Биполярные транзисторы

Понятие электродов биполярных транзисторов. Полярность напряжения на коллекторе относительно эмиттера необходимая для работы биполярных n-p-n транзисторов. Особенность выбора величины постоянного напряжения на коллекторе при резистивной нагрузке.

Подобные документы

  • Расчет мощности рассеивания на коллекторе и коэффициента передачи по току. Произведение выбора напряжения источника питания. Расчет элементов, обеспечивающих рабочий режим транзистора. Определение коэффициента усиления предварительного усилителя.

    курсовая работа, добавлен 25.06.2015

  • Основы физики полупроводников. Классификация диодов, биполярных транзисторов. Структура и принцип действия тиристоров. Полупроводниковые приборы с зарядной связью. Приборы на квантово-размерных эффектах. Электролюминесцентные и пленочные излучатели.

    учебное пособие, добавлен 08.09.2015

  • Применение принципа каскадирования звеньев второго порядка с абсолютно высокой чувствительностью амплитудно- и фазочастотных характеристик в полосе пропускания. Влияние малосигнальных параметров биполярных транзисторов на параметры усилительных каскадов.

    статья, добавлен 30.05.2017

  • Расчёт оконечного каскада. Выбор транзисторов по допустимой мощности рассеяния на коллекторе и максимальной амплитуде коллекторного тока. Выбор источника питания и расчёт входного сопротивления. Определение статического и динамического токов.

    курсовая работа, добавлен 25.06.2015

  • Изучение понятия, классификации и схем включения транзисторов. Срок службы полупроводниковых триодов и их экономичность. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами. Управление током в выходной цепи. Мощность рассеиваемого тепла.

    контрольная работа, добавлен 26.01.2015

  • Определение максимального, среднего и минимального напряжения на входе. Расчет схемы сравнения и источника опорного напряжения. Расчет схемы защиты от перегруза. Выбор регулирующего транзистора. Расчет параметров стабилизатора напряжения постоянного тока.

    курсовая работа, добавлен 22.06.2012

  • Основные механизмы отказа биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT) при коротком замыкании нагрузки и выключении индуктивной нагрузки. Существующие методы тестирования IGBT приборов и базисные требования к неразрушающему методу контроля.

    статья, добавлен 28.07.2013

  • Движение электронов в электрических и магнитных полях, электропроводность полупроводников. Устройство, классификация и основные параметры полупроводниковых диодов. Устройство, классификация, схемы включения и принцип действия биполярных транзисторов.

    учебное пособие, добавлен 16.04.2015

  • Расчет и выбор транзисторов. Максимальный ток коллектора. Мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора. Минимальные нелинейные искажения для малых сигналов. Расчет общего входного сопротивления схемы. Расчет эмиттерного повторителя и элементов схемы.

    курсовая работа, добавлен 10.03.2015

  • Выполнение принципиальной схемы интегрирующего аналого-цифрового преобразователя. Выбор типа тактового генератора, определение биполярных транзисторов. Расчёт мощности, потребляемой от источника питания. Построение передаточной характеристики устройства.

    курсовая работа, добавлен 03.12.2014

  • Классификация (вольтметры постоянного, переменного тока и импульсные вольтметры) и принципы работы цифровых измерительных приборов. Методы измерения напряжения постоянного тока: преобразование напряжения, косвенное измерение, осциллографический метод.

    курсовая работа, добавлен 12.12.2011

  • Входное сопротивление транзистора. Небольшие нелинейные искажения, их искажение. Процесс усиления сигнала в классе А. Определение четырех параметров данного каскада. Зависимость параметров биполярного транзистора от частоты. Влияние температуры.

    презентация, добавлен 23.09.2016

  • Методика расчёта дискретного биполярного транзистора с использованием пакета программ MathCad. Расчёт параметров биполярного транзистора с учётом эффектов высокого уровня легирования, инжекции и Кирка. Выбор топологии кристалла. Проверка базы на прокол.

    учебное пособие, добавлен 29.10.2013

  • Проведение комплексной оценки напряжения наводок в нагрузке вибратора при приеме одиночного видеоимпульса. Проведение расчетов временных зависимостей напряжения для разных значений длинны вибратора, угла прихода волны, длительности и формы видеоимпульса.

    статья, добавлен 02.04.2019

  • Расчет параметров и характеристик МОП-транзисторов на основе дырочного кремния, со встроенным каналом. Изучение понятия и сущности транзисторов, анализ их основных видов. Классификация полевых транзисторов. Анализ концентрации легирующей примеси в канале.

    курсовая работа, добавлен 14.06.2020

  • Изучение влияния ионизирующего излучения на МОП-транзисторы. Генерация электронно-дырочных пар. Измерение и анализ характеристик схем после воздействия ионизирующего излучения. Описание среды моделирования LTSpice. Анализ характеристик транзисторов.

    дипломная работа, добавлен 01.12.2019

  • Описание схем и работы источников вторичного электропитания с линейным и импульсным регулированием. Принципы повышения коэффициента полезного действия трансформаторов. Расчет однокаскадного параметрического стабилизатора напряжения постоянного тока.

    курсовая работа, добавлен 23.08.2014

  • Анализ прогресса в изготовлении транзисторов. Влияние попадания тяжелых заряженных частиц на работу транзисторов и КМОП-ячейки памяти. Моделирование воздействия заряженных частиц при разных размерах и разной температуре. Влияние радиации на транзисторы.

    дипломная работа, добавлен 28.11.2019

  • Основные рекомендации относительно правильного выполнения параллельного соединения полевых транзисторов. Способы решения проблемы защиты своих устройств от токов короткого замыкания. Специфические потери обратного восстановления паразитных диодов.

    реферат, добавлен 30.08.2010

  • Особенность калькуляции усилителя мощности. Определение амплитудного значения коллекторного напряжения одного плеча. Расчет теплоотвода для транзисторов выходного каскада. Вычисление коэффициента нелинейных искажений и параметров цепи обратной связи.

    курсовая работа, добавлен 23.06.2015

  • Проведение исследования полупроводниковых приборов со встроенным и индуцированным каналом. Характеристика температурных свойств полевых транзисторов. Особенность большого входного сопротивления устройства на постоянном токе и высокой технологичности.

    лекция, добавлен 23.09.2016

  • Структура, типы и параметры полупроводниковых транзисторов. Типы проводимости и управляющих переходов. Способы изоляции элементов интегральных микросхем. Схемы включения и режимы работы трёхполюсников. Измерение коэффициента передачи тока и напряжения.

    курс лекций, добавлен 03.03.2018

  • Выбор и обоснование элементов усилителя постоянного тока со светодиодом в нагрузке. Расчет потребляемой мощности усилителя. Выбор активных компонентов, напряжения источника питания и положения рабочих точек. Расчет цепей схемы по постоянному току.

    курсовая работа, добавлен 20.01.2015

  • Ознакомление с режимами работы транзисторов двух типов проводимости. Усилитель как устройство, предназначенное для повышения мощности входного сигнала. Увеличение мощности за счет энергии источников питания. Теоретический расчёт каскада усиления.

    контрольная работа, добавлен 17.05.2014

  • Биполярные транзисторы с улучшенными малосигнальными параметрами. Разработка и эксплуатация полупроводниковых приборов. Выбор концентрации примеси в эпитаксиальном слое коллектора. Расчет граничной частоты, напряжения насыщения и импульсных характеристик.

    курсовая работа, добавлен 19.11.2014

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.