Діелектричні властивості кристалів в системі Li2Ge4O9-LiNaGe4O9
Аналіз залежності від електричного поля діелектричної проникності кристалів при різних значеннях температури вимірювання. Дослідження специфічних особливостей процесів переполяризації кристалічних матеріалів в синусоїдальних та імпульсних полях.
Подобные документы
Величина екранування поля спонтанної поляризації, що призводить до збільшення ролі флуктуацій параметру. Температурний гістерезис діелектричної проникності кристалів Li2Ge7O15 при температурі фазового переходу. Частотна дисперсія дебаєвського типу.
автореферат, добавлен 15.11.2013Виявлення і дослідження зміни мікромеханічних, електрофізичних характеристик і наноструктури кристалів кремнію при впливі магнітного поля. Аналіз особливостей зміни мікротвердості кристалів кремнію при довготривалій дії слабких постійних магнітних полів.
автореферат, добавлен 30.07.2015Створення елементної бази сенсорів температури та деформації на основі ниткоподібних кристалів твердого розчину Si1-хGeх, вплив магнітного поля на їх характеристики. П’єзорезистивні і термоелектричні властивості кристалів в області низьких температур.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження зонної структури кристалів Cs2CdI4 і суперіоніки Ag2CdI4. Генезис зон та непрямозонний характер оптичних переходів. Спектри оптичних констант для кристала зі структурою типу Sr2GeS4 та походження смуг у спектрах діелектричної проникності.
автореферат, добавлен 06.07.2014Встановлення характерних особливостей дефектної структури кристалів, обумовлених істотно нерівноважними умовами їх росту й екстремальними зовнішніми впливами. Математичне моделювання пружних коливань і характеристик діелектричної релаксації кристалів.
автореферат, добавлен 30.08.2014Дослідження фотойонізаційних процесів, обумовлених наявністю домішок перехідних металів групи заліза та власних структурних дефектів у напівпровідникових матрицях кристалів групи А2В6 і їх впливу на оптичні та фотоелектричні властивості даних кристалів.
автореферат, добавлен 06.07.2014Встановлення природи фазового переходу в кристалах слабкого сегнетоелектрика гептагерманата літію (LGO). Процеси поляризації в кристалах LGO. Вплив зовнішніх факторів на поведінку діелектричної проникності в районі температури фазового переходу.
автореферат, добавлен 29.08.2013Вивчення впливу термічного відпалу, оточуючої атмосфери, електричного поля та дії опромінення на закономірності емісії електронів з грані (000І) кристалів CdS. Встановлення електрофізичних параметрів структур, отриманих на грані (000І) монокристалів CdS.
автореферат, добавлен 25.08.2014Вивчення впливу кратності періоду модуляції діелектричної проникності плоскої структури на просторовий розподіл електромагнітного поля. Виявлення особливостей формування поля випромінювання пластиною для випадку модуляції діелектричної проникності.
статья, добавлен 30.07.2016Закономірності впливу іонів Cr і Mn на формування термо- і фотоелектретних станів та на діелектричні властивості кристалів BSO у звуковому діапазоні частот. Об'ємно-зарядовий і квазідипольний механізми поляризації. Особливості термічного дефектоутворення.
автореферат, добавлен 07.03.2014Аналіз зсуву температури Кюрі від решіткового коливання частоти та диполь-дипольної взаємодії при зменшенні міжатомних відстаней в кристалі. Вплив гідростатичного тиску на аномалії діелектричної проникності та тангенс кута втрат у фазовому переході.
статья, добавлен 27.12.2016Дослідження доменної структури сегнетоелектричних кристалів Sn2P2S6 та SbSI і сегнетоеластичних кристалів та твердих розчинів сімейства аргиродитів типу Cu6PS5Br(I,Cl). Аналіз макродефектної та доменної структури кристалів, властивості напівпроводників.
автореферат, добавлен 30.10.2015Дослідження короткотривалої релаксації надструктури неспівмірних фаз кристалів тетраметиламін-тетрахлорметалатів, а також вивчення впливу електричного поля на поведінку хвилі модуляції в умовах "в’язкої взаємодії" в кристалах [N(CH3)4]2МеCl4 (Me=Cu, Zn).
автореферат, добавлен 14.09.2014Вивчення фононних спектрів. Огляд коливальних характеристик кристалічних систем з істотними порушеннями трансляційної симетрії розташування атомів: кристалів зі складними дефектами, квазінизьковимірних та багатошарових кристалів, мікро- і нанокластерів.
автореферат, добавлен 25.08.2015Явища переносу в напівпровідниках. Кінетичне рівняння Больцмана. Температурна залежність рухливості носіїв. Ефект Холла в напівпровідниках. Електропровідність в сильних електричних полях. Взаємодія світла з речовиною. Оптичні характеристики кристалів.
методичка, добавлен 26.08.2013Дослідження впливу особливостей розподілу електронної щільності на фізичні властивості купратів та рідкісноземельних оксидів. Розрахунок багатокомпонентних кристалів зі змішаним типом хімічного зв'язку і великим числом атомів в елементарній комірці.
автореферат, добавлен 28.10.2015Дослідження взаємодії оптичного випромінювання з періодично впорядкованими структурами. Основні методи створення фотонних кристалів. Головні характеристики фотонних кристалів та перспективи їх застосування. Характеристика тонких плоских зразків опалу.
реферат, добавлен 18.12.2020Математична модель еквівалентної діелектричної проникності впорядкованого і невпорядкованого неоднорідного сипкого середовища. Порівняльний аналіз ємнісних первинних перетворювачів з різними формами внутрішнього електрода: циліндричною, конусною, вгнутою.
автореферат, добавлен 29.08.2015Дослідження еволюції дислокаційної структури кристалів в залежності від способів її введення. Вплив термічної обробки монокристалічних напівпровідникових матеріалів на характеристики дислокаційно-домішкової структури і розсіяння рентгенівських променів.
автореферат, добавлен 29.01.2016Визначення часових меж процесів, що відбуваються під час нагрівання кристалів у відновлювальній атмосфері і після зміни атмосфери відпалу. Вплив атмосфери відпалу на складові кристалів LiNbO3, кореляція змін структурних і оптичних властивостей.
автореферат, добавлен 12.07.2015Фізико-технічні аспекти феномену спадковості станів в кристалічних сполуках AIIBVI. Дослідження оптичних, діелектричних, акустичних і теплових властивостей цих кристалів. Використання системного підходу до дослідження метастабільних станів сполук.
автореферат, добавлен 24.06.2014Дослідження рівноважних характеристик монокристалічного CdTe:V, вирощеного методом Бріджмена, при двох концентраціях домішки у розплаві см-3 та різних режимах охолодження злитків. Встановлення залежності властивостей кристалів від швидкості охолодження.
статья, добавлен 30.10.2016Дослідження спектральних характеристик радіаційностійких кристалів окислів боратів бета–BaB2O4 та Li2B4O7, нелінійно-оптичних та гіротропних кристалів Ca3(VO4)2 та нелінійних кристалів GaP в умовах впливу полів імпульсного лазерного випромінювання.
автореферат, добавлен 21.11.2013Методика вирощування монокристалів лангбейнітів і їх рентгеноструктурне дослідження. Аналіз доменної структури кристалів при фазових переходах. Послідовність вимірювання показника теплового лінійного розширення за допомогою кварцового дилатометра.
автореферат, добавлен 22.06.2014- 25. Аналіз та оцінювання термоелектричних матеріалів для засобів вимірювання температури газових потоків
Проведення оцінки термoелектричних матеріалів із шляхетних металів і стопів як елементів засобів вимірювання температури газових потоків. Дослідження термоелектричної стабільності залежно від властивостей газового потоку і конструкційних матеріалів.
статья, добавлен 30.07.2016