Исследование связи энергетических спектров молекул с транспортными характеристиками одноэлектронных транзисторов на их основе
Взаимосвязь между энергетическим спектром молекулы и транспортными характеристиками мономолекулярного одноэлектронного транзистора на основе молекулы. Применение метода имитационного моделирования Монте-Карло. Расчет эффективных емкостных параметров.
Подобные документы
Принцип действия полевого транзистора с управляющим р-n переходом. Выходные (стоковые), передаточные (стоко-затворные) и вольт-амперные характеристики полевых транзисторов. Графо-аналитический и аналитический методы определения основных параметров ПТ.
лабораторная работа, добавлен 20.12.2021Методи одержання селективних сигналів із фінітним спектром, котрі містять задане число параметрів. Методики розрахунку селективних сигналів із нелінійними фазочастотними характеристиками. Визначення критеріїв фінітності спектра для селективних сигналів.
автореферат, добавлен 22.04.2014Разработка, расчет и построение принципиальной схемы усилителя, амплитудно-частотной характеристики (АЧХ). Расчет АЧХ на нижних и верхних частотах. Разработка топологии интегральной микросхемы усилителя. Расчет резисторов, конденсаторов, транзисторов.
курсовая работа, добавлен 16.09.2017Реализация инвестиционных проектов в сфере сотовой связи. Актуальность комплексного алгоритма применения имитационного моделирования в анализе рынка связи. Переход от реальной системы к логической схеме ее функционирования на этапе создания модели.
статья, добавлен 08.04.2015Метод трехмерного геометрического моделирования периодических энергетических негармонических процессов. Расчет обобщенной трехмерной геометрической модели. Расчет численных значений нормированных координат. Интегральный признак сходимости Коши-Маклорена.
статья, добавлен 30.10.2016Конструкция и принципы классификации полупроводниковых диодов. Преобразование переменного тока с помощью выпрямительного диода; работа в импульсных цепях. Изучение основных особенностей транзисторов. Расчет и основные характеристики МДП-транзистора.
курсовая работа, добавлен 30.11.2013Определение коэффициента передачи усилителя с отрицательной обратной связью. Выбор рабочей точки и транзистора для выходного каскада. Выбор транзистора для промежуточного каскада. Проверка правильности выбора транзистора. Расчет емкостных элементов.
курсовая работа, добавлен 13.10.2017Определение координат точки покоя напряжения питания прибора. Построение статической и динамической линий нагрузки, выбор транзистора. Графоаналитический расчет параметров усилителя. Определение hэ-параметров и физических параметров транзистора.
реферат, добавлен 27.11.2013Условия согласования интегрального малошумящего усилителя с источником сигнала, результаты моделирования зависимостей коэффициента передачи по напряжению и коэффициента шума от длины эмиттера биполярного транзистора и ширины затвора МОП транзистора.
статья, добавлен 15.08.2013Свойства полевого транзистора с изолированным затвором (МОSFЕТ), его преимущества и отличие от биполярного транзистора. Характеристика и особенности применение полевых транзисторов. Процессы, происходящие в транзисторе при его управлении и переключении.
реферат, добавлен 30.08.2010Проектирование приемника для приема АМ-радиосигналов. Выбор транзисторов высокочастотной части. Расчет параметров транзистора на максимальной частоте сигнала. Выбор числа поддиапазонов. Распределение частотных искажений по частям и трактам приёмника.
курсовая работа, добавлен 13.08.2012- 37. Транзисторы
Классификация, схемы включения и характеристики транзисторов. Рассмотрение показателей, характеризирующих схемы включения транзистора. Физические принципы работы биполярного транзистора. Оценка энергетической эффективности ключевого режима транзисторов.
реферат, добавлен 27.06.2015 Исследование характеристик и особенностей применения атмосферных оптических линий связи. Современные приемники излучения, применяемые в АОЛС, их характеристики и принцип действия. Структура сети на основе АОЛС для связи сегментов ЛВС ведомственной службы.
диссертация, добавлен 24.05.2018Рассмотрение эквивалентной схемы полевого транзистора. Общая характеристика основных принципов проектирования многоканальных СВЧ переключателей с полупроводниковыми элементами. Знакомство с частотными характеристиками двухканального переключателя.
автореферат, добавлен 30.10.2018Определение h-параметров усилителя по его статическим характеристикам. Выбор режима работы транзистора. Расчет делителя в цепи базы. Оценка нелинейных искажений каскада. Проведение расчета основных параметров элементов схемы замещения транзистора.
контрольная работа, добавлен 31.01.2014Исследование режимов работы транзистора в усилителях, используемых в системах управления производственными процессами. Условия выбора режима работы транзистора. Анализ сведений о типах электронных устройств классов транзисторов и их основных свойствах.
статья, добавлен 21.10.2016Математическая модель алгоритма псевдослучайной последовательности для систем связи с многочастотными сигналами MC-DS-CDMA. Оптимизации сигналов MC-DS-CDMA для повышения эффективности системы синхронизации. Применение при разработке систем связи.
статья, добавлен 20.05.2017Экспериментальное определение параметров транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Использование эквивалентных схем, основанных на представлении транзистора как активного линейного четырехполюсника. Измерение напряжения коллектора транзистора.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012Основные принципы классификации полупроводниковых диодов. Последовательное включение выпрямительных диодов. Классификация и основные особенности транзисторов. Устройство биполярного транзистора. Расчет входной и выходной характеристики транзистора.
курсовая работа, добавлен 13.12.2013Критерии классификации и условные графические обозначения полевых транзисторов. Структурная схема и схема включения полевого транзистора с управляющим переходом. Перекрытие канала, вольтамперные характеристики. Значения параметров полевых транзисторов.
реферат, добавлен 25.01.2012Основные статические параметры транзистора. Показатели динамического режима транзисторного усилителя. Принципиальная схема усилительного каскада. Расчет транзисторного каскада, работающего в ключевом режиме. Определение параметров схемы мультивибратора.
контрольная работа, добавлен 03.06.2018Изготовление твердотельных интегральных транзисторов методами планарной или изопланарной технологий. Материалы, необходимых для изготовления планарного транзистора. Расчет профиля легирования примесей и количества диффузанта при загонке примеси.
контрольная работа, добавлен 02.02.2016Сведения о стандарте IEEE 802.15.4 и технологии ZigBee. Состав и формат пакетов. Беспроводное решение для одиночных скважин на основе технологии ZigBee. Применение технологии с высокими эксплуатационными характеристиками и высоким энергопотреблением.
курсовая работа, добавлен 10.06.2022Сущность и классификация транзисторов как радиоэлектронных компонентов из полупроводникового материала. Устройство биполярного транзистора. Эпитаксиальные транзисторы. Материалы для изготовления полупроводниковых приборов. Особенности расчёта транзистора.
курсовая работа, добавлен 21.02.2018Исследование статических вольт-амперных характеристик биполярных транзисторов в схеме с общей базой. Расчет дифференциальных параметров в заданной точке. Определение характеристик БТ с общим эмиттером для вариантов выходного напряжения и входного тока.
лабораторная работа, добавлен 12.06.2020