Исследование связи энергетических спектров молекул с транспортными характеристиками одноэлектронных транзисторов на их основе
Взаимосвязь между энергетическим спектром молекулы и транспортными характеристиками мономолекулярного одноэлектронного транзистора на основе молекулы. Применение метода имитационного моделирования Монте-Карло. Расчет эффективных емкостных параметров.
Подобные документы
Техническая характеристика усилителей мощности гармонических и импульсных сигналов. Схематизация выходного каскада и расчет энергетических параметров четырехполюсника. Параметры подбора транзистора и трансформатора для полупроводниковых приборов.
курсовая работа, добавлен 25.11.2013Выбор трассы кабельной линии связи и конструкции электрического кабеля. Определение конструкции кабеля и способа организации связи. Расчет параметров передачи кабельных цепей реконструируемой линии. Расчет параметров взаимных влияний между цепями.
курсовая работа, добавлен 12.11.2017Исследование схемы малоэлементного пускорегулирующего устройства с квазисинусоидальной формой токов в статорных обмотках асинхронного двигателя. Характеристика принципа работы электроприводов кранов, подъемников периодического действия и экскаваторов.
статья, добавлен 17.07.2018Возможность использования импульсного метода для обнаружения в грунте противопехотных и противотанковых мин. Исследование параметров сигналов подповерхностного радиолокатора на основе беспилотного летательного аппарата при импульсном методе зондирования.
статья, добавлен 02.04.2019Характеристика понятия, свойств инверторов. Вольтамперные характеристики инвертора. Технологический маршрут создания инвертора на основе двух полевых транзисторов с барьером Шоттки. Изучение технологий, используемых в создание инвертора на основе GaAs.
курсовая работа, добавлен 08.01.2018Выбор режима работы транзистора. Расчет сопротивления делителя в цепи базы и мощности резистора. Физические малосигнальные параметры П-образной схемы замещения биполярного транзистора. Определение параметров каскада. Оценка его нелинейных искажений.
курсовая работа, добавлен 20.08.2017Разработка математического описания элементов цифровой вычислительной техники. Анализ системы моделирования, ее возможности и применение. Расчет электрических помех в процессе моделирования. Характеристика электромагнитной совместимости элементов.
контрольная работа, добавлен 30.01.2016Применение специальных коммуникационных систем в области связи. Проведение анализа убывающей оценки артикуляции в системах предупреждения. На основе полученных результатов разработка метода уменьшения влияния акустического шума на речевой сигнал.
статья, добавлен 22.08.2020Устройство плоскостного биполярного транзистора. Режимы работы биполярного транзистора. Схема включения с общим эмиттером, базой и коллектором. Эквивалентная схема транзистора с использованием h-параметров. Усилительный каскад на биполярном транзисторе.
реферат, добавлен 06.12.2015Расчет и сравнение параметров транзистора для схем включения с общими эмиттером и базой. Определение статических и динамических параметров каскада с общим эмиттером, параметров выходного импульсного сигнала. Значение выходной функции для логической схемы.
контрольная работа, добавлен 10.12.2015Использование при моделировании объектно-ориентированного подхода, в соответствии с которым модель mesh-сети представляется в виде совокупности взаимодействующих между собой агентов - абонентских терминалов. Моделирование взаимодействия агентов.
реферат, добавлен 02.04.2019Расчет параметров усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе. Выбор биполярного транзистора и положения рабочей точки. Расчет параметров элементов схемы и определение параметров усилительного каскада на биполярном и полевом транзисторах.
контрольная работа, добавлен 19.11.2017Необходимость моделирования сетей оперативной связи гарантированной надежности с известными параметрами трафика. Подход к осуществлению имитационного моделирования сегмента сети фиксированной топологии. Анализ достоверности результатов моделирования.
реферат, добавлен 02.04.2019Выбор метода проектирования. Характеристики идеального фильтра нижних частот. Выбор взвешивающей функции. Получение цифрового КИХ-фильтра нижних частот с заданными характеристиками. Тестирование фильтра, программирование и анализ его быстродействия.
курсовая работа, добавлен 10.06.2013Построение отбеливающего фильтра для аддитивной помехи с произвольным энергетическим спектром при исключении искажения формы спектра полезного сигнала. Структурная схема адаптивного фильтра, активного RC-фильтра. Помехи с быстро возрастающим спектром.
статья, добавлен 12.07.2013Расчет и выбор транзисторов. Максимальный ток коллектора. Мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора. Минимальные нелинейные искажения для малых сигналов. Расчет общего входного сопротивления схемы. Расчет эмиттерного повторителя и элементов схемы.
курсовая работа, добавлен 10.03.2015Обобщенная структурная схема передатчика с прямым способом получения частотной модуляции. Расчет коллекторной цепи транзистора, входной цепи. Расчет схемы связи оконечного каскада с нагрузкой. Выбор транзистора для автогенератора, расчет модулятора.
курсовая работа, добавлен 09.04.2012Ознакомление с процессом моделирования распределенных линий связи. Определение основных технических параметров линии и модели ее построения: идеальная без потерь или с потерями. Режимы распространения волн. Принципы управления входным и выходным током.
лабораторная работа, добавлен 12.05.2022Особенность калькуляции усилителя мощности. Определение амплитудного значения коллекторного напряжения одного плеча. Расчет теплоотвода для транзисторов выходного каскада. Вычисление коэффициента нелинейных искажений и параметров цепи обратной связи.
курсовая работа, добавлен 23.06.2015Основные характеристики и область применение датчиков температуры. Основные типы полупроводниковых датчиков температуры. Датчики температуры на основе диодов и транзисторов. Датчики температуры на основе терморезисторов. Пленочные датчики температуры.
курсовая работа, добавлен 24.04.2017Технологический маршрут создания инвертора на основе двух полевых транзисторов с барьером Шоттки. Рассмотрение технологий, используемых в создании инвертора на основе GaAs. Химическое осаждение из газовой фазы при пониженном давлении. Ионная имплантация.
курсовая работа, добавлен 05.06.2017Исследование электрофизических и приборных характеристик одинарных и двойных гетероструктур. Разработка основных этапов технологии создания мощного полевого транзистора. Электрофизические параметры и стабильность приборных характеристик транзистора.
автореферат, добавлен 31.07.2018Построение семейства статических входных и выходных характеристик транзистора BSX20. Расчет резистивных элементов каскада. Определение суммарного сопротивления, задающего режим покоя. Расчет емкостных элементов каскада. Коэффициент усиления по напряжению.
курсовая работа, добавлен 07.08.2013Технологические методы создания электронно-дырочного перехода. Определение основных параметров и характеристик, а также физических процессов, лежащих в основе образования и функционирования p-n-перехода. Внешний фотоэффект и его применение в фотодиодах.
дипломная работа, добавлен 11.01.2011Входные характеристики при включении транзистора по схеме с общим эмиттером. Характеристики управления при включении транзистора по схеме. Параметры и эквивалентные схемы биполярных транзисторов. Эквивалентная схема в виде модели Эбертса-Молла (вид).
презентация, добавлен 23.09.2016