Полупроводниковые диоды
Формула для идеального диода. Сопротивления контактов металл-полупроводник. Термогенерация носителей непосредственно в области p-n перехода. Поверхностные утечки. Энергетические уровни, обеспечивающие активные процессы генерации и рекомбинации, причины.
Подобные документы
Основы физики полупроводников. Классификация диодов, биполярных транзисторов. Структура и принцип действия тиристоров. Полупроводниковые приборы с зарядной связью. Приборы на квантово-размерных эффектах. Электролюминесцентные и пленочные излучатели.
учебное пособие, добавлен 08.09.2015Основные области применения и характеристики датчиков температуры. Изучение основных типов полупроводниковых датчиков температуры. Применение датчиков температуры на основе диодов и транзисторов. Пленочные полупроводниковые датчики температуры.
курсовая работа, добавлен 16.05.2016Оценка стойкости библиотечных компонентов комплементарной структуры металл-оксид-полупроводник интегральных схем. Расчет компонентов в структуре систем автоматизированного проектирования сверхбольших интегральных схем. Анализ результатов расчета вентиля.
статья, добавлен 28.04.2017Структура курса "Электроника". Темы курса. Краткий конспект лекций курса. Физические основы электроники. Полупроводниковые диоды. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Тиристоры и семисторы. Усилительный каскад на транзисторе и его параметры.
курс лекций, добавлен 20.07.2013Технические каналы утечки информации: акустические, вибрационные, электроакустические, параметрические, оптико-электронные и пр. Структурная модель объекта защиты. Расчет реальности канала утечки информации. Расчет величины угрозы утечки информации.
курсовая работа, добавлен 26.02.2015- 56. Туннельный диод
Описание устройства и назначения полупроводниковых приборов - электронных устройств на полупроводниках. Устройство, назначение и вольт-амперная характеристика туннельного диода. Параметры проводимости и построение диаграмм работы туннельных диодов.
реферат, добавлен 16.11.2013 Четырёхзондовый метод измерения удельного поверхностного сопротивления полупроводниковых подложек и тонких плёнок. Определение типа проводимости полупроводниковых подложек на оборудовании. Расчет тонкопленочных резисторов гибридной интегральной схемы.
лабораторная работа, добавлен 26.03.2022Характеристики полупроводниковых приборов, имеющих два p-n перехода, пригодных для усиления мощности электрических сигналов. Принцип инжекции носителей в базу транзистора. Свойства коллекторного перехода. Отличия кремниевого и германиевого транзисторов.
реферат, добавлен 24.04.2017Анализ особенностей создания инверсной населенности в полупроводниках. Характеристика идеальной зонной схемы для гетероперехода в условиях равновесия. Энергетическая диаграмма активных структур инжекционного лазера. Спектр излучения лазерного диода.
курсовая работа, добавлен 22.12.2014Схематическое изображение структуры диода на основе контакта полупроводников. Анализ изменения соотношения между диффузионными и дрейфовыми составляющими потоков электронов и дырок при прямом и обратном напряжениях на электронно-дырочной структуре.
учебное пособие, добавлен 05.12.2016Определение понятия и принципов работы лавинно-пролётного диода. Рассмотрение особенностей линейной теории полупроводникового диода. Определение напряжений, а также плотности тока проводимости. Усиление сигнала, природа шумов лавинно-пролётного диода.
реферат, добавлен 17.06.2015Конструктивный электрический и тепловой расчет контактов. Выбор материала и конструктивных форм коммутирующих контактов. Размеры коммутирующих контактов. Допустимое падение напряжения. Переходное сопротивление контакта. Начальный ток сваривания контактов.
курсовая работа, добавлен 22.04.2013Характеристика, назначение и комплектация цифрового измерителя сопротивления изоляции MIC-5000. Органы управления и техника безопасности при его эксплуатации. Схемы включения прибора, измерения сопротивления изоляции трансформатора методом трех контактов.
лабораторная работа, добавлен 07.04.2015Исследование вольт-амперной характеристики диода при различной температуре в линейном и полулогарифмическом масштабах. Определение температурного коэффициента напряжения диода при различной температуре и значениях прямого тока для построения термометра.
лабораторная работа, добавлен 02.01.2023Сравнительный анализ работы субгармонического смесителя радиосигналов на базе резонансно-туннельного диода и на базе диода с барьером Шоттки. Анализ режимов работы смесителя, позволяющие получить повышение показателей качества смесителя на базе диода.
статья, добавлен 08.12.2018Гетерогенный многосердцевинный световод с прямоугольным поперечным сечением. Потенциал применения фотоники и радиофотоники в радиосредствах СВЧ-диапазона. Фоточувствительные активные волоконные световоды для радиофотоники. Исследования полупроводников.
научная работа, добавлен 26.10.2015Характеристика электропроводности полупроводников как их способности проводить электрический ток при наличии подвижных заряженных частиц. Взаимодействие электрического поля и полупроводника при направленном движении носителей и протекание электротока.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010Энергетические зоны на границе двух полупроводников. Принципиальное отличие энергетического спектра квантовой точки от спектра квантовой ямы. Механизмы самоорганизованного роста тонкого слоя на поверхности монокристалла. Спектры фотолюминисценции.
презентация, добавлен 24.05.2014Обсуждение физических принципов и параметров работы твердотельных полупроводниковых приборов, использующих как явление инжекции носителей через p-n-переходы, так и явления, связанные с эффектом поля. Физика поверхности полупроводников и МДП-структур.
учебное пособие, добавлен 07.05.2014Собственные и примесные полупроводники, их сравнительное описание и функциональные особенности. Статистика носителей заряда в полупроводниках. Полимеры: классификация, структура, свойства, применение. Низкокоэрцитивные сплавы для слабых магнитных полей.
контрольная работа, добавлен 09.10.2013Изучение структуры p-n перехода. Особенность возникновения потенциального барьера. Анализ прямого и обратного включений. Суть уменьшения дифференциального сопротивления. Осмотр туннельного, лавинного и теплового пробоев. Диффузионная и барьерная емкость.
лекция, добавлен 23.09.2016Расчет вольтамперной характеристики и идеализированного кремниевого диода в пределах изменения напряжения. Определение дифференциального сопротивления линейного участка. Анализ принципиальной схемы усилителя. Обзор принципа работы и параметров фотодиода.
задача, добавлен 28.10.2011Понятие и сущность дребезга контактов. Исследование дребезга контактов с помощью платы Intel Galileo Gen 2 и способы борьбы с ним. Описание наблюдения за явлением дребезга контактов на примере тактовой кнопки. Изучение теории о дребезге контактов.
реферат, добавлен 09.11.2018Исследование полупроводникового диода, биполярных транзисторов и транзисторных усилителей, неуправляемых однофазных выпрямителей, управляемых однофазных выпрямителей. Расчет динамического сопротивления стабилитрона, коэффициента нестабильности.
лабораторная работа, добавлен 16.12.2015Канал утечки информации технических средств обработки, хранения, передачи информации. Просачивание информационных сигналов в цепи заземления. Технический канал утечки видовой информации. Атаки на уровне сетевого программного обеспечения, сетевая разведка.
статья, добавлен 21.09.2017