Биполярные транзисторы
Понятие электродов биполярных транзисторов. Полярность напряжения на коллекторе относительно эмиттера необходимая для работы биполярных n-p-n транзисторов. Особенность выбора величины постоянного напряжения на коллекторе при резистивной нагрузке.
Подобные документы
Принцип работы транзисторной импульсной и цифровой техники. Ключи на биполярном транзисторе. Применение генератора синусоидальных колебаний: преобразование энергии источника постоянного тока в переменный. Генератор с трансформаторной обратной связью.
лекция, добавлен 09.12.2013Ячейка флэш-памяти на основе МОП-транзистора: её структура и особенности. Обобщенная стокозатворная характеристика транзисторов различного типа. Обзор полевых транзисторов с изолированным затвором. Распространение транзисторов с управляющим p-n-переходом.
презентация, добавлен 20.07.2013Эквивалентные схемы IGBT транзистора. Зависимость падения напряжения на открытом приборе от температуры. Структуры элементарных ячеек IGBT транзисторов. Динамические характеристики IGBT структуры. Сравнительные характеристики различных семейств IGBT.
реферат, добавлен 10.01.2011Разработка структурной и принципиальной схем устройства. Параметры и характеристики бескорпусных транзисторов. Вычисление сопротивления в цепи эмиттера. Нахождение коэффициента передачи тока базы. Дифференциальный каскад на биполярных транзисторах.
курсовая работа, добавлен 22.02.2014Электрические и физические свойства области расположения элементов интегральных транзисторов и значение изоляции. Характеристика операций технологического процесса производства биполярных полупроводниковых ИМС с диэлектрической изоляцией элементов.
реферат, добавлен 22.02.2009Устройство и характеристики транзистора. Его типы, функции и технология изготовления. Назначение областей и электродов полупроводника. Выбор режима трёхполюсника. Схемы включения и принцип работы усилительного каскада. Уменьшение пробивного напряжения.
контрольная работа, добавлен 04.06.2014Выбор функциональной схемы измерительного усилителя переменного напряжения. Расчет сопротивления обратной связи. Снижение коэффициента нелинейных искажений. Выбор транзисторов по току для бестрансформаторных схем. Частотные свойства выходных транзисторов.
курсовая работа, добавлен 06.06.2014- 33. Варикапы
Использование варикапов в качестве конденсатора, емкость которого зависит от величины обратного напряжения. Порядок расчета параметрического стабилизатора напряжения. Назначение стабилизаторов, стабисторов, туннельных и обращенных диодов, транзисторов.
лекция, добавлен 06.09.2017 Принцип действия полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом. Условное графическое обозначение МДП-транзисторов с индуцированным n-каналом. Типовые значения крутизны полевых транзисторов, их внутреннее сопротивление, емкость плоского конденсатора.
лекция, добавлен 04.10.2013Режимы работы биполярного транзистора. Изменение ширины базы и ее свойств под действием обратного коллекторного напряжения. Резкая зависимость тока коллектора от напряжения при малых значениях. Граничная частота коэффициента передачи эмиттерного тока.
лекция, добавлен 04.10.2013Срок службы полупроводниковых триодов и их экономичность по сравнению с электронными лампами. Типы транзисторов: биполярные и полевые. Основные материалы, из которых изготовляют транзисторы. Максимально допустимые параметры полевого транзистора.
реферат, добавлен 11.01.2012Структура биполярных транзисторов типов. Движение носителей заряда в транзисторе типа п-р-п. Включение транзистора типа п-р-п по схеме с общим эмиттером. Структура и схема включения полевого транзистора. Вольт-амперные характеристики триодного тиристора.
лекция, добавлен 09.12.2013Рассмотрение экспериментальных зависимостей от температуры основных параметров МОП-транзисторов (удельной крутизны и порогового напряжения) в широком диапазоне температур, включая криогенные. Оптимизация выбора хладагента для малошумящих усилителей.
статья, добавлен 29.06.2017Транзисторы как полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления мощности. Структура и технические характеристики прибора. Принцип действия и свойства n–p–n транзистора. Коэффициенты усиления с помощью транзистора. Схемы включения транзисторов.
реферат, добавлен 19.01.2011Разработка, расчет и построение принципиальной схемы усилителя, амплитудно-частотной характеристики (АЧХ). Расчет АЧХ на нижних и верхних частотах. Разработка топологии интегральной микросхемы усилителя. Расчет резисторов, конденсаторов, транзисторов.
курсовая работа, добавлен 16.09.2017История создания полевых транзисторов, их схемы включения и устройство прибора с управляющим p-n переходом, классификация. Характеристика транзисторов с изолированным затвором (МДП-транзисторы). Основные области применения различных полевых транзисторов.
реферат, добавлен 07.12.2010Методы измерений биполярных транзисторов. Влияние температуры и частоты на свойства транзисторов и полупроводниковых приборов. Обоснование алгоритма экстракции SPICE-параметров модели. Разработка интерфейса и вычислительного ядра программного модуля.
магистерская работа, добавлен 01.12.2019Виды устойчивых состояний (режимов) для биполярного транзистора: активный, инверсивный, режим отсечки и режим насыщения. Проверка достаточности напряжения питания схемы, выбор сопротивления нагрузки в цепи эмиттера. Расчет каскада по постоянному току.
контрольная работа, добавлен 29.08.2015Современное состояние работ в области моделирования Si и SiGe биполярных транзисторных структур с учетом радиационных эффектов. Разработка унифицированной Spice-макромодели Si/SiGe биполярного транзистора, учитывающей влияние радиационных эффектов.
диссертация, добавлен 12.01.2017Расчёт интегрирующего операционного усилителя с выходным усилительным каскадом на транзисторах. Определение мощности, которая выделяется на нагрузке, тока и величины напряжения питания. Выбор транзисторов. Коэффициент усиления инвертирующего усилителя.
курсовая работа, добавлен 19.04.2011Характеристика повторителей напряжения. Обзор основных схем реализации повторителей напряжения на биполярных и полярных транзисторах. Высоколинейный эмиттерный повторитель с высокой нагрузочной способностью. Выходной каскад на квазикомплементарной паре.
курсовая работа, добавлен 22.07.2013Классификация полевых транзисторов. Частотные, шумовые, тепловые и вольт-амперные характеристики. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом. Схемы включения полевых транзисторов. Ключевой режим работы. Области применения полевых транзисторов.
курсовая работа, добавлен 21.12.2015Сравнительная характеристика и свойства полупроводников и диэлектриков. Динамический режим работы биполярных транзисторов. Классификация и маркировка микросхем. Параметры и характеристики усилителей. Режим работы транзистора в усилительных каскадах.
контрольная работа, добавлен 30.11.2016Характеристика источников опорного напряжения статического режима транзисторов. Предназначение генератора стабильного тока. Работа усилителя мощности и дифференциального усилителя в режиме синфазного усиления. Композитное включение транзисторов.
курсовая работа, добавлен 04.10.2012Режимы работы диодов источников питания и транзисторов в электронных схемах, установление связи между параметрами указанных приборов и параметрами электронных схем, в которых они работают. Характеристики выпрямительных схем и стабилизаторов напряжения.
методичка, добавлен 18.05.2010