-випромінювання на основі напівпровідникових сполук CdTe і CdZnTe. Методи поліпшення характеристик детекторів, створення на їхній основі дозиметричних блоків детектування.
автореферат, добавлен 22.07.2014Опис експериментальної установки, обладнаної магнетроном і необхідними електровимірювальними приладами. Дослідження критичних випадків одночасного руху електрона в електричному і магнітному полях. Експериментальне визначення питомого заряду електрона.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Аналіз характеристик акумуляторів та методів їх заряду. Розробка алгоритмів адаптивного керування зарядом акумуляторних батарей. Розробка способів та схем пристроїв для заряду акумуляторних батарей асиметричним струмом з підвищеною енергоефективністю.
автореферат, добавлен 28.09.2015Напівпровідники, пов’язані із створенням DX-подібних центрів при легуванні кристалів домішками із змінною валентністю. Розробка технології одержання та дослідження фізичних властивостей багатокомпонентних твердих розчинів на основі телуриду свинцю.
автореферат, добавлен 24.02.2014- 84. Фізичні процеси в гетеропереходах на основі шаруватих кристалів халькогенідів галію, індію та олова
Опис топології шаруватих кристалів і можливостей її модифікації в процесі термічного окислення кристала. Вплив тунельно-прозорих шарів діелектриків на фотоелектричні характеристики гетеропереходів. Поведінка спектральної фоточутливості гетеропереходів.
автореферат, добавлен 29.08.2015 Аналіз електрофізичних і генераційно-рекомбінаційних характеристик багатошарових кремнійових структур з дифузійно-польовими бар’єрами. Розробка конструкції та технологічної схеми виготовлення високоефективних сонячних елементів дифузійно-польового типу.
автореферат, добавлен 29.07.2014Вплив параметрів тильних рефлекторів на основі шарів SiOx/SiNx та поруватого кремнію на ефективність сонячних елементів. Розробка методу керування спектральною характеристикою коефіцієнта відбиття у сонячних елементах з поруватим Бреггівським дзеркалом.
автореферат, добавлен 25.07.2015Створення мікроелектронних хімічних біосенсорiв. Розробка високочутливих селективних аналізаторів іонів важких металів. Вивчення впливу парів аміаку на електропровідність плівок поліаніліну. Комп’ютерне моделювання зміни поверхневого потенціалу сенсорів.
автореферат, добавлен 12.02.2014Визначення кількісних критеріїв конкурентоздатності домінуючих міжзонних і домішкових механізмів рекомбінації в кристалах CdTe в залежності від складу і легування матеріалу. Роль перехідної металургійної границі парофазних епітаксійних гетеросистем.
автореферат, добавлен 05.01.2014Визначення поняття електричного заряду. Його склярність, дискретність та носії. Закон збереження електричного заряду. Дослідження принципу Кулона – закону взаємодії нерухомих точкових зарядів та досліду Міллікена - експерименту з олійними краплями.
лекция, добавлен 15.04.2014Аналіз механізмів радіаційного дефектоутворення при електронному та нейтронному опроміненні нелегованих і легованих міддю монокристалів CdS. Доідження фізичних властивостей монокристалів з метою побудови моделей електронних процесів у даних сполуках.
автореферат, добавлен 28.08.2015Дослідження впливу розмірних ефектів і домішок, електрофізичних властивостей та технологічних умов отримання і обробки зразків на оптичні та електричні характеристики і структуру низькорозмірних систем розроблених на базі дийодиду свинцю і сполук цинку.
автореферат, добавлен 29.09.2014Роль одномірних кристалів для тонкоплівкових шаруватих композицій. Особливості виготовлення рентгенооптичних елементів і функціональних твердотільних матеріалів. Засоби формування рентгенівських дзеркал для керування електромагнітним випромінюванням.
автореферат, добавлен 23.11.2013Дослідження критичних випадків одночасного руху електрона в електричному і магнітному полях. Побудова залежності анодного струму від критичного. Експериментальне визначення питомого заряду електрона методом магнетрону. Розрахунок похибки вимірювань.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Дослідження механізмів самоіндукованного формування квантових точок і впливу геометричних та структурних факторів на енергетичний спектр. Аналіз особливостей процесів, що реалізуються за участю електронних, екситонних, фононних і плазмових збуджень.
автореферат, добавлен 28.01.2016Дослідження (гальванічне та акустичне) процесів електрон-фононної взаємодії в системі з сильно-локалізованими носіями (проміжно-легований n-Ge) та в двовимірному електронному газі, де присутні процеси слабкої локалізації (дельта-легований GaAs:Si).
автореферат, добавлен 20.04.2014Головні фотоелектричні, фотолюмінісцентні, фотомагнітні та електрофізичні властивості кристалів з різними значеннями складу х і ступеня компенсації. Причини низькотемпературних особливостей характеристик. Зміни механізмів власної міжзонної рекомбінації.
автореферат, добавлен 27.07.2014Дослідження критичних випадків одночасного руху електрона в електричному і магнітному полях. Експериментальне визначення питомого заряду електрона методом магнетрона. Обчислення похибки вимірювань. Побудова залежності та встановлення критичного струму.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Характеристика порівняльного аналізу експериментальних даних з результатами обчислювального експерименту. Визначення адекватності фізних моделей для проведення досліджень процесу інтеркаляції на стадії переносу інтеркалянта в шаруватій структурі.
автореферат, добавлен 25.08.2014Розробка конструкції твердотільних давачів температури. Створення мідного термоперетворювача опору з використанням тонкоплівкових технологій. Оцінка стабільності параметрів кристалічної ґратки. Вивчення ступеня захисту мідного термочутливого елемента.
автореферат, добавлен 04.03.2014Визначення критеріїв конкурентоздатності домінуючих міжзонних і домішкових механізмів рекомбінації в кристалах телуридів кадмію, ртуті в залежності від складу і рівня легування матеріалу. Встановлення процесів природної деградації кристалів КРТ n-типу.
автореферат, добавлен 12.11.2013