Характеристика полупроводниковых резисторов

Главная особенность применения слаболегированного материала типа кремния или арсенида галлия в линейных полупроводниковых резисторах. Основная сущность варистора и терморезистора. Проведение исследования деформационной характеристики тензорезистора.

Подобные документы

  • Применение полупроводниковых стабилизаторов в измерительных и проверочных лабораториях. Электрическая схема стабилизатора компенсационного типа в дискретных элементах. Расчет схемы компенсационного стабилизатора напряжения на базе интегральных микросхем.

    курсовая работа, добавлен 23.09.2014

  • Конструкции, технология изготовления и материалы, применяемые в проволочных резисторах отечественного и зарубежного производства. Сравнительные характеристики и параметры материалов для подвижных контактных узлов. Обеспечение коррозионной стойкости.

    статья, добавлен 03.05.2016

  • Поверочный расчет пленочных резисторов и пленочных конденсаторов. Определение оптимального значения удельного сопротивления резистивной пасты для каждой группы. Расчет толстопленочных резисторов и их разбивка на группы, выбор резистивного материала.

    контрольная работа, добавлен 09.12.2013

  • Рассмотрение основных свойств диодов. Направления использования германиевых, кремниевых диодов, диодов из арсенида галлия и фосфида индия. Основные электрические параметры, характеризующие диоды. Вольтамперная характеристика полупроводникового диода.

    презентация, добавлен 06.05.2019

  • Применение резисторов специального назначения в измерительных приборах, системах автоматики, счетно-решающих устройствах. Сопротивление подстрочных резисторов. Устройство пленочного резистора. Характеристики резисторов. Система условных обозначений.

    контрольная работа, добавлен 06.02.2012

  • Проект усилителя электрических сигналов первичных измерительных преобразователей систем автоматического регулирования. Входные и выходные характеристики транзисторов. Особенности современных усилителей. Эксплуатационно-технические характеристики системы.

    курсовая работа, добавлен 07.12.2012

  • Основные области применения и характеристики датчиков температуры. Изучение основных типов полупроводниковых датчиков температуры. Применение датчиков температуры на основе диодов и транзисторов. Пленочные полупроводниковые датчики температуры.

    курсовая работа, добавлен 16.05.2016

  • Характеристика полупроводниковых приборов. Принцип работы биполярного транзистора, полевого транзистора и тиристора. Исследование усилительных каскадов на биполярном транзисторе. Свойства, амплитудные и частотные характеристики трехкаскадного усилителя.

    учебное пособие, добавлен 18.04.2016

  • Назначение и характеристика тестера M328 LCR-T3. Изготовление печатной платы, выбор типа производства и составление схемы техпроцесса. Установка элементов на печатную плату и программирование микроконтроллера. Проверка тестера на работоспособность.

    курсовая работа, добавлен 30.01.2016

  • Изучение схемы практического применения электрического пробоя p-n-перехода для стабилизации напряжения. Характеристика параметров, описание устройства и действие стабилитронов - полупроводниковых диодов, работающих при обратном смещении в режиме пробоя.

    реферат, добавлен 21.07.2013

  • Характеристика применения системы Autodesk Inventor для численного моделирования колебаний стержня. Проведение исследования форм изгибных колебаний в плоскости. Главная особенность снижения собственных частот всех форм колебаний при установке датчиков.

    статья, добавлен 19.12.2019

  • Виды полупроводниковых электронных устройств, принципы их работы. Переходная характеристика компаратора при различных превышениях скачка входного напряжения над опорным. Использование операционных усилителей общего применения и интегральных компараторов.

    реферат, добавлен 06.03.2023

  • Применение сумматоров для сведения многоразрядных двоичных чисел в обратном или дополнительном кодах. Главная особенность принципов работы и синтеза шифраторов и дешифраторов. Основная характеристика информационных и адресующих входов мультиплексора.

    презентация, добавлен 11.06.2014

  • Понятие полупроводниковых индикаторов, основные принципы работы, классификация и характеристика. Физические эффекты, пригодные для использования в индикаторной технике. Органические и полимерные дисплеи. Сущность жидкокристаллических индикаторов.

    лекция, добавлен 17.08.2014

  • Основные принципы классификации полупроводниковых диодов. Последовательное включение выпрямительных диодов. Классификация и основные особенности транзисторов. Устройство биполярного транзистора. Расчет входной и выходной характеристики транзистора.

    курсовая работа, добавлен 13.12.2013

  • Физические основы полупроводников. Виды пробоев электронно-дырочного перехода. Собственная проводимость полупроводников i-типа. Основные параметры полупроводниковых диодов и их маркировка. Принцип действия биполярного транзистора, схемы включения.

    курс лекций, добавлен 04.03.2017

  • Изготовление туннельного диода из германия или арсенида галлия с высокой концентрацией примеси. Электронно-дырочный переход в вырожденном полупроводнике. Диффузионное перемещение. Туннельный переход электронов с энергией меньшей потенциального барьера.

    презентация, добавлен 23.09.2016

  • Входной контроль монокристаллических кремниевых пластин. Методы определения типа электропроводности. Измерение удельного сопротивления полупроводниковых материалов и пленок четырехзондовым методом. Определение концентрации примесных атомов в кремнии.

    методичка, добавлен 13.03.2015

  • Понятие газоразрядных и вакуумных индикаторов, характеристика их разновидности. Принцип работы дисплея с полевой эмиссией. Сущность электролюминесцентных индикаторов, их свойства, значение и отличительные черты. Использование углеродных нанотрубок.

    лекция, добавлен 17.08.2014

  • Области применения полупроводниковых диодов в зависимости от их вольтамперных характеристик и параметров. Возникновение лавинного пробоя в p-n-переходах при невысокой степени легирования. Особенности строения и система обозначения биполярного транзистора.

    курсовая работа, добавлен 06.08.2013

  • Изучение принципа действия полупроводниковых приборов. Классификация диодов и транзисторов. Термостабилизация рабочей точки транзистора по постоянному току. Анализ работы усилителя сигналов низкой частоты. Характеристики компаратора и мультивибратора.

    курс лекций, добавлен 23.03.2015

  • Изучение принципа действия полупроводниковых и фотоэлектронных приборов. Функционирование типовых электронных узлов и устройств. Характеристики основных семейств логических операций. Применение цифровых запоминающих устройств. Виды стабилизаторов.

    учебное пособие, добавлен 09.12.2013

  • Классификация и система обозначений полупроводниковых диодов: стабилитрон, туннельный, варикап, фотодиод и диод Шотки. Устройство биполярного транзистора, его частотные и усилительные свойства. Статические характеристики полевых транзисторов, их схема.

    курсовая работа, добавлен 19.04.2014

  • Градация полупроводниковых электронных агрегатов. Принцип работы устройств, предназначенных для цифрового преобразования аналоговых сигналов с опорным напряжением. Основные характеристики однопороговых, регенераторных и двухпороговых компараторов.

    реферат, добавлен 24.12.2014

  • Изучение свойств p-n перехода. Исследование принципов действия полупроводниковых диодов и триодов. Анализ схем включения транзисторов, их достоинств и недостатков. Рассмотрение областей применения. Построение выпрямителей и фильтров переменного тока.

    реферат, добавлен 16.10.2017

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.