Діелектричні властивості кристалів в системі Li2Ge4O9-LiNaGe4O9
Аналіз залежності від електричного поля діелектричної проникності кристалів при різних значеннях температури вимірювання. Дослідження специфічних особливостей процесів переполяризації кристалічних матеріалів в синусоїдальних та імпульсних полях.
Подобные документы
Методи вимірювання опору металу під час нагрівання зразка в заданому діапазоні температури, визначення температурного коефіцієнту опору. Схема електричного кола для з'єднання електропечі, термометра, цифрового вольтметра, амперметра, блоку живлення.
лабораторная работа, добавлен 27.05.2016Особливості дефектної структури CdS та їхньої кристалічної ґратки при збудженні електронної підсистеми. Методики експериментальних досліджень монокристалічних зразків. Аномальна емісія електронів з поверхні кристалів CdS та вплив зовнішніх факторів.
автореферат, добавлен 28.10.2015Дослідження геометричної дисперсії акустоелектричних хвиль в кругових циліндрах з п’єзоелектричних матеріалів низької анізотропії типу кристалів ромбічної системи. Аналіз дисперсійних характеристик хвиль і їх залежності від фізико-механічних параметрів.
автореферат, добавлен 05.01.2014Розгляд підходу до спектроскопії свинцевих активаторних центрів у лужно-галоїдних кристалах. Опис методики створення монокристалів та дослідження їх люмінесцентно-кінетичних властивостей. Аналіз впливу квантово-розмірного ефекту на властивості кристалів.
автореферат, добавлен 29.04.2014Дослідження впливу ванадію на електричні, фотоелектричні, оптичні та магнітні властивості CdTe в залежності від його концентрації. Встановлення природи дефектів ванадію. Дослідження структури кристалів CdTe:V, застосовування ультразвукової обробки.
автореферат, добавлен 15.11.2013Основні виявлення ролі часткових дислокацій, які рухаються, в процесах фазових перетворень в кристалах сульфіду та селеніду цинку. Вивчення зміни фізичних властивостей кристалів, які залежать від стану електричної активності нерухомих дислокацій.
автореферат, добавлен 28.08.2014Розв’язок задачі знаходження адмітансу відкритого кінця коаксіальної лінії у плоскошаруватому середовищі при урахуванні довільної кількості мод вищого порядку. Вимірювання діелектричної проникності рідких та агресивних середовищ коаксіальним зондом.
автореферат, добавлен 29.09.2015Методика вимірювання опорів провідників з допомогою місткових схем. Залежність опору металів від температури. Вимірювання плечей реохорда в одиницях шкали реохорда. Вимірювання загального опору резисторів і досліджуваної котушки при кімнатній температурі.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Дослідження електрофізичних процесів, що відбуваються у зразках малих розмірів. Аналіз температурної залежності опору плівкових матеріалів. Обладнання для отримання гранульованого плівкового сплаву. Огляд структурно-фазового стану гранульованої системи.
дипломная работа, добавлен 19.07.2017Вплив радіаційного теплообміну на температурні умови вирощування оксидних кристалів з розплаву. Кінетична залежність швидкості росту кристала від переохолодження фронту при вирощуванні кристалів методом осьового теплового потоку на фронті кристалізації.
автореферат, добавлен 27.09.2014Вплив умов кристалізації на атомну будову поверхонь кристалів. Фактори, що впливають на рельєф плівок при рідкофазній епітаксії. Роль адсорбційних процесів при рості кристалів. Характеристика механізму утворення плівок шляхом конденсації з газової фази.
автореферат, добавлен 27.08.2015Дослідження залежності похибки вимірювання температури методом комбінаційного розсіювання світла від відстані між досліджуваним об’єктом та приймачем відбитого випромінювання та від інтенсивності фонового випромінювання. Вплив фонового випромінювання.
статья, добавлен 14.09.2016Аналіз закономірностей поведінки діелектричних і оптико-спектральних властивостей кристалічних фероїків з алкіламін-катіоном в області їх фазових переходів. Особливості прояву ефектів параметричної кристалооптики, термохромізму та діелектричних процесів.
автореферат, добавлен 22.06.2014Температура як найважливіший параметр технологічних процесів багатьох галузей промисловості. Загальні відомості про вимірювальну техніку. Знаходження за вхідними даними такого приладу вимірювання температури, який би міг виміряти з заданою точністю.
курсовая работа, добавлен 11.04.2013Збір та аналіз даних про активні геліопроцеси та їх прояви у різних фізичних полях та діапазонах випромінювання і про геоефективні прояви цих процесів. Виявлення сонячно-земних зв’язків. Наземні вимірювання параметрів біотичних та абіотичних компонентів.
статья, добавлен 28.11.2013- 91. Особливості діелектричної поведінки при фазовому переході в шаруватих сегнетоелектриках CuInP2S(Se)6
Знайомство з особливостями діелектричної поведінки при фазовому переході в шаруватих сегнетоелектриках CuInP2S(Se)6. Розгляд способів забезпечення умов стехіометричності для кристалів CuInP2S(Se)6. Загальна характеристика дефектів кристалічної гратки.
статья, добавлен 27.12.2016 Встановлення природи особливостей електронних властивостей кристалів та епітаксійних структур твердих розчинів вузькощілинного p-Hg1-xCdxTe в області домішкової та стрибкової провідності. Опис переходів Мотта й Андерсона у домішковій зоні цих кристалів.
автореферат, добавлен 27.04.2014Дослідження гідродинамічних і теплофізичних процесів в середовищах, які намагнічуються. Формування електрогідродинамічних течій та теплопереносу в електричних полях на основі теорії процесів електризації та зарядостворення в слабкопровідних середовищах.
автореферат, добавлен 11.11.2013Розробка методики вимірювань параметрів напівпровідникових кристалів кремнію в умовах контрольованого ультразвукового навантаження. Дослідження температурної залежності поперечної акустоелектричної напруги в шаруватій системі п’єзоелектрик-напівпровідник.
автореферат, добавлен 23.02.2014Роль часткових дислокацій, що рухаються, в процесах фазових перетворень в кристалах сульфіду та селеніду цинку. Вивчення змін фізичних властивостей кристалів сульфіду та селеніду цинку, які залежать від стану електричної активності нерухомих дислокацій.
автореферат, добавлен 28.12.2015- 96. Люмінесцентна спектроскопія електронних збуджень в іонних свинцевовмісних моно- та нанокристалах
Процес утворення свинцевовмісних нано(мікро)кристалів в галоїдних кристалічних матрицях різної структури. Механізм трансформації і міграції високоенергетичних електронних збуджень в кристалічних матрицях, що вміщають одиничні, комплексні свинцеві центри.
автореферат, добавлен 28.07.2014 Експериментальне дослідження впливу ізовалентної домішки магнію на структурні та оптичні властивості селеніду цинку. Виявлення можливих генераційно-рекомбінаційних процесів і визначення природи складових оптичних спектрів легування монокристалів.
автореферат, добавлен 10.08.2014- 98. Люмінесцентна спектроскопія електронних збуджень в іонних свинцевовмісних моно- та нанокристалах
Процеси утворення свинцевовмісних нано(мікро)кристалів в галоїдних кристалічних матрицях різної структури. Механізми трансформації і міграції високоенергетичних електронних збуджень в кристалічних матрицях. Фазовий склад і форма свинцевовмісних агрегатів.
автореферат, добавлен 28.07.2014 Автоматизований апаратно-програмний комплекс для проведення медико-біологічних експериментів на базі хвилеводного методу вимірювання. Виміри часових залежностей реакції діелектричної проникності еритроцитів крові людини на дію біологічно активних речовин.
автореферат, добавлен 30.07.2015Вивчення впливу механізмів розсіювання носіїв струму в кристалах халькогенідів свинцю n-типу провідності на концентраційні та температурні залежності основних кінетичних параметрів. Освоєння технології синтезу та вирощування кристалів халькогенідів.
автореферат, добавлен 28.07.2014