Напівпровідники
Напівпровідники, їх проміжне місце між провідниками та діелектриками. Власна та домішкова провідність напівпровідників. Аналіз терморезисторів та фоторезисторів. Електронно-дірковий перехід. Характеристика та використання напівпровідникових діодів.
Подобные документы
Закономірності впливу енергетичного електронного опромінення на оптичні характеристики напівпровідникових нанокристалів CdS1–xSex, вкраплених у боросилікатну скляну матрицю, порівняння з радіаційними дефектами у склоподібних матеріалах класу силікатів.
автореферат, добавлен 24.06.2014Застосування напівпровідникових приладів. Фізичні основи обчислювальної техніки, інтегральні мікросхеми. Дослідження роботи базових логічних елементів: RS-тригера, генератора прямокутних імпульсів (мультивібратора). Ефективність використання обладнання.
лабораторная работа, добавлен 08.04.2019Дослідження структур з квантовими ямами і надграток вузькощілинних напівпровідників, зокрема сполук А4В6. Дослідження їх властивостей з метою встановлення параметрів зонного спектра. Вивчення можливостей їх практичного використання в ІЧ фотоелектроніці.
автореферат, добавлен 04.03.2014Вплив вмісту солі та наповнювача на теплофізичні особливості модельного електроліту, наповненого аеросилом із прищепленими фосфоровмісними групами. Вплив особливостей структури на релаксаційні властивості і провідність поліуретанових електролітів.
автореферат, добавлен 12.07.2014Дослідження ефектів, що виникають в напівпровідникових структурах при протіканні струмів екстремальна великої густини. Характеристика дослідження механічного руйнування через невідповідність коефіцієнтів теплового розширення плівки і підкладинків.
автореферат, добавлен 12.02.2014Напівпровідникові прилади як різноманітні за конструкцією, технології виготовлення і призначенню електронні прилади, засновані на використанні властивостей напівпровідників. Залежність електропровідності напівпровідника від різних зовнішніх впливів.
реферат, добавлен 19.12.2021Характеристики прямої й оберненої кристалічних ґраток. Властивості електронів. Ознайомлення з основами квантової теорії. Механізми коливання атомів. Види дефектів у напівпровідниках. Дифузійні і дрейфові струми. Електропровідність напівпровідників.
учебное пособие, добавлен 27.08.2015Аналіз основних структурних змін, що відбуваються у напівпровідникових кристалах при легуванні шляхом імплантації та при наступних технологічних обробках. Встановлення ролі легуючої домішки бору в утворенні електрично-активних кисневмісних комплексів.
автореферат, добавлен 07.08.2014Теорія фононного та поляронного станів в анізотропних напівпровідникових квантових ямах. Залежність середньої кількості віртуальних фононів полярона від хвильового вектора. Аналіз енергетичного спектра в гетероструктурах із плоскою квантовою ямою.
автореферат, добавлен 25.08.2015Аналіз електромагнітних процесів у напівпровідникових перетворювачах з трансформаторним зв’язком між фазами. Електромагнітна сумісність цих перетворювачів з мережею живлення. Огляд алгоритму керування цим зв’язком і математичних моделей перетворювачів.
автореферат, добавлен 29.08.2014Розрахунок законів дисперсії і хвильових функцій напівпровідникових кристалів, електронних енергетичних спектрів і твердих розчинів. Алгоритми для обчислення градієнта закону дисперсії та тензора ефективної маси носіїв заряду у методі змішаного базису.
автореферат, добавлен 28.07.2014Фотопровідність напівпровідників. Оптична генерація носіїв току. Характеристики і параметри напівпровідників: вольт-амперна, спектральна, енергетична, температурна, гранична. Фотодіоди з внутрішнім підсиленням. Застосування і перспективи фотоприймачів.
реферат, добавлен 19.02.2009Теорія системного аналізу електромагнітних процесів у напівпровідникових перетворювачах модуляційного типу. Створення нових структур інверторів напруги та алгоритмів управління ними у напівпровідникових перетворювачах зі змінними та постійними напругами.
автореферат, добавлен 13.07.2014Дослідження нелінійної провідності квантових контактів різної геометрії в присутності одиничних дефектів. Залежність нелінійної провідності від прикладеної напруги, потенціалу розсіювання й параметрів, що характеризують форму квантового контакту.
автореферат, добавлен 28.10.2015Аналіз особливостей моделювання підсилення в лазерах з об'ємними й квантоворозмірніми шарами. Вплив температурних ефектів на оптичне підсилення лазерів. Розробка комп'ютерної моделі для дослідження напівпровідникових лазерів різних конструкцій.
автореферат, добавлен 22.02.2014Аналіз використання планарних кремнієвих p-i-n діодів у змішаних нейтронних та гамма-полях для визначення дози швидких нейтронів і потужності дози гамма-компоненти. Отримання характеристик радіаційного пошкодження за допомогою струмів короткого замикання.
статья, добавлен 08.10.2013Способи створення омічних і випростовуючих контактів, параметри та властивості базових підкладинок. Особливості міжзонної та екситонної рекомбінації у дифузійних шарах II-VI напівпровідників. Випромінювальна рекомбінація простих та асоціативних центрів.
автореферат, добавлен 29.09.2014Дослідження фізичних явищ в тонкоплівкових гетероструктурах на основі органічних напівпровідників. Електронний процес на границі розділу фоточутливих шарів. Створення ефективних органічних світлодіодів, транзисторів, сенсорів та сонячних елементів.
автореферат, добавлен 24.07.2014Формування потоку рентгенівського випромінювання електронно-променевих приладів з урахуванням конструктивних параметрів, характеристика електричних режимів роботи рентгенівської трубки. Виявлення дефектів зварних з’єднань контрольованного об’єкта.
автореферат, добавлен 28.07.2014Вирішення проблеми зв’язку між структурними і оптичними властивостями низькорозмірних структур на основі напівпровідників. Закономірності латерального впорядкування квантових точок (наноострівців) отриманих на основі самоорганізації у гетероструктурах.
автореферат, добавлен 29.08.2014- 71. Електричні та фотоелектричні процеси в сонячних елементах та детекторах оптичного випромінювання
Механізм переносу заряду електричних та фотоелектричних процесів. Зміст основних експериментальних та теоретичних кривих при зворотних напругах. Характеристика математичних форм спектральних нерівностей. Аналіз досліджуваних поверхнево-бар’єрних діодів.
автореферат, добавлен 27.09.2014 Розроблення методики хімічної і термічної обробки для формування заданої пористої структури АВМ з максимальною площею розвинутої поверхні. Встановлення закономірності кінетики та механізмів електронно-іонних процесів. Формування локального оточення ядер.
автореферат, добавлен 25.07.2014Огляд використання напівпровідникових випромінювачів та модуляції оптичного випромінювання по інтенсивності. Дослідження проектування та монтажу передавальних квантово-електронних модулів. Аналіз цифрових систем передачі у волоконно-оптичному зв’язку.
реферат, добавлен 08.01.2011- 74. Низьковакуумні газорозрядні електронні гармати і їх використання в електронно-променевих технологіях
Теоретичні й експериментальні дослідження імпульсного режиму роботи і його вплив на параметри низьковакуумних газорозрядних електронних гармат. Особливості використання НГЕГ у практиці аеродинамічного експерименту по візуалізації газових потоків.
автореферат, добавлен 28.08.2015 Заміна освітлювальних приладів на основі ламп розжарювання та газорозрядних джерел світла на світлодіодне освітлення. Надійність і енергоефективність використання діодів у сфері енергозаощадження. Впровадження комплексних систем освітлення в Україні.
статья, добавлен 19.02.2016