Полупроводниковые диоды
Формула для идеального диода. Сопротивления контактов металл-полупроводник. Термогенерация носителей непосредственно в области p-n перехода. Поверхностные утечки. Энергетические уровни, обеспечивающие активные процессы генерации и рекомбинации, причины.
Подобные документы
Выбор схемы включения операционного усилителя. Оценка допустимого значения входного сопротивления. Построение логарифмической амплитудно-частотной характеристики операционного усилителя. Расчет ориентировочного значения токов, протекающих через диоды.
курсовая работа, добавлен 03.12.2019Построение вольт-амперной характеристики идеализированного кремниевого диода в пределах изменения напряжения и принципиальной схемы усилителя. Принципы работы и параметры фотодиода. Определение величины сопротивления ограничительного резистора.
контрольная работа, добавлен 17.12.2011Рассмотрение использования и конструкции диода Ганна. Анализ подходов выполнения низкоомных омических контактов, необходимых для подвода тока для работы диодов Ганна. Режимы использования генераторов на диоде Ганна в зависимости от питающего напряжения.
статья, добавлен 19.02.2019Изучение свойств p-n перехода. Исследование принципов действия полупроводниковых диодов и триодов. Анализ схем включения транзисторов, их достоинств и недостатков. Рассмотрение областей применения. Построение выпрямителей и фильтров переменного тока.
реферат, добавлен 16.10.2017История развития и оценка современных достижений электронной промышленности. Первые полупроводниковые материалы и сферы их использования. Кремниевые полупроводниковые приборы, их описание и преимущества, методы сборки и герметизации и металлизация.
учебное пособие, добавлен 08.02.2015Оксид цинка - прямозонный полупроводником, обладающий большими потенциальными возможностями применения в качестве материала для фотоприемников, светодиодов, прозрачных контактов, элементов солнечных ячеек и других элементов для тонкопленочной электроники.
статья, добавлен 30.05.2017Идентификация параметров spice-модели диода с помощью программ Parts, PSpice Model Editor, Micro-Cap. Нелинейные и линеаризованные схемы замещения с включением источников внутреннего шума. Уравнения, описывающие статический и динамический режимы.
методичка, добавлен 24.03.2014Конструкция и принципы классификации полупроводниковых диодов. Преобразование переменного тока с помощью выпрямительного диода; работа в импульсных цепях. Изучение основных особенностей транзисторов. Расчет и основные характеристики МДП-транзистора.
курсовая работа, добавлен 30.11.2013Электропроводность полупроводников, определение и специфика плотности дрейфового тока. Параллельное соединение диодов, характеристика и предназначение стабилитронов, стабисторов. Транзисторы, управляемые с помощью p-n перехода или барьера Шоттки.
курс лекций, добавлен 02.10.2016Исследование основных параметров и характеристик полупроводниковых выпрямительных диодов. Определение источников полупроводникового диода и физических процессов происходящих в нем. Устройство и принцип действия биполярного бездрейфового транзистора.
лабораторная работа, добавлен 10.05.2016Изучение схемы практического применения электрического пробоя p-n-перехода для стабилизации напряжения. Характеристика параметров, описание устройства и действие стабилитронов - полупроводниковых диодов, работающих при обратном смещении в режиме пробоя.
реферат, добавлен 21.07.2013Цифровая интегральная микросхема как схема, предназначенная для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону дискретной функции. Элементы одноступенчатой логики. Транзистор по схеме "Комплементарный металл-диэлектрик-полупроводник".
курсовая работа, добавлен 11.01.2016Защита информации от утечки вследствие микрофонного эффекта, за счет электромагнитного излучения, а также за счет генерации взаимного влияния проводов и линий связи. Рациональное размещение аппаратуры и технических средств в энергетическом помещении.
реферат, добавлен 27.07.2012Вольт-амперная характеристика кремниевого диода. Иллюстрация графического метода определения тока через диод и напряжения на нем. Условное графическое обозначение стабилитрона - диода, сконструированного для работы в режиме электрического пробоя.
учебное пособие, добавлен 26.05.2014Особенность изготовления дискретного биполярного транзистора. Усиление или генерация колебаний портативными радиоприемниками. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Проведение исследования правил пользования пробником индикатором.
курсовая работа, добавлен 18.04.2016Технические каналы утечки информации, возникающей за счет побочных электромагнитных излучений. Технические, электромагнитные, электрические и индукционные каналы утечки информации. Внедрение в СВТ электронных устройств негласного получения информации.
лекция, добавлен 08.04.2020- 92. Контроль защищенности речевой информации от утечки по акустическому и виброакустическому каналам
Расчет значений октавного уровня соотношения "сигнал/шум" и словесной разборчивости речи. Нормы защищенности помещения от утечки речевой информации по акустическому каналу. Разработка предложений по обеспечению защищенности речевой информации от утечки.
курсовая работа, добавлен 26.10.2017 Технические характеристики акустоэлектрических преобразователей. Принцип электродинамической системы преобразования. Изменение намагничиваемости тела при его деформации. Изменение электрического сопротивления элемента под действием звукового давления.
реферат, добавлен 07.10.2015Изучение методов и средств несанкционированного получения информации в телефонных и проводных линиях связи. Пассивные и активные способы утечки информации через технические средства. Каналы связи НСД: проводные, волоконно-оптические и радиотехнические.
доклад, добавлен 02.03.2015Особенность сравнения полупроводниковых приборов с электронными лампами. Характеристика электронно-дырочного перехода. Рассмотрение вольтамперной характеристики диода и выявление его нелинейных свойств. Принцип действия и схема включения транзистора.
реферат, добавлен 15.11.2015Рассмотрение принципа действия прибора, его основных параметров и характеристик. Зависимость барьерной ёмкости перехода от обратного напряжения. Характеристика особенностей статического и дифференциального сопротивления перехода при отсутствии напряжения.
курсовая работа, добавлен 11.12.2016Особенность описания лабораторной установки. Изучение свойств элементарной магнитной антенны и измерение ее диаграммы направленности в плоскости. Исследование генерации сигнала с помощью анализатора цепей. Анализ отличий реального графика от идеального.
лабораторная работа, добавлен 19.09.2015Индуктивность и емкость резистора. Разновидности и особенности резисторов постоянного сопротивления. Конденсаторы постоянной емкости, зависимость утечки от приложенного напряжения. Цифровые фильтры, устройства задержки сигналов, магнитоуправляемые цепи.
курс лекций, добавлен 29.01.2016Исследование влияния тепловых эффектов на важные характеристики субмикронных МОП ("металл-оксид-полупроводник") транзисторов. Построение тепловых моделей основных параметров МОПТ от температуры. Проверка корректности моделей на литературных источниках.
курсовая работа, добавлен 30.06.2017- 100. Электронная техника
Физические основы полупроводников. Виды пробоев электронно-дырочного перехода. Собственная проводимость полупроводников i-типа. Основные параметры полупроводниковых диодов и их маркировка. Принцип действия биполярного транзистора, схемы включения.
курс лекций, добавлен 04.03.2017