Характеристика полупроводниковых резисторов

Главная особенность применения слаболегированного материала типа кремния или арсенида галлия в линейных полупроводниковых резисторах. Основная сущность варистора и терморезистора. Проведение исследования деформационной характеристики тензорезистора.

Подобные документы

  • Возникновение ЭВМ на радиолампах. Исследование влияния полупроводниковых диодов. Переход от точечной и сплавной технологий создания транзисторов к диффузионной. Сущность процесса фотолитографии. Этапы изготовления микросхемы. Интенсивность ее отказов.

    лекция, добавлен 01.09.2013

  • Полупроводниковый диод как полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами: рассмотрение типов, знакомство с принципом устройства. Знакомство с особенностями применения полупроводниковых диодов для выпрямления переменного тока.

    курсовая работа, добавлен 23.03.2016

  • Параметры и виды полупроводниковых и гибридных интегральных микросхем. Создание плёночных ИМС. Основные характеристики микроэлектронных изделий. Методы, применяемые для формирования конфигураций проводящего, резистивного и диэлектрического слоев.

    реферат, добавлен 22.03.2013

  • Маркировка резисторов, конденсаторов, диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных микросхем. Определение, классификация, основные характеристики и параметры усилителей. Рассмотрение влияния обратных связей на характеристики и параметры усилителя.

    шпаргалка, добавлен 01.10.2017

  • Особенность интеграции аналоговых и цифровых устройств в специализированные сложно-функциональные блоки. Анализ обобщенной структуры и основных свойств звеньев полосовых фильтров. Исследование схемотехнического проектирования звена второго порядка.

    статья, добавлен 30.05.2017

  • Характеристика электронно-дырочного перехода, представляющего собой переходный слой между областями полупроводника. Статическая вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Основные параметры варикапа и схема двухполупериодного выпрямителя.

    контрольная работа, добавлен 22.03.2011

  • Описание применения полупроводниковых индикаторов. Использование дискретных светодиодов в рекламе и при наблюдении за параметрами технологического процесса. Описание светодиодного куба как объекта управления. Техническая реализация средств отображения.

    статья, добавлен 24.05.2018

  • Обоснование конструктивно-технологического исполнения гибридной интегральной микросхемы. Проведение конструктивного расчета тонкопленочных резисторов и конденсаторов, подбор навесных компонентов. Выбор материала платы, определение ее минимальных размеров.

    курсовая работа, добавлен 03.12.2010

  • Характеристика и схема полевых транзисторов с управляющим переходом и с изолированным затвором, как полупроводниковых приборов, в которых ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом.

    контрольная работа, добавлен 18.08.2010

  • Общие основы работы измерительных преобразователей температуры. Описание физических основ работы терморезистора. Методика градуировки полупроводникового терморезистора. Классификация, принцип действия, применение и схемы включения терморезисторов.

    реферат, добавлен 19.09.2016

  • Техническая характеристика усилителей мощности гармонических и импульсных сигналов. Схематизация выходного каскада и расчет энергетических параметров четырехполюсника. Параметры подбора транзистора и трансформатора для полупроводниковых приборов.

    курсовая работа, добавлен 25.11.2013

  • Рассмотрение основных способов определения дифференциального сопротивления RCT стабилитрона. Общая характеристика особенностей полупроводниковых приборов. Знакомство с формулой, по которой рассчитывается дифференциальное сопротивление стабилитрона.

    контрольная работа, добавлен 13.01.2020

  • Энергомощностные и температурные характеристики поведения структуры в диапазоне длительностей однократного импульсного воздействия в зависимости от конструктивно-технологических параметров. Моделирование физических процессов в биполярных структурах.

    статья, добавлен 03.11.2018

  • Основные характеристики резисторов. Условное обозначение резисторов различной мощности. Допустимые отклонения сопротивлений. Эквивалентная схема конденсаторов, их деление на классы. Формула расчета индуктивности катушки, способы увеличения индуктивности.

    контрольная работа, добавлен 24.04.2017

  • Исследование влияния линейных вибраций на поведение выходного сигнала микромеханического гироскопа RR-типа. Причины появления ложных сигналов, возникающих из-за нелинейностей характеристик емкостных датчиков углов и моментов при действии вибраций.

    статья, добавлен 28.10.2018

  • Изучение основных характеристик углеродных, металлопленочных и проволочных выводных резисторов. Высокочастотные, термоэлектрические и температурные эффекты. Типовые применения резисторных сборок. Определение значения сопротивления углеродных резисторов.

    статья, добавлен 25.04.2017

  • Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы. Прямое и обратное включение диодов Шоттки. Вольтамперная характеристика и параметры полупроводниковых диодов. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды. Классификация и маркировка транзисторов.

    книга, добавлен 19.10.2013

  • Особенность применения пневмоприводов в робототехнике. Проведение исследования структурной схемы микроконтроллерной системы управления манипулятора МП-9С. Характеристика измерения частоты входного сигнала с датчика методом частотного заполнения.

    статья, добавлен 27.11.2018

  • Влияние всестороннего давления на свойства полупроводниковых материалов и на состояния примесных атомов в кремнии. Выбор методики получения высоких давлений при низких температурах. Изучение методов измерения фоточувствительности и магнетосопротивления.

    диссертация, добавлен 24.05.2018

  • Регистр сдвига, сумматор по модулю и коммутатор как основные элементы сверточного кода. Проведение исследования диаграммы состояний кодера. Особенность непрерывных шифров, используемых в системах связи. Характеристика алгоритма декодирования Витерби.

    лекция, добавлен 30.03.2017

  • Характеристика гибридных интегральных схем как микросхем, являющихся комбинацией пленочных пассивных элементов и активных компонентов, расположенных на общей диэлектрической подложке. Технология изготовления полупроводниковых схем на биполярных элементах.

    курс лекций, добавлен 21.03.2011

  • Понятие и структура полупроводникового диода с электронно-дырочным переходом. Назначение и характеристика выпрямительных, высокочастотных (универсальных) и импульсных диодов. Основные параметры стабилитронов. Свойства и принцип работы варикапов.

    методичка, добавлен 04.10.2012

  • Создание прецизионных резисторов и конденсаторов. Гибридная технология создания интегральных микросхем, работающих в СВЧ диапазоне. Характеристики подложек и резисторов. Параметры материалов, применяемых для изготовления тонкопленочных конденсаторов.

    курсовая работа, добавлен 06.11.2017

  • Основная зависимость погрешностей от значения измеряемого анализа величины. Главная особенность подчиненности ошибки от вымеряемого размера при нелинейной функции преобразования вида. Систематическая характеристика составляющего квантового отклонения.

    лекция, добавлен 28.10.2014

  • Изучение устройства и назначения пассивных элементов электрических цепей: резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности. Техническая характеристика полупроводниковых приборов с p–n переходом: диоды, стабилизаторы, варикап. Операционные схемы усилителей.

    курс лекций, добавлен 05.07.2013

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.